ZnO∶V~(3 )及CdS∶V~(3 )的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄｎ离子ｄ电子ｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥－ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ∶Ｖ３＋及ＣｄＳ∶Ｖ３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好     

ZnO:V3+及CdS:V3+的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄ＾ｎ离子ｄｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥＝ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ：Ｖ＾３＋及ＣｄＳ：Ｖ＾３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好。     

配体Br的SO耦合对CsCdBr3：Cr^3＋EPR的影响

本文用双自旋－轨道耦合模型研究了晶体ＣｓＣｄＢｒ３中掺杂Ｃｒ＾３＋离子的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。结果表明，配体Ｂｒ大的ＳＯ耦合作用和较强的共价性对络合物ＥＰＲ参量的影响不应忽略。     

Nd^3＋：Er^3＋：YAlO3激光晶体中的能级结构

利用晶体场理论和不可约张量方法,采用中间态耦合的的参数公式,对稀土离子能级精细结构及波函数进行理论计算,给出了Ｅｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋中重要稀土离子精细结构能级位置,实验上测定的５００￣９５０ｎｍ吸收光谱,获得了与理论相一致的精细结构能级,并讨论了新波长激光的产生机制。     

GdCo5和Gd^3＋离子的磁晶各向异性

本文采用点电荷模型，考虑过渡族离子和稀土离子对晶场势的贡献。以自旋轨道耦合与晶场势为微扰哈密顿量，计算了ＧｄＣｏ５中Ｇｄ＾３＋的基态分裂和磁晶各向异性常数，所得结论解释了ＧｄＣｏ５的磁晶各向异性。     

AgBr：V^2＋晶体中的V^2＋—VM四角中心局域结构的研究

采用同时考虑中心ｄ＾３离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型，通过计算ＥＰＲ参量Ｄ和ｇ因子，估算出ＡｇＢｒ：Ｖ＾２＋晶体中的Ｖ＾＋－ＶＭ四角中心的局域结构参量ΔＲ，并与只考虑中心ｄ＾３离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明，当配体含有大的旋轨耦合系数时，其以ＥＰＲ参量的贡献不能忽略。     

RbCdF3：Cr^3^＋的EPR 参量和Cd^2^＋空位研究

本文采用叠加模型和对角化哈密顿矩阵的方法，研究了ＲｂＣｄＦ３：Ｃｒ３＋晶体的电子顺磁共振（ＥＰＲ）参量Ｄ与Ｃｒ３＋－Ｖｃｄ中心结构参量的关系，在此基础上分析并计算了Ｃｄ２＋空位和由它产生的晶格畸变的晶体场，发现Ｃｄ２＋空位的贡献不可忽略，同时，得出（０，０，１）方向的下向中心Ｃｒ３＋离子移动△≈０．０５Ａ。     

等离子体吸收边对多层膜磁光克尔效应的影响

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ及Ｂｉ－ＹＩＧ薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致法拉第效应的两种电荷转移跃迁．Ｂｉ３＋离子的掺入，增大了跃迁的振子强度，Ｂｉ６ｐ与Ｆｅ３ｄ形成具有较大自旋－轨道相互作用的耦合轨道．它们是Ｂｉ－ＹＩＧ的法拉第旋转角增大的原因．     

高温超导材料的电子顺磁共振理论研究

为了合理解释含稀土离子的高温超导材料的电子顺磁共振谱,从晶体场理论出发,给出晶体材料中稀土离子的微扰公式,阐述了高温超导材料中稀土Kramers离子的自旋哈密顿参量理论,并计算给出了稀土离子Re3+ 的电子顺磁共振（electron paramagnetie resonance,EPR）参量g因子和超精细结构常数A。计算结果与实验谱线符合较好,说明所采用的微扰公式和理论处理方法是有效和合理的。研究表明,对高温超导材料中Re3+的自旋哈密顿参量进行精确解释,通常应该考虑到二阶微扰项的贡献。     

Mn^2＋离子在LiNbO3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了＾６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ。研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ＾２＋晶体中Ｍｎ＾２＋离子占Ｌｉ＾＋位，并且在Ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ＾２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１Ａ。本文结论与ＥＮＤＯＲ研究一致。     

CsMgCl_3:Ni~(2+)的光学及顺磁性质研究

本文利用 D_h 点群表象,建立了 d~8-C_(30) ~*的强场矩阵,进而从理论上计算出 CsMgCl_3:Ni~(2+)的吸收谱,零场分裂参量 D,g 因子,Zeeman 能量修正及顺磁共振条件等.计算结果和观测结果一致,从而解释了吸收谱及顺磁性质的起源.并讨论了激发态对基态的影响.     

