CdSSe半导体纳米晶体的实验研究

用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25~2.58 nm之间.     

玻璃中CdSSe量子点的制备及尺寸研究

用两步退火法在玻璃基体中制备了CdSSe半导体量子点 ,并测量了它的室温吸收光谱 .根据吸收谱的基态能与量子点尺寸的关系 ,用有效质量近似模型计算了量子点的平均尺寸 ,其结果与透射电镜观测值较好符合 .     

钇在高压下的弹性性质和相稳定性研究

运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对钇的3种结构相(体心立方bcc、面心立方fcc和六角密排堆积hcp)的总能和电子结构进行计算,得到了hcp结构的状态方程、价电子分布情况以及各种相在不同压力下的弹性常数和体模量,结果表明理论计算与实验值吻合得很好,比用局域密度近似(LDA)方法有了很大的改善.此外,还发现hcp相在加压到40GPa时发生相变,fcc是稳定的相.     

高压偏振.低浊吸收光谱仪及实验研究

本文介绍了“高压偏振低温吸收光谱仪”的性能、特点、技术指标及实验研究情况，用该谱仪对各种不同样品的测试看出：可以很好地分辨出掺钕ＹＡＧ晶晶体相邻的几个窄峰；红宝石的双峰也能很发分辨出来；铌酸锂晶体在⊥Ｃ轴方向和∥Ｃ轴方向的偏振谱也能得到很的区分。     

CdS0.1Se0.9半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ的纳米晶体,其平均尺寸随退火时间的增加而增大。从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从５．６１ｎｍ减小到４．６９ｎｍ时,其吸收边高能方向移动了０．０８９ｅＶ。     

无磁性HCP相铁在高压下的弹性性质计算

采用量子力学第一性原理出发的平面波赝势(PWP)方法,电子交换关联能采用广义梯度近似(GGA),在不引入实验参量的条件下,通过对无磁性HCP(广角密堆积)相的铁的总能进行从头计算,得到了无磁性HCP相铁的状态方程、不同压力下(0～500GPa)体系在平衡态时晶格常数c与a的比值以及不同压力下弹性系数、体变模量和声速的值,与实验符合较好,优于其它从头计算法得到的结果.说明了PWP加GGA方法在对无磁性HCP相铁作计算时的有效性.     

高压偏振·低温吸收光谱仪及实验研究

本文介绍了＂高压偏振低温吸收光谱仪＂的性能、特点、技术指标及实验研究情况．用该谱仪对各种不同样品的测试看出：可以很好地分辨出掺钕ＹＡＧ晶体相邻的几个窄峰（如７３５１Ａ和７３６３Ａ双峰）；红宝石的双峰（６９３０Ａ和６９４３Ａ）也能很好分辨出来；铌酸锂晶体在⊥Ｃ轴方向和∥Ｃ轴方向的偏振谱也能得到很好的区分．实验表明，该谱仪既可以对各种固体样品进行高压低温的实验研究，也可用于固体物理的实验教学。     

LiNbO_3：Fe~（3＋1）晶体中Fe~（3＋）离子的发射光谱研究

在１００００～４００００ｃｍ－１范围内，观测得ＬｉＮｂＯ３晶体掺Ｆｅ３＋离子的发射光谱与赵等的理论预言基本一致，从而证明了Ｆｅ３＋离子杂质在ＬｉＮｂＯ３中取代Ｎｂ５＋离子。     

LiNbO3：Fe^3＋晶体中Fe^3＋离子的发射光谱研究

在１００００￣４００００ｃｍ＾－１范围内，观测得ＬｉＮｂＯ３晶体掺Ｆｅ＾３＋离子的发射光谱与赵等的理论预言基本一致，从而证明了Ｆｅ＾３＋离子杂质在ＬｉＮｂＯ３中取代Ｎｂ＾５＋离子。     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .