真空退火对Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝巨磁阻抗效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制备了Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝,研究了真空条件下退火对细丝巨磁阻抗效应及非对称性的影响.结果显示,随着退火温度的升高,玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应先增大后减小.退火温度为250℃时,巨磁阻抗效应最明显;退火后样品的磁阻抗曲线对称性大都有所改善;退火温度为330℃时,磁阻抗曲线对称性遭到破坏,可能是磁各向异性降低所引起的.     

LC共振增强巨磁阻抗效应

通过一种新的方法，直接在Fe基玻璃包裹丝外溅射一层铜.研究发现，玻璃绝缘层在复合结构丝中充当电介质的作用，内芯层与外层铜耦合形成附加电容，从而使复合丝形成LC回路,其巨磁阻抗效应从原先的250％增强到330％.通过改变外铜层长度，研究了共振频率对巨磁阻抗效应的影响.     

热处理对Fe基合金丝巨磁阻抗效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法拉制玻璃包裹的 Fe 基非晶合金细丝,采用温度退火制备纳米晶丝;利用真空镀膜法制作了纵向驱动微型线圈;研究不同退火温度下合成的Fe基合金丝在纵向驱动方式下的巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明:对玻璃包裹的Fe基合金非晶丝采用不同退火温度处理,可以不同程度消除材料中的残余应力,提高材料的软磁性能,...     

复合玻璃包裹纳米晶细丝的巨磁阻抗效应

采用磁控溅射法在铁基纳米晶玻璃包裹丝外沉积铜层,研究了细丝在驱动电流流过不同层的巨磁阻抗效应．结果表明,沉积铜层后会使细丝的磁阻抗比最大值向低频段移动,并且发现当电流同时流入铜层和铁磁层时,在1MHz时就有明显的磁阻抗效应．这与导电层和铁磁层之间存在电磁相互作用有关．     

电流退火及长度对玻璃包裹丝GMI效应的影响

采用高频感应加热熔融快淬法制各了Fe_(73.5)Cu_(1.0)Nb_(3.0)Si_(13.5)B_9非晶玻璃包裹丝.首先对制备态包裹丝进行电流退火,结果发现电流密度为4.2×10~7 A/m~2时,退火得到的玻璃包裹丝性能最佳,原因是此时有合适的纳米晶体积比例.进而研究了长度对其磁性和巨磁阻抗效应的影响.结果表明,随着长度的减小,微丝的各项异性场增大,磁阻抗比减小,采用退磁场模型给予了合理解释.     

热处理过程中Co基非晶丝的层间耦合作用对GMI效应的影响

用氢氟酸去掉Co69.20Fe4.16Si12.35B10.77Cr3.42Mo0.1非晶玻璃包裹丝的玻璃层,获得了高纯度的Co基非晶丝,再对非晶细丝在空气或氢气保护中进行了退火处理,研究了退火过程中退火温度和退火时间对Co基非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的影响.研究发现,随着退火温度升高和退火时间加长,Co基非晶丝巨磁阻抗表现出非单调且非对称的变化,灵敏度随着退火温度的升高和退火时间的加长表现为先增大后减小的行为.在退火温度为673K,退火时间为9h的条件下,磁阻抗的灵敏度最高,可达227%.分析指出氧化层和纳米晶芯层的耦合相互作用可能是Co基非晶丝软磁性能得到改善的主要原因.     

驱动方式对玻璃包裹铁基纳米晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响

用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗.结果发现,纵向和环向2种驱动方式下晶丝的最佳退火温度分别为580℃和560℃.2种驱动方式下,巨磁阻抗比值都随细丝直径的增大而增大;环向驱动方式下,巨磁阻抗频谱曲线峰值对应的驱动频率随细丝直径的增大而减小;纵向驱动方式下,不同直径晶丝的巨磁阻抗频谱曲线峰位频率没有明显的变化.     

