声子色散对中耦合极化子的影响

本文用LLP方法研究中耦合极化子的基态能量,考虑光学声子的色散,得出中耦合极化子的自陷能和有效质量都因声子色散而增大的结论。     

极化子与声子色散

本文计及光学声子的能量随波矢的变化,在抛物线近似下,计算了极化子的基态能量和有效质量。发现:随着声子色散的加强,极化子的自陷能变大,有效质量亦随之增大。极性晶体中的电子和纵光学声子的作用系称为极化子,通常研究极化子时,为了简单起见,都把光学声子的频率看成常数,不考虑它随波矢的变化,这是个很强的近似     

激子与声子色散

通常研究激子时,将光学声子的频率视为常数,本文计及光学声子的能量随波矢的变化,导出了激子的有效哈密顿。发现激子的有效质量、自陷能以及电子—空穴有效作用势都与声子的色散有关、随着色散的增强,激子的有效质量增大,自陷的临界质量比范围变小,电子—空穴有效作用势的屏蔽半径变短。     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

极性晶体中三维和二维声学极化子自陷的有效质量特征

运用Huybrechts方法研究了三维和二维声学极化子有效质量作为电子-声子耦合参量的函数的变化特征.对二维声学极化子的研究,采用了我们最近导出的电子-声学声子相互作用哈密顿量.结果表明:电子-声子耦合达到一定强度时声学极化子有效质量发生突变而使极化子自陷,声学极化子在二维系统中比三维条件下更容易自陷.     

存在色散时表面极化子的基态能自陷能,重整化质量

存在色散时表面极化子的基态能自陷能，重整化质量陈国应，沈仲钧（大连大学工学院物理教研室大连１１６０２４）（华东师大物理系上海２０００６２）０引言自从黄昆研究离子晶体中光学支长波振动以来［２］，人们讨论ＬＯ声子与带电粒子相互作用时，一直将声子频率看成常...     

极性晶体中极化子的性质

本文研究极性晶体中极化子的性质，采用微扰法导出了极性晶体中极化子的基态能量和有效质量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对极化子性质的影响，结果表明．反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对极化子自陷能的影响随耦合常数的增加而增大。     

分数维方法研究有限深抛物量子阱中的极化子

采用分数维方法研究了有限深抛物量子阱中的极化子自陷能及其有效质量.得到在阱宽很小或很大时,极化子自陷能和有效质量趋向于三维体材料的情况;在量子阱分数维取极小值时,极化子的自陷能和有效质量取极大值.     

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子,对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．     

一维声学极化子自陷判据的重新确立

从描述一维晶格振动的"简谐近似"描述出发,考虑电子-声学声子的库伦型相互作用,从源头推导得到了新的描述一维电子-声学声子耦合的哈密顿量。采用类Huybrechts变分法讨论了一维声学极化子自陷的可能性。结果表明:一维声学极化子由自由态向自陷态转变对应的临界电子-声子耦合常数随声子截止波矢的增大而减小;一维声学极化子自陷比二维和三维情况要容易。     

压电晶体中表面极化子的性质

研究了压电晶体中表面极化子的性质．首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量，有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势，进而用变分法计算了表面态能量．研究结果指出：表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关，而且也与电子至表面的距离有关．随着电子远离晶体表面，有效势、有效质量逐渐减小．压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的，它使电子的能级降低，形成表面态．     

纳米线中声学极化子基态能量的求解

首先推导了纳米线中电子-声学声子相互作用的新哈密顿量,然后用Huybrechts变分法计算出了声学极化子的基态能量,并进一步讨论了纳米线中声学极化子自陷的判别标准.与前人研究成果对比发现,纳米线中声学极化子自陷的判别标准与一维声学极化子自陷的判别标准相当.     

单层石墨烯中声学极化子自陷的相关问题

研究了单层石墨烯中的电子-声学声子相互作用,并导出了单层石墨烯中声学极化子系统哈密顿量。利用极化子基态能量随电子-声学声子耦合常数的变化关系,研究了声学极化子在单层石墨烯的自陷转变。结果表明,在单层石墨烯中,靠近Dirac点的电子不能形成常规的极化子,进而在该点上也不能实现声学极化子的自陷转变。在Dirac点外,声学极化子的自陷情况与理想二维系统的理论描述相一致。     

二维声学极化子自陷判据的重新构建

从二维晶格振动的"简谐近似"的描述出发,考虑电子-声学声子的库伦型相互作用,从源头推导得到了新的描述二维电子-声学声子耦合的哈密顿量.采用类Huybrechts变分法讨论了二维声学极化子自陷的可能性.结果表明:二维声学极化子由自由态向自陷态转变对应的临界电子-声子耦合常数随声子截止波矢的增大而减小;二维声学极化子自陷比三维情况要容易.     

影响独立量子阱中声学极化子自陷转变的因素

利用Huybrechts变分法计算了独立量子阱中声学极化子基态能量及其数值导数随电子-声学声子耦合常数的变化关系,探讨了影响独立量子阱中声学极化子自陷的因素。得到了声学极化子自陷的判别标准随阱宽的增大而增大和CP值越小越有利于极化子发生自陷转变的结论。     

二维极化子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了极化晶体中二维极化子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

GaAs—GaAlAs量子阱中光极化子

本文计及子带跃迁和双声子过程,计算了限制在量子阱中光极化子能级,给出了自陷能和重正化质量数值计算结果,它是阱宽的函数.发现自陷能和有效质量在二维结果和三维结果之间,子带跃迁和双声子过程对自陷能的贡献不是很重要的.