用Mie散射研究Hg1-xCdxTe中沉淀物的消光光谱

用经典的理论计算了Te,HgTe和Hg_1-xCd_xTe的复折射率.采用气溶胶模型处理Hg_1-xCd_xTe中的Te和HgTe微沉淀物的消光作用,用Mie散射理论算出了各种大小的这些沉淀物在100K和300K时的消光光谱.     

扫描电子显微镜在红外探测器材料分析中的应用

用国产DX-3A型扫描电子显微镜分析红外探测器材料,可成功地检测线度10μm以下的碲镉汞中的富磅夹杂相和碲锡铅中的金属夹杂相.精密测量了Hg_1-xCd_xTe和Pb_1-xSn_xTe的微区组成,可分辨出△x/x>2%的横向组成不均匀性.也可相当精确地测量PbSnTe-PbTe异质外延层的厚度.     

汽相生长的碲锡铅单晶的质量评价

碲锡铅(Pb_1-xSn_xTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器.     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

K5Bi1-xErx(MoO4)4固溶体的晶体数据

用衍射仪和德拜-谢乐相机,Cu靶Ka辐射,收集了K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)的X射线粉末衍射图谱.K₅Bi_1-xEr_x(MoO₄)₄(x=0~1)在x的变化范围内是固溶体,它们属于三方晶系,空间群为五R3m,Z=1.5,K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄晶胞参数为:a=0.6020nm,c=2.0740nm.     

In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.     

InSb1-xBix的液相外延

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.     

Y-Gd-Ca-V-InIG系的磁性和穆斯堡尔效应的研究

本文实验研究了Y_1.2Gd_1.2Ca_0.6V_0.3In_xFe_4.7-xO₁₂(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V⁵⁺和In³⁺离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位.     

(Co0.95-xFe0.05Nbx)74B18Si8非晶合金的磁性和铁磁共振研究

本文用磁测量、差热分析等方法研究少量Nb对CoFeBSi非晶合金的影响.用铁磁共振方法研究表面磁各向异性及热处理对各向异性的影响.在(Co_0.95-xFe_0.05Nb_x)₇₄B₁₈Si₈非晶合金中,加入少量Nb(x=0,0.01,0.02,…0.06)以后,合金的晶化温度从560℃提高到595℃.非晶铁磁居里点从390℃降到240℃,饱和磁矩(σ_s)从74.5 G·cm³/g降到50.7 G·cm³/g(降低32%).     

(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究

研究了(ZnGeP₂)_1-x(GaP)_2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨.     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

磷砷化镓中氮和氧引起的深能级

用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175 ≤ x ≤ <0.8间氮能级随组分变化的方程式.     

In-Sb薄膜的相变和电学性质研究

本文研究了In_xSb_1-x(x=0.27~0.45)的溅射薄膜从非晶态到晶态的相变动态过程,及该系统薄膜在相变过程中电性质的变化,还讨论了非晶态In-Sb薄膜的结构变化与电性质的关系.     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.