电气石的化学成分与其晶格常数的关系

通过对来自新疆、云南、广西、内蒙古、越南和南非等地电气石的化学成分、X射线衍射的物相分析和晶格常数的测定,研究了电气石的化学成分和晶格常数的关系.分析认为,阳离子质量浓度与离子半径是影响电气石晶格常数的主要因素;Fe和Mg元素对电气石晶格常数有较大影响;随Fe或Mg元素含量增加,晶格常数增大.不同种类电气石的晶格常数有较大差异,电气石的外观色泽与晶格常数对应关系良好.     

稀土CeO2纳米固溶体粉末晶格常数与成分的关系

氧化物的晶格常数是材料研究和运用的一个重要参数. 从理论上预测氧化物固溶体的晶格常数是物理学家和材料学家从理论上研究物性参数的方法之一. 经研究, 推导出了计算立方CeO₂ 纳米固溶体晶格常数与固溶体成分关系的方程. 将理论计算纳米氧化物固溶体的晶格常数的方程用于CeO₂ - ZrO₂, CeO₂ - Bi₂O₃ , CeO₂ - La₂O₃, CeO₂ - ZrO₂ - ThO₂ 纳米固溶体晶格常数的计算, 发现晶格常数随固溶体成分变化与立方CeO₂纳米固溶体晶格常数实验结果基本一致, 误差不大于0. 3% , 1. 7%, 3. 4%, 0. 4%.     

稀土元素La、Nd和Eu对化学镀镍层结构与性能的影响

研究了三种稀土元素La、Nd和Eu对化学沉积镍镀层结构的影响,结果表明,各稀土元素使合金镀层中各物相的晶格常数与它们各自的标准样品的晶格常数相比均有所降低。根据Cauchy-Gauss规则,用X—衍射分析结果对合金镀层的晶格常数和显微应变进行计算,结果显示,稀土元素均使合金镀层中各物相的晶格常数降低,显微应变增加,但稀土元素浓度对不同物相的影响不同。     

SmMn2Ge2和GdMn2Ge2中的自发磁相变和场诱导的磁相变

在10～800K的温度范围内用X射线衍射方法测量了SmMn2和GdMn2Ge2的晶格常数与温度的变化关系．实验结果表明在各种类型的自发磁相变温度处观察到晶格常数的磁弹性异常现象;Mn-Mn间的交换相互作用能不仅与晶格常数a有关,而且与晶格常数c有关．此外,在27T的脉冲强磁场中测量了SmMn2Ge2及GdMn2Ge2的磁致伸缩,在这2种化合物中观察到了场诱导的一级磁相变．     

球团矿焙烧后晶格常数的变化规律及对抗压强度的影响

对球团矿配制成分及焙烧温度按正交设计，测定其晶格常数的变化规律，得到了宏观抗压强度与晶格常数变化的依赖关系。     

时效对微晶Al—Si系合金α—Al相晶格常数的影响

研究了时效对微晶态Ａｌ－Ｓｉ二元合金和Ａｌ－Ｓｉ－Ｆｅ－Ｃｕ－Ｍｇ多元合金相组成、基体α－Ａｌ相晶格常数的影响。结果表明：时效初期合金中第二相质量分数明显增加，时效一定时间后，第二相质量分数不再变化，而α－Ａｌ相晶格常数一直增大，直至超过纯铝晶格常数值；两种合金时效１００ｈ后，晶格常数趋于一致。     

SmMn2Ge2和GdMn2Ge2中的自发磁相变和场诱导的磁相变

在 1 0～ 80 0K的温度范围内用X射线衍射方法测量了SmMn2 Ge2 和GdMn2 Ge2 的晶格常数与温度的变化关系 .实验结果表明 :在各种类型的自发磁相变温度处观察到晶格常数的磁弹性异常现象 ;Mn Mn间的交换相互作用能不仅与晶格常数a有关 ,而且与晶格常数c有关 .此外 ,在 2 7T的脉冲强磁场中测量了SmMn2 Ge2 及GdMn2 Ge2 的磁致伸缩 ,在这 2种化合物中观察到了场诱导的一级磁相变 .     

ZnO晶体结构参数的第一性原理计算

采用ABINIT软件计算了在Troullier-Martins赝势条件下不同晶格常数的纤锌矿结构ZnO晶体总能,获得晶体总能与晶格常数关系的数据,根据能量最小原理,获得ZnO稳定结构的晶格常数为a0=3.201,c0=5.161,c/a=1.612;对数据通过Muranghan状态方程进行拟和得到弹性模量B0=168GPa,计算结果比较接近实验值.     

Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体,用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响,用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响。结果表明：当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相,晶格常数减小,Li 以替位的形式进入ZnO晶格。当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li 从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格。当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高,当x达到0.08时出现杂质第二相Li2CO3。Li 晶格占位对其磁性能具有重要影响。     

高温高压下CL-20的晶格参数和力学性能理论模拟（英文）

利用分子动力学结合COMPASS力场方法研究高能含能材料六硝基六氮杂异伍兹烷。模拟室温下ε晶相CL-20在0～10GPa压强区间,α晶相、β晶相和#晶相CL-20在0～20GPa压强区间的晶格参数和弹性常数。同时还模拟了室压下CL-20在100～500K温度区间的晶格参数和弹性常数。对于自然状态下最稳定的ε晶相CL-20,我们模拟得到的晶格常数、晶胞体积-压强关系和弹性常数理论结果和实验数据非常吻合。所以对其它晶相CL-20模拟结果的准确性提供了佐证。理论预测CL-20在不同温度和压强下的晶格常数和力学性能对于工程应用具有积极的指导意义。     

正方空气柱结构二维三角晶格光子晶体及其禁带特征

基于平面波展开法比较研究了空气圆柱三角晶格光子晶体和正方介质柱三角晶格光子晶体的禁带特征,提出了正方空气柱三角晶格光子晶体结构,并分析了相对介电常数对其禁带宽度的影响.结果表明:空气圆柱三角晶格光子晶体要比由同种介质材料构成的正方介质柱三角晶格光子晶体的完全禁带要大得多;对于正方空气柱三角晶格光子晶体,当相对介电常数εr>12.0时将出现双禁带,且当εr=19.0时两条禁带均达到最大值.     

LaNi_（5－x）Al_x贮氢合金的研究

用Ａｌ置换ＬａＮｉ５贮氢合金中部分Ｎｉ，得到一系列ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ（ｘ＝０．１，０．３，０．５）贮氢合金．通过对合金的热力学性能的测试可知：随着Ａｌ的加入及其含量的增加，贮氢合金的平台氢压降低，吸氢量有所减少，而吸氢速度有所增加．通过对合金及吸氢后氢化物品体结构的Ｘ射线衍射分析，发现Ａｌ的加入并未使晶体结构类型发生变化，只是晶格常数略有增加；同时还证明了ＬａＮｉ（５－ｘ）Ａｌｘ合金吸氢后其晶体结构也未发生变化，但晶格常数增加较大．     

介电常数对比度对光子晶体平带的影响

光子晶体是由不同介电常数材料构成的具有周期性空间排布的人工微结构.周期性调制的介电常数使得光子晶体呈现出各种各样的能带结构,其中平带因其无色散的特性引起了人们极大的关注.为了研究影响光子晶体平带的影响因素,以二维正方格子介质柱光子晶体为例,通过有限元方法,从数值上系统研究了构成光子晶体单元的两者材料的不同介电常数比值对光子晶体能带平整性的影响.研究结果表明,通过降低介质柱周围的介电常数可以获得较好的平带,从而为获得和进一步研究光子晶体近平带提供新的方法.     

用 x 射线衍射方法测定金属晶体结构

本文阐述用 x 射线衍射测定晶体结构的原理、方法和步骤.给出了铜的晶格常数的测定结果.实验表明;用 x 射线衍射方法测定晶体结构简便可靠.     

离子晶体晶格能的计算机辅助计算

指出了推导Ｍａｄｅｌｕｎｇ常数时出现的一种错误，这种错误普遍存留于当今有关晶体化学的利用数论和计算机技术给出了一种计算离子晶体晶格能的方法，并给出了实例．     

柱体截面不同三角晶格二维光子晶体完全带隙的研究

采用平面波展开法(PWM),研究以Ge为背景的空气柱构成的三角形结构二维光子晶体的带隙结构,考虑空气柱截面为圆形和六边形2种情况.结果表明:在介电常数和晶格常数不变的情况下,前者比后者更容易形成完全带隙,并且带隙宽度和相对带隙宽度也较大,前者完全带隙的最大宽度是后者的2.4倍,最大相对带隙宽度是后者的4倍.     

Al掺杂对ZnO薄膜晶体结构的影响

采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Al3 浓度增大时,晶体产生的张应力使晶格常数变大,衍射峰向小角度方向移动;相反,当Al3 浓度减小时,压应力使衍射峰向大角度方向移动.     

介质阻挡放电中一维等离子体光子晶体及其带隙特性

在双水电极大气压氩气介质阻挡放电中获得了一维可调等离子体光子晶体.通过类似于量子力学Kronig-Penney模型求解周期势的方法,求解Maxwell方程得到了一维等离子光子晶体的色散关系.结合实验数据,理论模拟了晶格常数、等离子体与介质的厚度比、电子密度等不同参数对等离子体光子晶体带隙的影响.结果表明:等离子体光子晶体晶格常数的增大导致能级位置降低,相速度减小;在相同的晶格常数下,等离子体填充比增大时,带隙位置将略有上升且光子带隙数目增加;当电子密度大于1020 m-3时,等离子体光子晶体具有显著禁带宽度.     

随机VQ与晶格VQ优劣之鉴

通过对随机VQ和晶格VQ优劣分析 ,得出随机VQ优于晶格VQ的结论 ,而晶格VQ仅仅在用于无记忆的、均匀分布的输入向量时 ,才是最优的     

一维花岗岩/丁腈橡胶声子晶体的带隙及其应用

 采用集中质量法计算了一维花岗岩/丁腈橡胶声子晶体的振动带隙,研究了集中质量数、晶格常数、组分比及丁腈橡胶的粘弹性对带隙的影响.结果表明,增加集中质量数能提高带隙精度,晶格常数及组分比对带隙结构有较大影响,而丁腈橡胶的粘弹性能增大带隙宽度.根据以上结论,对声子晶体的材料参数和结构参数进行了优化,设计出1种能屏蔽人耳最敏感的1.5~2.5 kHz噪声的一维声子晶体.