Synthesis of TiO2 supported on activated carbon by MOCVD： operation parameters study

The metallo-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique has been applied to the preparation of the photocatalyst titanium dioxide supported on activated carbon. The effects of various condition parameters such as carrier gas flow rate, source temperature and deposition temperature on the deposition rate were investigated. The maximum deposition rate of 8.2 mg/(g x h) was obtained under conditions of carrier gas flow rate of 400 ml/min, source temperature of 423 K and deposition temperature of 913 K. The deposition rate followed Arrhenius behavior at temperature of 753 K to 913 K, corresponding to activation energy E(a) of 51.09 kJ/mol. TiO(2) existed only in anatase phase when the deposition temperature was 773 K to 973 K. With increase of deposition temperature from 1073 K to 1273 K, the rutile content sharply increased from 7% to 70%. It was found that a deposition temperature of 773 K and a higher source temperature of 448 K resulted in finely dispersed TiO(2) particles, which were mainly in the range of 10-20 nm.     

湿度对矩形窄通道内细颗粒热泳沉积的影响

通过建立考虑空气含湿量影响的矩形窄通道模型,利用Fortran软件编程及Fluent软件模拟,研究了矩形窄通道内细颗粒的热泳沉积情况,提出了一种利用Fluent软件计算矩形窄通道内热泳沉积率的方法,并与Fortran编程的计算结果进行比较.结果表明,随着空气含湿量增大,热泳沉积率增加;在空气含湿量相同的条件下,热泳沉积率随着颗粒直径减小而增大,随着管道内压力增加而减少,随着温度梯度增大而增加;此外,不同粒子的热物性不同,导致其热泳沉积率不同;所提出的计算方法虽能够反映热泳沉积率随空气含湿量、颗粒直径和压力变化的规律,但其计算结果偏小,可采取增大管道内空气含湿量及减小管道内压力的措施来提高细颗粒的热泳沉积率.     

湿蒸气汽轮机叶栅通道内雾滴扩散沉积特性分析

引起湿蒸气汽轮机叶片侵蚀的大水滴是由于雾滴在汽轮机叶片表面上的扩散沉积而产生的．因此，雾滴扩散沉积率的大小对大水滴在湿蒸气中所占的比例及叶片的侵蚀速度有很大的影响．采用边界层内质量传递与动量传递的比拟理论及其半经验关系式，计算并分析了湿蒸气汽轮机叶栅通道内不同尺寸雾滴的扩散沉积特性，以及压力、汽流速度和叶栅节距等参数对扩散沉积率的影响．计算与分析的结果对汽轮机防蚀装置的设计具有一定的参考意义     

电镀方法制备锡铅焊料凸点

介绍了利用甲磺酸锡铅合金镀液制备电镀凸点的工艺过程,讨论了影响电镀质量的工艺参数：表面光亮度、分散及覆盖能力、沉积速率等．研究发现,电流密度Dk与最低搅拌转速密切相关．在相同的时间里,Dk越大,镀液的分散能力越稳定,合金的沉积速率也越高．在甲磺酸质量分数、Dk一定的条件下,适当地提高搅拌转速有利于改善凸点的电镀质量．对电镀凸点的剪切强度测试表明,电镀缺陷产生的微孔洞将会显著降低凸点的剪切强度．     

Ta种子层厚度及溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜各向异性磁电阻和矫顽力的影响

研究了Ta种子层的厚度、溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜各向异性磁电阻值(△p/p)、矫顽力和织构的影响.研究表明,适当的Ta层厚度和较高的Ta层溅射速率对提高Ta/Ni65Co35双层膜的△p/p是有效的.Ta种子层的使用增大了Ta/Ni65Co35双层膜的矫顽力而其溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜矫顽力的影响很小.     

