LIGA实验站的设计及应用

介绍了国家同步辐射实验室二期建设的LIGA实验站，研究了同步辐射光发散角对深度同步辐射光刻精度的影响；对深度同步辐射光刻扫描台的精度提出了理论要求；报道了深度同步辐射光刻、电铸和塑铸的实验结果．     

LIGA实验站的设计及应用

介绍了国家同步辐射实验室二期建设的LIGA实验站,研究了同步辐射光发散角对深度同步辐射光刻精度的影响;对深度同步辐射光刻扫描台的精度提出了理论要求;报道了深度同步辐射光刻、电铸和塑铸的实验结果.     

一种用于光刻模拟的新光源模型

讨论提出用连续的光源描述函数代替0~1分布的光源函数精确描述光源光强分布,以提高光刻分辨率.在SPLAT的基础上应用新的光源特征函数,建立新的光源模型,并结合测试模板进行仿真.结果显示,新的模型在精度上有较为明显的改善,新光源特征函数有助于建立更为精确的光刻模型.     

深度紫外光刻图形精度模拟研究

UV-LIGA技术是制作大高宽比微电子机械(MEMS)的方法之一,而UV-LIGA技术的关键工艺之一为深度紫外光刻.由于紫外光衍射效应影响紫外光刻的微结构图形精度.本文主要研究了衍射效应对深紫外光刻精度的影响,并与实验结果进行了比较,理论模拟结果和实验比较吻合.因此,可以通过模拟结果得到不同厚度光刻胶的最佳曝光剂量,以便得到高质量的微结构图形.     

亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术

讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.     

提高光刻胶陡直度的方法

光刻是利用光化学反应将临时电路图形从掩膜版转移到光刻胶膜上的工艺。影响光刻质量的因素包含光源、掩膜版与光刻胶三部分。其中,掩膜版与光源(光刻机)在日常生产中视为固定不变的因素。相比较而言,光刻胶受曝光条件、显影条件、烘干条件等诸多因素的影响,其性质会有明显变化。本文就光刻胶膜的陡直度(以下简称"陡直度")进行了一系列研究和实验,其最终目的是找到现有条件下提高光刻线条陡直度的方法。     

提高光刻胶陡直度的方法

光刻是利用光化学反应将临时电路图形从掩膜版转移到光刻胶膜上的工艺。影响光刻质量的因素包含光源、掩膜版与光刻胶三部分。其中,掩膜版与光源（光刻机）在日常生产中视为固定不变的因素。相比较而言,光刻胶受曝光条件、显影条件、烘干条件等诸多因素的影响,其性质会有明显变化。本文就光刻胶膜的陡直度（以下简称＂陡直度＂）进行了一系列研究和实验,其最终目的是找到现有条件下提高光刻线条陡直度的方法。     

聚硅烷用作紫外亚微米光刻胶

讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层，几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层，在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果。由于聚硅烷与其它树脂相容性不好，作者将含氟聚硅烷作为添加剂添加到枝状聚硅烷中进行光刻实验，获得最小分辨率为0．5μm的明暗线条等宽图形，对以不同聚硅烷相互作为添加剂，将其配方性能优化进行了有益的尝试。对多种影响图形转移质量 的因素进行了一些定性的讨论。     

同步辐射光刻用户座谈会在我校召开

同步辐射光刻用户座谈会于1984年9月24日至26日在我校召开。来自长江三角洲和合肥地区二十多位代表参加了会议。中国科学院谷羽同志派代表参加了会议。会议就如何在合肥同步辐射装置上开展X射线亚微米线条光刻进行了认真讨论,成立了光刻用户小组,商讨了分工。     

4000TPI光刻伺服盘伺服录写设备的研究

分析了光刻伺服盘的光刻图形，伺服码型及伺服录写特性，并设计了４０００ＴＰＩ光刻面伺服系统的伺服录与设备，分析研究表明，光刻伺服系统能提高磁盘道密度，为大幅度提高磁盘容量开辟了广阔的前景。     

EACVD中基片表面电子及氢原子能量分布

采用Monte Carlo方法,模拟了EACVD淀积金刚石薄膜中氢分解过程 .建立了电子碰撞使氢分解的模型,给出了在基片表面电子及氢原子的能量分布.结果对EACVD淀积金刚石 薄膜的研究有重要意义.     

