OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究

本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。     

基于有限元方法的有机薄膜晶体管性能分析

有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)是一种以有机半导体材料作为有源层的晶体管,是有机电子学的重要研究内容之一。近年来,人们在实验的基础上得到了一些OTFT的基本特性。旨在从基本的物理模型和数学模型出发,通过有限元方法对顶栅底接触式的OTFT器件进行模拟,从而在理论上将OTFT器件的部分特性表征出来。经过模拟,可以看到OTFT器件的电位分布和载流子密度分布趋势与实验得到的特性基本一致,尤其是夹断现象的产生,与实际情况基本吻合。     

基于表面势的有机薄膜晶体管漏电流的解析模型

考虑到有机薄膜晶体管(OTFT)带隙中存在指数分布的陷阱态密度,提出了基于表面势的电流解析模型.在模型建立过程中,使用薄层电荷近似区分扩散电流和漂移电流;采用泰勒展开来实现表面势的解析求解,得到较高的求解精度.基于变程跳跃理论,即载流子在局域态之间的热激活特征的隧穿输运机理,解释了OTFT的转移特性和温度特性.模型计算...     

功能性有机晶体管研究取得系列进展

基于质量轻、材料来源广泛和成本低等优点,有机薄膜晶体管(OTFT)显示出了广阔的应用前景并成为国际上广泛关注的前沿领域。随着OTFT性能指标的不断攀升,多功能器件的构建逐渐成为该领域最为重要的发展方向之一。近年来,中国科学院化学研究所有机固体实验室的研究人员在多功能OTFT的制备和功能应用研究方面开展了系统的研究。前期研究中,他们与国内外科研人员合作,结合超薄器件的构筑、活性层的化学     

NO退火对并五苯有机薄膜晶体管特性的改善

采用N2和NO退火处理高温(1100℃)干氧氧化SiO2薄膜,并在高真空蒸发并五苯(Pentacene)有机半导体层制备了有机薄膜晶体管(OTFT).通过测量OTFT器件的输出特性、转移特性和通断比,分析N2和NO气体退火SiO2对OTFT器件性能的影响.结果表明:在NO气体中退火的器件有较好的阈值电压、亚阈斜率、通断比和较高的稳定性.     

热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响

采用阳极氧化法制备了Al_2O_3绝缘材料,并制备了以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT)。Al_2O_3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al_2O_3膜MIS结构电容—电压(C–V)特性的平带电压平移量数据表明,Al_2O_3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al_2O_3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al_2O_3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al_2O_3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。     

Ta2O5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响

以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.     

OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析

拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".     

复旦大学在揭示有机薄膜晶体管稳定性机理方面取得突破

正近日,复旦大学信息科学与工程学院仇志军副教授与刘冉教授领导的科研团队在揭示有机薄膜晶体管((OTFT)性能稳定性机制上取得突破性进展,提出了一种水氧电化学反应与有机薄膜载流子相互作用的统一理论模型,相关论文发表在1月27日出版的Nature Communications杂志上.水氧电化学反应与有机薄膜载流子相互作用模型见图.在大     

新型并三苯有机薄膜晶体管

以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层,分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT),经测试得出器件的电子迁移率为2.34×10-2 cm2/(V·s),跨导为0.49 μs.     

有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响

制备了顶接触的薄膜晶体管,实验中采用二氧化硅作为绝缘层,然后再依次真空蒸镀酞菁铜(CuPc)作为晶体管器件的有源层,金作为源漏电极。不同CuPc有机薄膜的厚度分别为15nm、40nm和80nm,制作成三种薄膜晶体管器件。实验证明,当有源层厚度为40nm时,能够获得最大的饱和电流和载流子迁移率。     

栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子注入的影响

采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.     

Postcranial evidence from early Homo from Dmanisi, Georgia

The Plio-Pleistocene site of Dmanisi, Georgia, has yielded a rich fossil and archaeological record documenting an early presence of the genus Homo outside Africa. Although the craniomandibular morphology of early Homo is well known as a result of finds from Dmanisi and African localities, data about its postcranial morphology are still relatively scarce. Here we describe newly excavated postcranial material from Dmanisi comprising a partial skeleton of an adolescent individual, associated with skull D2700/D2735, and the remains from three adult individuals. This material shows that the postcranial anatomy of the Dmanisi hominins has a surprising mosaic of primitive and derived features. The primitive features include a small body size, a low encephalization quotient and absence of humeral torsion; the derived features include modern-human-like body proportions and lower limb morphology indicative of the capability for long-distance travel. Thus, the earliest known hominins to have lived outside of Africa in the temperate zones of Eurasia did not yet display the full set of derived skeletal features.     

四川联合村金矿地质特征及成因探讨

四川联合村金矿是超微细粒浸染型金矿,矿床位于两个大地构造单元的断层接合部位,特殊的地质环境为矿床的形成提供了丰富的物源,形成了别具一格的矿床地质特征.笔者以地质观察和测试资料为依据,研究认为该矿床是以沉积地层为主要矿源层,以低温弱酸性强还原低盐度的混合流体为搬运介质、以断裂构造控制矿体就位的浅成低温热液矿床.总结的找矿标志对区内找矿具有指导意义.     

台湾海峡北部海区1998年2～3月温、盐的断面分布特征

根据１９９８年２～３月台湾海峡北部海区的ＣＴＤ资料,进行温、盐断面分布特征的分析,结果表明：在研究海区的西部,上层存在一支低温低盐的沿岸水,使得各断面中的等温线和等盐线均向岸下倾;在研究海区的东部,温、盐呈垂直均匀,而且具有高温高盐的特性．     

川东南地区灯影组储层特征及其控制因素研究

川东南地区灯影组是一套以潮坪相白云岩为主的地层,其储层主要分布在中、上部。通过对灯影组储层薄片观察及物性资料分析发现,储集空间主要为次生溶蚀孔、洞、缝,储层类型为低孔低渗的裂缝-孔洞型储层。储层发育受沉积相和成岩作用的双重影响,沉积相是储层形成的基础,成岩作用则决定了储层的储集性能好坏;压实作用、胶结作用、硅化作用是破坏孔隙的主要成岩作用,溶蚀作用(特别是表生期古喀斯特作用)、破裂作用是发育次生孔隙的主要成岩作用。     

Xiuyan crater,China: Impact origin confirmed

The well-preserved 1.8-km-diameter Xiuyan crater is located in the low mountain-hill region of the northern part of Liaodong Peninsula of northern China. Recently, a 307-m-deep borehole at the centre of crater became available. After penetrating 107 m lacustrine sediments, a breccia lens about 188 m in thickness was encountered. The crater-fill breccia is deposits of rock clasts and fragments more or less shock-metamorphosed. The features of geological structure and stratigraphic configuration within the crater, shock-melted rocks, and PDFs in quartz found in the basement rocks close to the crater rim and in the crater-fill breccia provide clear evidence for an impact origin of the Xiuyan crater.