甚高频对微晶硅薄膜微观结构的影响

系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数．在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显大于射频沉积速度,并且制备出的太阳能电池效率同样高于射频沉积．一般情况下,当沉积速率提高时,沉积薄膜中存在大量悬挂键和Si-2H键等缺陷,会大大降低材料的光电性能,同样也会降低太阳能电池的效率．在保证材料的光电性能的前提下提高沉积速度,沉积参数需要优化．在系列优化沉积参数后,微晶硅沉积速率达到0．75nm／s,在该沉积速率下,制备出的单结n—i—P结构的太阳能电池效率达到5．41％．     

直流磁控反应溅射制备Al2O3薄膜的工艺研究

应用直流磁控反应溅射技术在不锈钢基体上制备Al2O3薄膜,研究了溅射气压、氧气流量和基体温度对Al2O3薄膜的沉积速率和膜基结合力的影响规律。结果表明,随着压力的增大,沉积速率和膜基结合力先增大后减小,在压力为1.0 Pa时最大;随着氧气流量的增加,沉积速率和膜基结合力也随之不断减小;随着温度的升高,沉积速率和膜基结合力略有下降。利用扫描电子显微镜观察了薄膜与基体界面及薄膜的表面微观形貌,薄膜与基体的结合性好,薄膜表面晶粒大小均匀,组织致密。     

SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响

以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 ,但仍有较多的小晶粒存在     

nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性

利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6～7.0nm和晶化率为45%～48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.     

Fe-B合金化学沉积的影响因素分析

通过化学沉积法制备Fe-B化学镀层,用电化学方法分析了偶接铝、镀液组分和沉积工艺对Fe-B化学沉积行为的影响.结果表明,偶接铝使体系的沉积电位负移,降低了Fe-B合金化学沉积的极化阻力,特别是金属离子还原的极化阻力,从而诱导Fe-B的化学沉积.镀层的沉积速率依赖于镀液组分和沉积工艺.     

La掺杂对化学沉积ZnS薄膜影响的电化学研究

采用化学沉积法在导电玻璃上制备了ZnS及其La掺杂薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,并用CHI660B电化学综合分析测试仪对ZnS和La掺杂ZnS薄膜的沉积过程进行分析.结果表明,化学沉积法制备了致密的、由球状颗粒组成的ZnS薄膜,掺杂La后,由于电负性较低的La在电极表面的吸附,电位负移,沉积速率下降,薄膜颗粒尺寸增大.电化学方法为研究ZnS的化学沉积提供了有效的分析技术.     

化学镀CoB薄膜动力学参数的回归分析

根据化学镀CoB薄膜试验得到镀液中反应物浓度、pH值、温度以及对应沉积速率．利用回归分析法，建立一元线性回归处理的数学模型和多元线性回归处理的数学模型．实验数据的拟合程度用相关系数R与剩余方差S来表征，借助于计算机编程运算，求出回归系数的估计值b0-3、估计值的置信区间、残差r、残差的置信区间rint分别确定上述诸因素所对应的反应动力学参数，并求出镀液中反应物浓度、pH值、温度与对应沉积速率的对数关系曲线表达式，导得了镀液沉积速率的方程式．优化了实验方案，确定了镀液的构成和工艺条件，成功制备了性能良好的合金镀层．     

用PEM监控制备TiO_2薄膜及其光学性能的研究

使用金属钛作靶材,利用中频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜.为使反应溅射的工作点能够稳定在"过渡区",使薄膜获得理想的化学配比和较高的沉积速率,使用了等离子体发射光谱监控法(PEM)对溅射过程进行控制.利用台阶仪测膜厚,用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计以及光学薄膜测试分析仪等手段对TiO2薄膜的结构以及光学性能进行表征,研究了不同工艺条件对薄膜结构和光学性能的影响.结果表明,较高的PEM工作点下制备的TiO2薄膜具有较高的折射率,使用PEM控制的中频反应磁控溅射方法可以制备出性能良好的TiO2光学薄膜.     