随机返混对颗粒反应的影响

针对多级返混流系统,比较了Markov过程模型与Monte Carlo方法的区别。采用Monte Carlo方法模拟了返混的波动对反应率的影响,给出了几种常见反应过程中返混对颗粒反应率影响的模拟结果。     

薄膜生长初期的蒙特卡罗模型

构造了薄膜生长的蒙特卡罗模型,并应用该模型研究了薄膜生长初期岛的形貌.模型中考虑了主要的3个动力学过程:原子沉积、原子扩散及原子脱附,并且认为这3个过程既相互独立又相互影响,即在同一计算步长中,3个过程依据各自速率所构造的概率发生,同时扩散及脱附速率是随着沉积过程的进行而变化的.结果表明,当基底温度较低或者沉积速率较快时形成分形岛;而当基底温度较高或者沉积速率较慢时形成紧致岛.这一结论也得到了实验的验证.     

中子截面Doppler展宽算法及并行计算方法

为了提高现有中子截面Doppler展宽的计算效率,在反应堆物理蒙卡计算中实现在线Doppler展宽,提出了基于Gauss积分的连续能量中子截面Gauss展宽算法,以及与之相关的并行化计算方法,形成了全新的快速Doppler展宽方法,并编写了基于该方法的连续能量中子截面Doppler展宽程序。使用多个算例对该方法及程序进行了验证,并与传统方法进行了比较。验证结果表明,该方法在保证计算结果与传统Doppler展宽方法一致的前提下,计算速度相比传统方法提高了一个量级,完全可满足反应堆蒙卡计算中温度相关问题对截面快速Doppler展宽的需求。     

Monte Carlo方法在放射治疗计划剂量计算中的应用

为了在放射治疗计划系统中的临床应用,探讨Monte Carlo剂量计算方法。应用已经建立Monte Carlo虚拟源模型,针对一例食道肿瘤病例,完成该食道癌患者放射治疗计划各个射野的剂量计算,并进行了计划设计。研究发现,高剂量区与计划靶区(PTV)保持了很好的适形,关键器官的照射量很小,得到了很好的保护。结果表明,用Monte Carlo虚拟源剂量计算模型生成的剂量分布符合临床放射治疗的实施原则,治疗计划靶区得到了高剂量照射,危险器官受照剂量远低于耐受剂量。由于该模型的精确性,完全可以替代现有的解析型剂量计算模型。     

基于响应面和MCMC的齿轮接触疲劳可靠性

针对齿轮接触失效,建立带有安装与制造误差的齿轮参数化模型,通过大变形显式动力学仿真软件来模拟齿面动态接触应力.然后,根据应力-强度干涉模型,建立齿轮响应面状态函数.为了提高齿轮响应面功能函数的拟合精度,提出了一种基于响应面和Markov chain Monte Carlo(MCMC)的可靠性分析方法,并进行可靠性灵敏度分析,以定量概率反映安装误差、制造误差及外载荷等随机因素对齿轮传动可靠性的影响程度.最后,将Monte Carlo模拟100 000次的计算结果与所提方法的结果进行比较,验证了可靠性分析方法的正确性.     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

基于FORM的Monte Carlo精度修正可靠度算法

结构可靠度分析的核心是计算预定义功能函数的失效概率。提出一种基于一次可靠度算法 (FORM)计算结果的 Monte Carlo精度修正可靠度算法 ,它将原可靠度列式转换为一个求旋转坐标系下 n- 1元函数的统计均值问题 ,统计均值用 Monte Carlo法计算。这种可靠度算法克服了传统FORM法误差较大以及 Monte Carlo法效率低的困难 ,与二次可靠度算法 (SORM)相比 ,计算结果对验算点的计算精度不敏感。通过算例分析验证了该文方法的合理性     

基于稳态随机动力响应的蒙特卡洛模拟精度研究

以高斯白噪声作用下的单质点线性系统为例,探讨了系统稳态随机响应的蒙特卡洛模拟精度.结果表明,模拟的精度与样本数、样本值域分段数和系统参数的取值有关:样本数的选择应综合考虑计算精度与计算量,而合理选择分段数可以有效改善计算结果的精度.