Ni(mpz)_4I_2型化合物的光谱及EPR参量

本文利用d~8(D_4~*)全组态混合EPR理论,对Ni(mpz)。I:型化合物的吸收光谱、基态零场分裂参量D略及顺磁g因子进行了统一的理论计算,理论结果与实验值基本一致。分析表明,Ni(mpz)。12中Ni抖离子的环境配位构型明显偏离D。点群对称。     

Cs_2NaYbBr_6体系中 Yb~(3+)的能级计算

本文用等价算符法和不可约张量法,考虑~F_(7/2)与~2P_(5/2)的晶场相互作用,对Cs_2NaYbBr_6体系(O_h)中Yb~(3+)的实验能级进行了拟合计算,得到到晶场参数为B_(40)=1416 cm~(-1)、B_(60)=46cm~(-1),旋轨耦合参数ζ=2871 cm~(-1).同时,对计算结果进行了讨论.     

金属离子对细菌浸出复杂金属硫化矿的影响

研究了金属催化离子 Ag+ ,Hg2 + ,Bi3+对细菌浸出复杂金属硫化矿的影响。发现 Ag+能极大的提高金属浸出率 ,将 Cu的浸出率从 30 .2 7%提高到 99.99% ,钴的浸出率从 19.10 %提高到 31.79%。三种金属对 Cu浸出的影响大小顺序为 Ag+ >Hg2 + >Bi3+ ,对 Co浸出的影响大小顺序为 Ag+ >Bi3+ >Hg2 +。催化离子浸出效果的差异主要是由于催化离子毒性对细菌生长影响造成的。     

LCAO——晶场轨道理论

给出一种新的晶场模型即ＬＣＡＯ—晶场轨道理论．该理论包括了奇宇称晶场的贡献及作为特殊情况的强场近似、弱场近似等．作为例子，我们将该模型用于ＣａＦ２、ＳｒＦ２晶体中Ｃｅ３＋离子晶场能级计算，与弱场情况比较，结果有明显地改进．     

自旋—自旋相互作用对红宝石零场分裂的贡献

本文引入自旋－自旋相互作用，计算了红宝石等３种三角晶体中Ｃｒ＾３＋离子的零场分裂，理论计算与实验值一致，研究表明，自旋－自旋相互作用对三角晶场中ｄ＾３离子零场分裂的不应忽略。     

CsCrCl_3晶体的光谱研究

本文基于弱场图象，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法，建立了ｄ４（Ｃ＇３ｖ）离子含旋轨耦合作用的完全能量矩阵。借助此矩阵，利用完全能量矩阵的对角化方法，对ＣｓＣｒＣｌ３晶体的光谱进行了理论计算，其结果同实验结果很吻合。同时，本文从理论上证明了２３２２８ｃｍ（－１）、２３３１０ｃｍ（－１）这两条强谱线产生于双中心跃迁。     

Cs_2NaYX_6（X＝Cl，Br）中Cr~（3＋）的d－d电子光谱和EPRg因子的研究

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｓ＿２ＮａＹＸ＿６（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｃｒ￣３＋的ＥＰＲｇ因子。计算表明，配体Ｂｒ４ｐ轨道对络离子（ＣｒＢｒ＿６）￣３－ＰＲｇ因子的贡献不应忽略。解释了Ｃｓ＿２ＮａＹＢｒ＿６：Ｃｒ￣３＋的ｇ因子移动为正值的疑惑。     

ZnGa2Se4:V3+ 光谱的理论研究

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略.     

CdCl2:Co2+晶体中Co2+离子电子Raman谱

用晶场理论方法,采用点荷偶极模型,对ＣｄＣｌ２：Ｃｏ２＋晶体中Ｃｏ２＋离子的电子Ｒａｍａｎ谱进行了理论计算理论．计算的结果与实验符合得很好