一维囚禁电子相干态的绝热演化

研究了单个囚禁电子与外场绝热相互作用的量子系统.利用解析方法,得到了含时薛定谔方程的精确解,它描述了该量子系统一系列精确的压缩相干态.利用精确的量子态,计算了单电子的坐标、动量和能量期待值,展示了绝热因子对它们的影响,并讨论了如何通过对绝热参数的调制来实现对绝热量子态的控制.     

量子点中类氢离子杂质的某些精确解和微扰解

根据有效质量近似理论，采用无限深势阱模型研究了位于GaAs-Ga1-xAlxAs球形量子点中心的类氢离子杂质，讨论了量子点的囚禁作用对类氢离子杂质系统的能量和电子分布几率的影响，给出了某些波函数的有限形式的精确解，并考虑了系统与外加弱电场的相互作用，利用直接微扰法给出了一级修正波函数和二级能量修正。     

量子点超晶格中的电子输运

用递归格林函数方法研究了一种周期排列而成的量子点超晶格结构中的电子输运性质.计算结果表明,电导图谱及其共振峰的劈裂依赖于量子点的几何尺寸、量子点的数目及量子点中势的大小.     

Zigzag电极Armchair边缘石墨烯纳米带电子输运研究

利用基于密度泛函的非平衡格林函数方法,对Zigzag电极Armchair边缘的石墨烯纳米带的电子输运、态密度和V-I特性进行了理论计算,研究发现这一结构的纳米石墨烯带具有明显的半导体特征,其态密度与电子传输谱间具有较好的对应关系,电子传输谱与电子入射能量密切相关,并显现能级量子化和电子输运过程中的库仑阻塞特性.     

外磁场对海森堡磁流体的能量输运的影响

本文运用非平衡态统计算符方法,研究了海森堡磁流体的能量输运现象,讨论了外磁场对其能量输运的影响,并计算了海森堡模型磁流体系统在非均匀外场中能流的平均值．     

外磁场对偶极相互作用磁流体能量输运的影响

运用非平衡态统计算符方法,研究了偶极相互作用磁流体的能量输运现象,讨论了外磁场对其能量输运的影响,并计算了偶极相互作用模型磁流体系统在非均匀外场中能流的平均值.     

计及电子自旋与磁场耦合的超晶格共振劈裂

研究了零电场和正弦电场作用下的磁量子结构中自旋电子的隧穿输运特性，结果表明，自旋耦合使得共振劈裂区展宽或压缩，且沿能量轴移动，考虑自旋耦合和正弦电场作用后，不改变周期结构的n-1重劈裂和Fibonacci准周期结构的自相似的特性，磁量子结构的调制磁场方向改变也会引起弹道电导的改变。     

纳米电极与工件中Cr团簇的相互作用研究

在纳米电极对不锈钢工件进行超精细加工过程中,以工件中铬(Cr)原子为基构成Cr团簇,分别模拟了钨与镍纳米电极与Cr团簇间的电子透射加工过程,通过电子传导的量子计算方法,研究了电极与Cr团簇系统的能量、电子态密度、电子传输过程的隧穿。考虑到加工过程中电极的耗损使间隙发生变化,还研究了电极和Cr团簇间距离变化时对态密度和电子传输的影响。能量结果显示镍电极系统具有较高的能量,而钨电极系统的能隙比较小,但电子都具有很好的穿透性。电子态密度和电子透射结果说明钨电极与Cr团簇系统的电子态密度和电子传输都大于镍电极与Cr系统,并且具有量子传输特性。电极与Cr团簇间距改变与电子态密度和电子传输关系显示,其间距达到0.41 nm时,电子传输近乎截止,系统基本已经失去了电子透射和加工能力。     

半无限长电子波导量子输运问题的格林函数方法

在系统介绍晶格格林函数及其方法的基础上,具体研究了一半无限长电子波导的量子输运问题,并对所得结果的物理意义进行了讨论.     

AB环量子点结构的电子输运

用格林函数方法研究了嵌在介绍AB环一臂中量子点的电子输运性质，数值计算表明：沿着每一共振峰，其输运相位连续的增加π，在两共振峰间的某个位置，其输运相位突然减小π，从而每一共振峰具有相同的相行为，理论结果与实验观测较好的相符。     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．     

纳米分子器件量子传导中的Green''''s Function模型

将纳米分子器件的电极和分子本体作为一个系统,考虑到入射电子在原子电极和分子本体中的传导,在电极与分子之间界面上的透射的量子状态,在满足Fisher-Lee关系式的基础上,一个新型的Green’sFunction被设计出来。这一理论模型把三个区域上的不同量子状态完整地表达在一个方程式里,符合物理学基本原理,可以系统地用来研究纳米分子器件的量子传导特性。     

金属纳米线弯曲形状引起的量子电导相干振荡

利用自由电子模型和散射矩阵方法，研究两端直中间部分呈圆弧形弯曲的金属纳米线电导的量子相干振荡，发现低温下系统的电导在完全直金属纳米线电导常数下振荡，它起源于金属纳米线形状引起电子横向模式间的混合导致传导电子相干，这种效应在未来纳米电路工程设计中可能有重要应用价值。     

弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线电导

在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果表明,由于Dresselhaus自旋轨道耦合作用,系统量子化电导平台在子带边缘呈振荡特性,并依赖于自旋轨道耦合强度与电极中的传播通道数以及量子线长度.     

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

自由电子受激辐射的电子对量子理论

本文认为自由电子受激辐射来源于电子对的量子跃迁.计算了电子对的跃迁几率.给出了自由电子受激辐射产生条件.