铁基纳米晶玻璃包裹丝的直径对巨磁阻抗效应的影响

采用高频感应加热熔融拉引法制备F_e73.5C_u1Nb₃Si_13.5B₉玻璃包裹合金非晶丝，其中金属芯的直径为16～50 μm，经570 ℃退火处理得到具有最佳软磁性能的玻璃包裹纳米晶丝.研究其巨磁阻抗效应，发现随金属芯直径的增大，丝的磁阻抗变化先增大后减小，在30 μm时具有最大磁阻抗变化为251%.     

电流退火CuBe/绝缘层/NiCoP复合结构丝的磁化特性和巨磁阻抗效应

用化学镀的方法制备了CuBe/绝缘层/NiCoP复合结构丝,用2 A直流电流退火2 min.研究了退火对样品巨磁阻抗效应的影响,发现退火大幅度提高了样品的巨磁阻抗效应,最大磁阻抗比率ΔZ/Z由制备态时的42.3%提高到693.1%,增加了15.4倍.利用复数磁导率和等效电路研究了样品的磁化特性,并对电流退火增强复合结构丝巨磁阻抗效应的机理作了分析.电流退火消除内应力且改变样品的磁结构,使得退火样品的Δμ′和Δμ″远大于制备态样品,增强了样品的巨磁阻抗效应.     

溅射工艺对NiFe/Cu复合丝结构和性能的影响

利用射频磁控溅射法分别采用连续溅射和间歇溅射工艺制备了Ni80Fe20/Cu复合结构丝。通过扫描电镜和X射线衍射等手段研究了溅射模式对复合丝微观结构的影响.结果表明：间歇溅射使镀层之间形成明显的界面,镀层结晶度增加,晶粒较大.利用巨磁阻抗效应和磁滞回线手段分析了样品的磁性能,发现实验中溅射的磁性层具有良好的软磁性能,复合丝呈现出较大的巨磁阻抗效应.当采用间歇溅射工艺时,由于复合丝的镀层中存在明显界面,内、外磁层的磁化行为不同,出现两个各向异性场.该样品经退火后,释放了一部分内部应力,软磁性能提高,阻抗效应增强,且内、外磁层磁性能趋于一致.     

纵向驱动纳米微晶玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应

采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe_73.0Cu_1.0Nb_1.5V_2.0Si_13.5B_9.0 非晶玻璃包裹细丝,经适当温度退火处理得到纳米微晶丝。首次研究了样品在纵向驱动方式下的巨磁阻抗效应,发现T=570℃下退火得到的样品,在驱动电流频率f=300kHz时其最大磁阻抗变化可达1020%.     

化学镀BeCu/NiFeB丝巨磁阻抗效应研究

用化学镀的方法,在100 μm BeCu丝上沉积了NiFeB薄膜镀层.研究了退火温度和驱动电流频率对样品巨磁阻抗效应的影响.观察到200 ℃退火后样品最大巨磁阻抗效应为33％.在BeCu丝与NiFeB镀层之间加入绝缘层后,最大巨磁阻抗效应提高到83％.     

Giant magneto-impedance and low-frequency magneto-resistance effect in NiFeB coated composite wires

Composite wires of 100 μm insulated CuBewire plated with a layer of NiFeB were produced by elec-troless-deposition, and their magnetic properties were stud-led. The results showed that a good magneto-impedance (MI)effect can be obtained at relatively low frequency. The largestMI ratio (△Z/Z)max obtained is 250% at 500 kHz. Mag-neto-resistance effect was also observed at low frequency,with the (△R/R)max observed to be -8.5% at 540 Hz and 38.7% at 10 kHz. Results are discussed, and the equivalent resistance and inductance as the result of the NiFeB layer are taken into account.     

电流退火对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响

对直径为40 μm,长为5 cm的褪膜玻璃包裹钴基（Co_69.20Fe_4.16 Si_12.35B_10.77 Cr_3.42 Mo_0.1）非晶丝进行电流退火和电流应力退火,研究了退火对巨磁阻抗效应的影响.结果发现,随着退火电流密度和外加应力的增大,丝的磁阻抗变化对外加磁场的敏感度先增大后减小,在20 A/mm²和90 MPa的退火条件下,灵敏度最高,可达1%/( A·m^-1).以上述条件退火,敏感度最高可达19%/( A·m^-1).     

