化学液相沉积法改性ZSM-5沸石上的甲苯择形歧化反应Ⅰ沉积条件的影响

以硅氧烷为改性剂，采用化学液相沉积法制备了系列改性HZSM-5催化剂，用X射线衍射(XRD)、低温N2物理吸附及程序升温氨脱附(NH3-TPD)表征了催化剂的物化性质，并在高压微型反应装置上考察了改性催化剂在甲苯歧化反应中的催化性能．详细考察了催化剂制备过程中沉积量、沉积时间和沉积次数对甲苯转化率和对二甲苯选择性的影响。结果表明．催化剂颗粒的内外层SiO2沉积不均匀，形成了蛋壳型的催化剂；SiO2主要沉积在ZSM-5晶粒的外表面，而内部结构和酸性影响不显著。改性催化剂可大幅度提高甲苯歧化的对位选择性；沉积时间对选择性影响不大．多次沉积、增加沉积剂量可提高对位选择性，且存在一个最佳沉积量。     

合成TiN膜的俄歇电子能谱研究

采用离子束增强沉积方法（ＩＢＥＤ），在Ｆｅ基上制备了ＴｉＮ薄膜。通过划痕仪，透射电镜（ＴＥＭ），俄歇电子能谱（ＡＥＳ），粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组分和机械特性；发现ＴｉＮ膜与衬底之间存在一过渡区，膜中含氧量比气相真空沉积（ＣＶＤ）明显减小。在ＡＥＳ定量计算中，本文采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重叠现象     

Au表面MD膜的纳米摩擦特性的实验研究

利用原子力显微镜研究了不同类型金表面的纳米摩擦特性。结果表明,非活性端基修饰前后的阴离子化金表面和沉积单层分子沉积（ＭＤ）膜的金表面均有不同程度的润滑作用;而非活性端基修饰可以使其纳米摩擦特性稳定,并且可以显著降低摩擦力,这对于探索开发新型纳米尺度的薄膜润滑技术具有重要意义。     

磁透镜技术及其在沉积金刚石/类金刚石薄膜中的应用

阐明了磁透镜原理，依照磁透镜理论和几何光学理论，给出一种确定磁透镜位置的方法。并将磁透镜技术应用到直流等离子射流化学沉积金刚石薄膜／类金刚石薄膜装置中，很好地消除了边界效应，实现高速大面积沉积高纯度金刚石薄膜／类金刚石薄膜的目标。     

以PMMA为模板剂制备大孔ZrO2膜的研究

提高陶瓷膜孔隙率是高性能陶瓷膜制备的重要研究方面，有序大孔材料具有很高的孔隙率。以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为成孔模板剂，采用抽滤和重力沉积的组装方法制备了对称的大孔ZrO2膜。实验考察了制膜液的合成每件，通过调节模板剂和ZrO2粒子的电性制得了稳定的制膜液。同时用浸浆法在Al2O3多孔支撑体上制备了非对称大孔ZrO2膜。制得的对称大孔ZrO2膜的孔隙率达到了62％。扫描电子显微镜（SEM）照片显示制备出的ZrO2膜孔径均一，孔排列规则，具有很大的孔隙率。     

聚-氯对二甲基苯膜的制备与光学特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料，通过真空化学气相沉积法制备聚-氯对二甲基苯（Parylene C）膜，对该高分子膜材料的光学性能进行了研究。     

混合自组装膜的选择性解吸及聚吡咯的电化学沉积

采用交流阻抗和循环伏安法对十二硫醇和巯基乙酸不同比例的混合自组装膜解吸前后进行了比较研究，并利用解吸后的自组装模板电聚合吡咯。交流阻抗研究表明随着十二硫醇量的增大，交流阻抗高频区的半园直径不断增大，对应于电子转移电阻(Rc1)的增大；循环伏安研究表明不同比例的十二硫醇和巯基乙酸在组成自组装膜时形成几乎相同的一相，解吸时并不出现相分离，聚吡咯选择性地在解吸后的针孔缺陷中沉积，而得到图案化的自组装沉积表面。     

氮离子辅助沉积的羟基磷灰石膜的结构与电化学特性

通过用XRD，FTIR，EDAX和XPS等，对60keV的N离子束在钛合金表面辅助沉积的羟基磷灰石薄膜（HA）表征发现，膜呈非晶结构，膜中Ca/P比高达2．46，远高于HA原材料Ca/P比的数值1．67，沉积中出现C和O的污染，膜中引入了碳酸根基团CO^2-3，并产生了羟基（OH）的丢失，与已有的实验结果不同，实验中发现，这种N离子束辅助沉积的薄膜在Hanks溶液中的抗溶解特性，不是退火试样最好而是未退火状态的膜比前者理优，但它们二者的抗溶解特性又都比钛合金本身强，作者对所观察到的这种新现象作了讨论。     

麦尔多拉蓝的氧化电沉积及生成膜的电化学性质

利用电位扫描方法将麦尔多拉蓝沉积在玻在电极表面上,结果表明ＭＢ在碱性介质中发生电氧化聚合,而在酸介质中发生还原性沉积。ＭＢ聚合物膜具有氧化还原活性,在ＰＨ１－１２范围内其氧化还原电位Ｅ＾０ｔ与ＰＨ呈线性关系,斜率－４７ｍＶ／ＰＨ说明了４个电子和３个质子参与氧化还原反应。     

SiO2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜的影响

研究了SiO2纳米颗粒对电化学沉积半金属Bi膜沉积过程和膜形貌、结构的影响。利用I-V循环扫描曲线分析了未掺与掺入SiO2纳米颗粒后薄膜沉积过程的电化学特性，应用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对膜的微观表面形貌及相结构进行了表征。实验结果表明。加入SiO2纳米颗粒引起电沉积过程中还原电势向正电位方向移动，使Bi^3＋离子的还原沉积更容易，但不对Bi膜的溶解电位产生明显影响。加入SiO2纳米颗粒后能显著影响沉积膜的形貌，其有明显细化晶粒的效果。总之，SiO2纳米颗粒的加入及加入量显著影响Bi膜的电化学沉积过程和形貌、结构。