电化学分析法研究化学镀镍的沉积速度

实验采用电化学分析法研究化学镀镍的沉积速度。通过分别测定含有不同添加剂的化学镀镍反应过程的极化曲线 ,确定电化学参数变化对化学镀镍沉积速度的影响。结果表明 :电化学分析法可以直接用来分析化学镀镍的沉积速度。添加剂的加入对化学镀镍反应的主要控制步骤还原剂的阳极氧化过程的影响比较明显 ,阳极氧化电流越大 ,氧化反应速度越大 ,化学镀镍的沉积速度越快。电化学分析法为化学镀镍提供了一种较新的研究方法。     

钢表面化学气相沉积碳化钛

采用化学气相沉积（CVD）法，以TiCl4-CH4-H2为原料气体，在不锈钢表面获得了致密的碳化钛(TiC)膜，研究了TiC的成膜速度、表面形貌和日本择优取向与沉积条件的关系。结果表明，沉积温度Taep、碳钛比CH4／TiCl4强烈的影响TiC的成膜速度、表面形貌和晶体择优取向。CH4／TiCl4低时，TiC晶体的择优取向为（220）；CH4／TiCl4高时，TiC晶体的择优取向为（200）。气氛中活性碳的平衡浓度是决定碳化钛的表达形貌、晶体择优取向的主要因素。     

利用Monte Carlo算法对薄膜生长过程的计算机模拟

用Monte Carlo方法以Cu为例对薄膜生长过程进行计算机模拟．不仅对原子的吸附、迁移及脱附3种过程采用更为合理的模型，还考虑这些过程发生时对近邻原子的连带效应．在合理选择原子间相互作用势计算方法的基础上．改进了原子迁移激活能的计算方法．计算了表征薄膜生长表面形貌的表面粗糙度和表征薄膜内部晶格完整性的相对密度．结果表明，在一定的原子入射率下，表面粗糙度和相对密度的变化存在一个临界温度．随着衬底温度的升高．表面粗糙度减小，膜的相对密度增大．当达到临界温度时，粗糙度随衬底温度的升高开始增大，而相对密度趋于饱和．临界温度随原子入射率的增大而增大，不同温度下原子入射率对粗糙度的影响不同，在较低温度时粗糙度随入射率的增加而增加，在较高温度时粗糙度随入射率增大而减小．同时发现．随入射率的增大或薄膜厚度的增加，相对密度均逐渐减小。     

低温下超薄膜分形生长的Monte-Carlo模拟

用 Monte-Carlo方法模拟了不同沉积速率下超薄膜中多粒子扩散、多中心生长的动力学过程。成核率随沉积速率的增大呈指数上升 ,成核率随时间的增大而迅速下降 ;对于确定的沉积速率 ,各个粒子在衬底上的扩散步数相差非常大 ;粒子按扩散步数的分步具有多重分形的特性。     

机械研磨化学复合镀Ni-P-Al2O3工艺

采用机械研磨化学复合镀工艺在模具锌合金表面获得Ni-P-Al2O3复合镀层,研究镀液成分、纳米Al2O3加入量和工艺条件对镀速的影响.结果表明:硫酸镍、次亚磷酸钠和纳米Al2O3在镀液中的含量均存在极限值,超过极限值后镀速开始下降;在镀液不发生分解时,pH值和温度的提高使镀速迅速上升;机械研磨使镀速显著减小,但玻璃球直径大小对镀速影响不大.优化工艺条件下镀速可达12～13μm/h,在此工艺下获得的镀层硬度高、耐蚀性好.     

化学气相沉积金刚石薄膜的表面过程

采用简单表面反应模式，对化学气相沉积金刚石薄膜的表面动力学过程进行了研究，得到了金刚石薄膜的沉积速率公式，揭示了影响薄膜生长的因素并由此讨论了金刚石薄膜生长的机制和规律。     

平行圆板型PCVD质量转换过程动力学研究

本文对平行圆板型装置中等离子体化学汽相沉积(PCVD)质量转换过程,提出了一种数学描述方法.文中通过数值计算,主要讨论了活性粒子的产生频率、活性粒子沉积速率的径向分布及沉积速率与过程参量(如系统内气压、气体流速等)的相互关系,并对部分结果进行了理论分析.