Bi_(1.6)La_(0.4)Ti_2O_7薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。     

Tensile properties and fracture reliability of a glass-coated Co-based amorphous microwire

Co_68.15Fe_4.35Si_12.25B_15.25 (at%) amorphous microwires with a smooth surface and a circular cross-section were fabricated by the glass-coated melt spinning method. Their mechanical properties were evaluated through tensile tests of the glass-coated amorphous microwires, and their fracture reliability was estimated using two- and three-parameter Weibull analysis. X-ray diffraction and transmission electron microscopy results showed that these glass-coated Co-based microwires were mostly amorphous. The coated Co-based microwires exhibit a tensile strength of 1145 to 2457 MPa, with a mean value of 1727 MPa and a variance of 445 MPa. Weibull statistical analysis showed that the tensile two-parameter Weibull modulus of the amorphous microwires is 4.16 and the three-parameter Weibull modulus is 1.61 with a threshold value as high as 942 MPa. These results indicate that the fabricated microwires exhibit good tensile properties and fracture reliability, and thus appear to be good candidates for electronics reliability engineering applications.     

退火温度对N掺杂MgZnO薄膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射技术, 用氮气作为掺杂源, 在石英基片上生长N掺杂Mg_xZn_1-xO薄膜, 并将薄膜分别在550,600,650,700 ℃真空中进行热退火处理. 结果表明: 晶体质量随退火温度的升高而提高; 薄膜中Mg和Zn的原子比发生了变化; Raman光谱中位于272,642 cm^-1处的振动峰逐渐消失; 室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强, 且发生峰移; 随着退火温度的升高, 薄膜的导电类型发生转变, 当退火温度为600 ℃时, 薄膜呈最佳的p型导电性质.     

化学溶液沉积法制备BiFeO_3薄膜的结构及性能研究

采用化学溶液沉积法在ITO玻璃基片上制备铁酸铋Bi Fe O3薄膜。薄膜呈纯钙钛矿结构,无杂相生成。此外,薄膜表面光滑致密、没有微裂痕。薄膜得到的晶粒尺寸较小,约为45 nm。在550℃1 h退火的薄膜有良好的电学特性,在1 k Hz频率下测得的相对介电常数、损耗因子分别约为198、3%;此外,在760 k V/cm电场驱动下,薄膜得到的剩余极化(2Pr)约为25μC/cm2,矫顽电场(2Ec)约为650 k V/cm。BFO薄膜在550℃退后,通过吸收光谱分析得到BFO薄膜的光学带隙为2.7 e V。这些结果表明,退火温度550℃制备的Bi Fe O3固溶体薄膜具有较好的性能,有望成为光电器件的候选材料。     

Photocatalytic activity of ferric oxide/titanium dioxide nanocomposite films on stainless steel fabricated by anodization and ion implantation

A simple surface treatment was used to develop photocatalytic activity for stainless steel. AISI 304 stainless steel specimens after anodization were implanted by Ti ions at an extracting voltage of 50 kV with an implantation dose of 3 × 1015 atoms·cm?2 and then annealed in air at 450℃ for 2 h. The morphology was observed by scanning electron microscopy. The microstructure was characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy. The photocatalytic degradation of methylene blue solution was carried out under ultraviolet light. The corrosion resistance of the stainless steel was evaluated in NaCl solution (3.5 wt%) by electrochemical polarization curves. It is found that the Ti ions depth profile resembles a Gaussian distribution in the implanted layer. The nanostructured Fe₂O₃/TiO₂ composite film exhibits a remarkable enhancement in photocatalytic activity referenced to the mechanically polished specimen and anodized specimen. Meanwhile, the annealed Ti-implanted specimen remains good corrosion resistance.