硫化镉纳米材料对罗丹明B溶液的光催化降解性能

以氯化镉和硫脲为原料,以乙二胺和水为混合溶剂,采用溶剂热合成方法,在120oC和12h条件下,制得了六方相硫化镉样品,对其进行了XRD和TEM表征。以罗丹明B的降解为模型反应,对硫化镉纳米材料的光催化性能进行了研究,讨论了硫化镉的用量、降解体系的酸度及光源类型等因素对降解效果的影响。随着降解体系酸度的增加,硫化镉对罗丹明B溶液的光催化降解效果呈增大的趋势;太阳光照射下,罗丹明B溶液的降解效果好于250 W汞灯照射时的降解效果。     

石蜡油中硫化镉纳米颗粒原位合成及摩擦学性能

采用原位合成法合成了硫化镉纳米微粒,通过静置及高低速离心测试,证明了硫化镉纳米微粒在基础油石蜡中具有良好的分散稳定性.TEM研究表明:合成的纳米颗粒粒径约为16 nm.通过FT-IR表征合成样品,发现油酸分子—COOH部分和硫化镉表面发生了化学性吸附,增强了硫化镉纳米微粒在基础油中的油溶性.用四球摩擦机考察了含硫化镉颗粒的基础油的摩擦学性能,发现添加有油酸修饰的硫化镉纳米颗粒具有显著的抗磨减摩效果.     

立方相硫化镉纳米材料的制备与光催化性能研究

近年来,随着纺织业的迅速发展,染料废水已成为水体的重要污染源之一,废水处理问题引起了人们的广泛关注.本文利用氯化镉和硫化钠为原料,利用水热合成方法制备了立方CdS纳米材料.对样品进行了X射线粉末衍射（XRD）和透射电镜（TEM）测试,分析了CdS样品对罗丹明B溶液的光催化降解效果.实验结果表明,聚乙二醇的加入影响着硫化镉的分散程度和形貌,进而影响硫化镉的光催化活性;降解体系的pH值对罗丹明B的降解效果有较大影响.     

纳米CdS合成方法及应用研究进展

硫化镉作为一种重要的纳米半导体材料,在光吸收、光催化和传感器等方面有着广泛的应用.文章主要介绍了纳米硫化镉的合成方法及优缺点,并对纳米硫化镉的应用进行了综述.     

TiO_2纳米材料的可控合成方法研究进展

TiO2纳米材料的合成方法,按照反应物系的物理形态来分,可以分为固相法、气相法和液相法.着重讨论了液相合成方法的研究进展,对TiO2纳米材料的合成新方法给予了重点关注.     

基于电导法结合热力学理论研究球状纳米硫化镉热力学性质的尺寸效应和温度效应

表面结构对纳米粒子的物理和化学性质是至关重要的,为了设计出具有理想表面性能的纳米材料,需要精确的表面热力学参数来确定纳米粒子的构效关系.通过微乳法合成5种粒度在32～119 nm球状硫化镉(Cd S),利用溶解热力学原理及热力学基本理论,通过实验获取了不同尺寸纳米Cd S的溶解热力学函数,建立不同尺寸纳米球摩尔表面热力学和偏摩尔表面热力学模型理论,结合纳米和块体材料性质差异和热化学循环理论,推导出摩尔表面热力学函数、摩尔表面热容,分析讨论了硫化镉纳米球热力学性质的尺寸及温度效应的规律和原因.     

硫化镉,纳米硫化锌,硫化汞,氧化汞的合成

本文在室温固相化学反应法的基础上使用了表面活性剂,使合面条件降低,合成方法完善.在温和的条件下,制备出了粒度小于100纳米的硫化镉、硫化锌、硫化汞、氧化汞.     

金属及半导体纳米颗粒膜的合成与应用

本文以金属银和丰导体硫化镉内米颗粒膜的合成为例,综述了纳米膜的合成方法,各种方法的特点及纳米颗粒膜的应用前景。     

水热合成条件对纳米ZnTe结构的影响

用Zn粉和Te粉为原材料,利用水热合成法在不同条件下合成出不同结构的ZnTe纳米材料。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对合成的ZnTe纳米材料进行了表征,研究了合成条件对纳米ZnTe结构的影响。结果表明,在无机NaOH溶液中易形成ZnTe纳米晶体颗粒,而在有机水合肼溶液中易形成非晶ZnTe纳米片或纳米线,非晶ZnTe纳米材料通过退火处理很容易地转化成晶体纳米材料。研究结果丰富了ZnTe纳米材料的合成知识。并为ZnTe纳米材料的应用研究奠定了基础。     

ZnO一维纳米材料的合成方法及其应用研究

ZnO一维纳米材料具有特殊的结构与物理性能,其成功合成不仅为人们探索小尺度材料的量子效应及开发纳米光电器件提供宝贵的研究材料,也蕴含着巨大的应用前景.对ZnO一维纳米材料的合成方法及应用进行了阐述,针对目前ZnO一维纳米材料的合成工艺,选取催化生长法、水热法和化学溶液沉积法这3种常用方法进行分析和对比,研究了这3种方法合成样品的实验结果,总结了生长ZnO一维纳米材料的实验工艺.同时,也对其应用进行探讨并举例研究.     

Synthesis of CdS nanowires on Cd foil and their photoluminescence properties

Cadmium sulfide(CdS) nanowires were synthesized on Cd foil via a simple solvothermal reaction at 180 ℃ using thiosemicarbazide as the sulfide source and ethylenediamine as the solvent.The CdS nanowires are hexagonal-phase single crystals with an average diameter of 50 nm and length of several microns.The as-prepared CdS nanowires show an absorption peak of around 483 nm in the absorption spectrum.The CdS nanowires exhibit bright photoluminescence(PL) with two distinct emission bands at 503 nm and 697 nm,which shows that the as-prepared CdS nanowires are high-quality nanocrystals.     

