电子通讯产品的ESD防护设计及方法浅析

在电子通讯产品的设计、试验、生产、调试、运行或维修过程中,由于静电放电(ESD),可能干扰产品的工作,引起产品电子元器件的损坏,导致产品故障甚至酿成严重事故,由此造成的损失是十分惊人的。所以,人们越来越重视对电子通讯产品的ESD防护设计。本文首先分析了ESD的危害,然后分析了目前一些ESD防护方案的缺陷,最后提出了新的ESD防护设计策略,并防护方法做了进一步分析。     

ESD的危害及防护技术

本文详细阐述了ESD的产生原理 ,介绍了ESD对于电子设备的危害和损坏方式 ,并由此深入探讨了ESD的防护措施和在电子设备设计过程中所使用的技巧     

ESD的危害及其防护

静电释放（ESD）是一种由静电源产生的电能进入电子组件后迅速放电的现象。静电敏感（ESDS）元件就是容易受此类高能放电影响的元件,它会因不正确的操作或处理而失效或发生元件性能的改变。本文从介绍了ESD的危害,深入分析ESD的成因,从而提出ESD损害的防护方法。     

电子设备中PCB板的抗ESD设计方法研究

在电子产品设计中必须遵循抗静电释放的设计规则，从静电释放(ESD)产生的原理、危害以及PCB板的抗ESD设计方法等方面讨论了PCB板设计中遇到的ESD问题及其解决方法．     

一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计

设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片,并通过TLP测试平台测得触发电压低于10V,二次击穿电流3.5A,达到设计要求.     

一种互补式LVTSCR的CMOS芯片ESD保护方法

为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构,给出了该结构横切面电路模型以及等效电路,分析了工作原理及可行性,并与现有的ESD保护结构进行对比分析,采用ISE-TCAD工具进行仿真实验.结果表明:该结构具有占用面积小,单位面积防护效率高的特性,可有效降低成本.     

油田自动化ESD系统及其应用

论述了油田自动化紧急关断系统(ESD)是油田自动化系统的一个重要组成部分,它可以避免和限制由于生产工艺故障或其它一些事故对工艺设备、生产系统、操作人员及环境的损害,保证生产系统能够在安全的条件下运行;介绍了油田自动化ESD系统的基本组成、国内外机构对ESD系统设计的一些标准和准则;针对油田自动化ESD系统的设计、选型提出了基本要求;给出了ESD系统在油田应用的实例。     

控制系统的静电放电抗扰度试验及其防护措施

本文综合分析了当前静电放电（ESD）抗扰度的研究现状,对国际电工委员会标准IEC 61000-4-2：2001推荐的静电放电抗扰度测试方法进行了探讨,从静电产生的原理上进行分析,选择和设计防护措施,为提高控制系统抗静电干扰能力的提供了理论依据     

聚合釜紧急停车系统改造

本文介绍了ESD系统基本结构及设计思路。介绍了聚合釜紧急停车系统的必要性、联锁条件和动作过程。ProSafe-RS构成ESD系统具有很高的可靠性,降低了设备误动作的概率,有效保证了装置长周期安全稳定运行。     

ESD在化工生产中的应用

论述自动化紧急停车系统(ESD)是化工自动化系统重要组成部分,它可以避免和限制由于工艺条件或者仪表故障及其它一些事故对工艺设备、生产系统、操作人员及环境的损害,保证生产系统能够在安全的条件下运行;介绍了我公司生产中ESD系统的基本组成、ESD系统设计的一些原则;给出了ESD系统应用的实例。     

电子装配过程静电防护及EPA管理分析

伴随着科技的发展,电子产品集成度越来越高,在电子原件的生产、集成过程中,面临静电的威胁也日益严峻,为了有效的避免静电对电子原件的损伤或损坏,延长产品使用寿命,提高成活率,静电的有效防护是关键所在.通过对静电产生的原理、放电模型、静电防护原则、静电的危害以及防护措施进行一一介绍,分析了电子装配过程防静电应采取的相关措施,以及后续生产过程中静电防护区域的管理维护和注意事项.     

静电对微电子产品的危害及防护原则

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电(ESD),在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂化,更易受ESD的攻击,电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低生产成本,提高产品质量,赢得用户信誉的必由之路。     

ESD防护器件测试系统性能研究

静电放电(ESD)的测试方法主要为人体模型(HBM)、人体-金属模型(BMM)和机器模型(MM)等,近年来传输线脉冲(TLP)测试方法得到广泛使用。基于TLP测试理论建立了ESD防护器件测试系统,并对测试系统的性能进行了测试研究。测试发现不同脉宽的测试方波对器件的峰值电流、峰值电流时间和箝位时间影响不大,但脉冲结束电流和箝位电压随着脉宽增大而减小,同时较长的传输线会产生较宽的延迟脉宽,对测试结果并未产生影响。     

漠—大线ESD控制系统的设计

ESD系统是长输管道自动化系统的重要组成部分,本文对漠大原油管道工程ESD系统、水击超前保护的设计进行了阐述。     

低电压ESD对2SC3356造成的事件相关潜在性失效

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的事件相关潜在性失效.从CB管脚对微波低噪声NPN晶体管2SC3356施加低电压人体模型(HBM)的ESD应力,发现,随着ESD应力次数的增加,器件的放大特性hFE逐渐退化,并且当电压达到一定水平,多次的ESD可以使器件失效.研究表明,低电压的ESD对器件造成的损伤具有潜在性和积累性.     

静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显.     

静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟

研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.     

提高自适应电缆均衡器噪声抑制性能的电路设计方法

均衡器直接连接到电缆，因此很容易受ESD、EMI／RFI和器件所产生的噪声影响，要设计一个高性能的系统必须克服这些影响。本文分析了降低自适应均衡器性能的主要因素，提出通过PCB设计、电路布局提高自适应均衡器性能的有效设计措施。     

微电子器件静电防护探讨

随着我国IT产业的迅速发展和技术水平不断提高,高分子材料、微电子器件广泛应用于各领域及其产品,静电放电损伤给企业造成了重大的危害,因此,静电防护受到企业的普遍重视。研究了微电子器件静电防护的相关内容,提出了静电防护措施,以期为相关工作者提供借鉴。     

继电隔离在ESD系统对现场控制盘逻辑控制中的应用

针对设备现场控制盘控制元件的故障造成的平台中控系统ESD数字量输出卡件Do点熔断器熔断故障现象,提出了在设计ESD系统Do对设备电气控制系统进行逻辑控制时增加继电隔离电路的方法来解决该问题。通过工程实例证明,该方法对保障中控设备运行安全具有很好的保护效果,可以推广应用。