超亚遗传根的强半单类

本文引入了单遗传根,亚遗传根及超亚遗传根等几类新的根性.证明了单遗传环类,亚遗传环类及超亚遗传环类所确定的下根分别是单遗传根、亚遗传根及超亚遗传根;并且超亚遗传根的强半单环类作成根类,但未必是补根.     

关于一类环确定的上根

对环类Ｍ，用ＵＭ表示由Ｍ所确定的上根．若Ｍ中环都是有单位元的单环，则（ａ）ＵＭ是遗传根；（ｂ）对任意环Ｒ，ＵＭ（Ｒ）＝∩｛Ｉ：ＩＲ，Ｒ／Ｉ∈Ｍ｝．讨论了由亚直既约环类所确定的上根，给出了满足条件（ｂ）的上根的一些刻画     

单遗传根的几种刻划

一个根R称为单遗传根,如果对于任意的R-根环A及A的单环理想H,H也是R-根环。文[1]还证明了单遗传的弱超幂零根有补根,推广了Andrunakievich关于补根的几个结果。本文继续讨论单遗传根,给出了单遗传根的下根构造、上根刻划及模刻划。     

由环的周期性和Jacobson性质确定的根

给出了结合环的周期根的模刻画,证明环的Ｊａｃｏｂｓｏｎ性质确定一个遗传根性质,从而得到了一个新的根类ｊ。     

一类特殊根及其刻划

研究了任一个超幂零根为零的亚直不可约环所确定的环类 ,证明了由这样的环类所确定的上根都是特殊根 ,并且给出了这类根的一些刻划     

两非环的根与半单类

所谓两非环即非结合非分配的环,它最先由许永华教授所定义,并建立了它的一般理论.游宏对两非环的可解根做了进一步的研究.本文对两非环建立了 Kurosh 和 Amitsur 意义下的根类与半单类,分别给出它们的几个特征.     

遗传根性与强半单根性

本文主要论讨遗传根性与强半单根性,解决了SZASZ书中问题14,并给出了遗传根性是强半单根性的充要条件及环分解成根理想与半单理想的直和的n个等价条件。以下均作定A是结合环,但不必有单位元,R表示根性,R根环类也同样记为R。定义1 根性R为遗传根性,如果任意R环A的任意理想仍是R环。定义2 根性R称为强半单的,如果任一R半单环的同态象仍是R半单的     

关于p—adic数域的Galois—根扩张Ⅱ

本文讨论了两类ｐ－ａｄｉｃ数域上的根张问题,并分别确定了两类根扩张的次数所可能具有的形式。     

BCI-代数根的补根

讨论BCI-代数中根性的补根,证明了遗传根一定有补根,并给出了补根及P-半单代数的结构。     

在MHR—环类上与Jacobson根一致的根

文中给出了在MHR-环类上与Jacobson根弱一致、强一致的一般根;还给出了在MHR-环类上与Jacobson根强一致的遗传根和超幂零根。最后讨论了在MHR-环类上与Jacobson根一致的根与von Neumann正则根的关系。     

三类根式不等式的有理化与机器证明

研究了三类根式不等式的有理化与机器证明.首先给出了三类根式不等式成立的充分必要条件,即等价的有理不等式组.然后介绍了伴随多项式概念,并建立了一个算法Simplex M.Simplex M能够处理带有连结词∧(and)和∨(or)的多项式不等式组.最后给出了大量的应用实例,证实了这一方法的有效性.     

代数正规类的上根

利用Puczylowski建立的一般代数正规类的根理论,对任一个代数类K构造由K确定的上根UK及讨论UK的一些性质.       

强幂零根与半素模类

本文就Szasz在[1]中提出的第20个公开问题作了一些讨论,得到了强幂零根的若干结果,并利用半素模类对强幂零根作了刻划。     

具有三个单模的有限维遗传代数的Hochschild上同调群

计算代数的Hochschild上同调群是非常重要且复杂的,高维代数Hochschild上同调群维数的计算能否通过计算较低维代数的Hochschild上同调群的维数来实现是一个有趣的问题.本文利用有向图的顶点矩阵,通过计算二维代数的Hochschild上同调群的维数来计算具有三个单模的有限维遗传代数的Hochschild上同调群的维数.     

关于LAP晶体的分子基团和主要性能关系的研究

本文论述了探索紫外有机非线性光学晶体中关于分子基团选择和结构的基本原则;较详细地分析了 LAP 晶体中的分子基团及其排列方式,报道了 LAP晶体的一些主要性能参数,还对分子基团和晶体性能之间的关系进行了讨论。     

Density functional theory study of the reaction paths of reactions of CH_3C(O)O_2 radicals with HO_2 in the gas phase

Acetyl peroxyradicals play a major roleinthe at-mospheric degradation of organic compounds .In pol-luted atmospheres ,the reaction between CH3C(O)O2radical and NO2forms the well-known PAN(peroxy-acetyl nitrate , CH3C(O)OONO2) ,an i mportant or-ganic contributor to photochemical smog.Inless pol-luted atmospheres ,the reactions between CH3C(O)O2and HO2radicals become critical as NOxlevels maybe low[1 ,2]. Niki et al . were the first to examine thereactions of CH3C(O)O2with HO2radic…     

长寿命含氟聚合物自由基的研究

空气中受辐照氟聚合物内含氟自由基是过氧化自由基，在室温下能长时间生存，并且能引发接枝反应，显示这类含氟聚2合物自由基是一类长寿命的活性自由基。     

一种新的羟自由基生成方法及其在亚甲基蓝降解中的应用

对苯二甲酸是一种羟自由基捕获剂,它与羟自由基作用后生成有荧光的羟基对苯二甲酸,通过测定超声前后对苯二甲酸荧光强度的变化间接测定超声所产生的羟自由基的量.对时间、功率、pH等因素进行初步的研究,考察它们对超声产生羟基自由基的影响,发现超声时间越长、超声功率越大,产生的羟自由基的量越多,在超声时间为10min、超声功率为100W时250mL对苯二甲酸溶液中产生羟自由基浓度31.14μmol/L,且羟自由基产生量与时间呈现出一定的量化关系;此外,pH值对羟自由基的产生量影响不大.本方法可检测到超声产生的羟自由基最短时间为2min,最低检出限达到0.063μmol/L,稳定性好、操作简便,测定快速.采用超声处理亚甲基蓝溶液,亚甲基蓝逐渐被降解,进一步证实羟自由基的产生,为超声降解提供理论依据.