CdS修饰低密度TiO2纳米棒阵列复合膜的制备及光电性能

为了提高CdS光敏层在TiO₂一维纳米棒阵列中的填充率,在TiO₂种子层的基础上,采用水热法于FTO导电玻璃表面生长了棒长较短、棒间距较大的低密度TiO₂一维纳米棒阵列膜,通过化学浴沉积在TiO₂纳米棒表面包覆CdS种子层,以此为基底采用水热法于TiO₂一维纳米阵列中生长CdS光敏层。采用SEM,XRD及紫外-可见吸收光谱对不同CdS水热生长时间的TiO₂/CdS复合膜结构进行了表征,并对其光电性能进行了研究。结果表明,低密度TiO₂纳米棒阵列有利于CdS生长液在阵列中渗入形成完全包覆的CdS种子层,CdS光敏层通过水热过程在整个TiO₂纳米棒表面均匀生长,逐渐形成CdS对TiO₂纳米棒阵列的完全填充和包覆,并在阵列顶端形成由CdS纳米短棒组成的花状修饰层;CdS的修饰将TiO₂一维纳米阵列膜的光吸收拓展至可见光区,水热生长7 h所得到的TiO₂/CdS复合膜具有最高光电流。所制备的CdS修饰低密度TiO₂纳米棒复合膜在太阳电池器件中具有很好的应用前景。     

高温煅烧硫化镉光解水制氢

沉淀法制备的硫化镉经不同温度煅烧处理获得不同相的硫化镉光催化剂,采用X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱表征催化剂的结构和性质.以制备的硫化镉粉体作为光催化剂,在存在空穴牺牲剂的条件下进行光解水制氢实验,研究了硫化镉晶体的相组成、牺牲剂种类和助催化剂的担载量对其光解水活性的影响.结果表明,400℃下焙烧的硫化镉具有最好的催化活性,乳酸作为牺牲剂更有利于硫化镉光解水制氢,助催化剂(铂)的担载量为0.1%时,硫化镉具有最高的光催化活性.     

Photocatalytic activity of TiO<Subscript>2</Subscript> sensitized by CdS quantum dots under visible-light irradiation

In this paper, CdS quantum dots sensitized TiO2 composite powders (QD-CdS/TiO2) were synthesized by impregnating TiO2 powder into CdS sol with different concentrations. X-ray diffraction pattern (XRD) shows the crystal structures of CdS and TiO2 are cubic phase and anatase phase separately in QD- CdS/TiO2 powder samples; the crystal size of CdS in QD- CdS/TiO2 is about 3-7 nm, while TiO2 crystal size is about 20 nm. With increasing CdS content in QD-CdS/TiO2 composite, the UV-Vis absorption spectrum shifted to the longer wavelength lines, exhibiting obvious quantum size effect. The fluorescence intensity of QD-CdS/TiO2 irradiated by blue light is weaker than that of pure CdS. When the molar ratio of CdS and TiO2 is about 1∶2, the QD-CdS/TiO2 powder has the best catalytic properties under visible-light irradiation, and the degradation rate of rhodamine B (RhB) is up to 92.2% within 60 min.     

半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散关系和电声相互作用的耦合强度进行了数值计算,结果发现在5层球形异质结中,存在着7支光学界面声子,但仅有一支界面声子对电声相互作用的耦合强度具有重要的影响.     

Photo-improved hydrogen evolution reaction activity of the Pt/CdS electrocatalyst

The effect of CdS content on the photo-induced improvement of hydrogen evolution reaction activity of the Pt/CdS electrocatalyst was investigated. Although the electrons transferred from CdS to Pt in the Pt/CdS electrocatalyst increased with the CdS content under illumination, the electrochemical active surface area of the Pt/CdS electrocatalyst decreased with the CdS content, resulting that the photo-induced improvement of hydrogen evolution reaction activity of the Pt/CdS electrocatalyst decreased with the CdS content.     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .     

物理热蒸发法制备CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带

利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”；CdS纳米带的生长过程为气一目过程．     

CdS薄膜/p-Si异质结的制备及其光伏性能研究

采用喷雾热解法在p型单晶硅(Si)上制备了硫化镉(CdS)薄膜,分支结构的金属Au作为正电极、金属铟作为背电极构成CdS薄膜/Si异质结光电器件.采用X-射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对样品的晶体微结构及表面形貌进行表征,并通过紫外可见光谱研究CdS薄膜的光学吸收性能.最后,通过数字源表Keithley2400和高精度数字电桥TH2828测试异质结器件在不同光照强度(10、20、30、75、100、150 mW?cm^-2)下的伏安特性、光电导率和交流阻抗.     

空心CdS纳米晶的合成及发光性能研究

以氯化镉和硫化钠为原料,在水相体系中合成CdS纳米晶,通过透射电子显微镜观察发现,在100℃下合成的CdS纳米晶具有空心结构,粒径为20～30nm,且壁厚均匀,约为3～5nm;在70℃下合成的CdS纳米晶为实心结构,粒径约为20nm,存在较严重的团聚现象.紫外-可见吸收光谱表明：空心CdS纳米晶的吸收波长与实心CdS纳米晶相比蓝移136.74nm,这表明其禁带宽度增大0.11eV.光致发光光谱表明：空心CdS纳米晶的表面缺陷态发射较实心CdS纳米晶有所增强,这是其存在内表面的结果.