稀土固体超强酸SO2-4/TiO2/La3+催化合成苯乙酸丁酯

研究了以固体超强酸SO24-/TiO2/La3+为催化剂,苯乙酸和正丁醇为原料合成苯乙酸丁酯,并考察了影响反应的因素.结果表明,醇酸比为2.01,催化剂用量为2%(苯乙酸为0.2mol的情况下),带水剂甲苯为15mL,反应时间为3.0h是最适宜的反应条件,酯化率达98.5%.     

稀土固体超强酸SO24-/TiO2/La3+催化合成苯乙酸丁酯

研究了以固体超强酸SO24-/TiO2/La3+为催化剂,苯乙酸和正丁醇为原料合成苯乙酸丁酯,并考察了影响反应的因素.结果表明,醇酸比为2.0:1,催化剂用量为2%(苯乙酸为0.2 mol的情况下),带水剂甲苯为15 mL,反应时间为3.0 h是最适宜的反应条件,酯化率达98.5%.     

固体超强酸TiO_2/SO_4~(2-)催化合成己酸异戊酯

研究了以固体超强酸 Ti O2 / SO2 - 4 为催化剂 ,己酸和异戊醇为原料合成己酸异戊酯 ,并考察了影响反应的因素 .结果表明 ,醇酸比为 1 .8∶ 1 ,催化剂用量为 2 .0 g,带水剂甲苯为 1 5m L,反应时间为 2 .0 h,反应温度 1 1 0～1 4 0℃是最适宜的反应条件 ,酯化率达 97.8% .     

固体超强酸TiO_2/SO_4~(2-)催化合成丁酸丁酯

研究了以固体超强酸 Ti O2 /SO2 -4为催化剂 ,丁酸和正丁醇为原料合成丁酸丁酯 ,并考察了影响反应的因素 .结果表明 :醇酸比为 1.8∶ 1,催化剂用量为 2 .0 g,带水剂甲苯为 15m L,反应时间为 2 .0 h是最适宜的反应条件 ,酯化率达 97.4 %     

稀土固体超强酸SO_4~(2-)/TiO_2/La~(3+)催化合成癸二酸二丁酯

研究了以稀土固体超强酸 SO2 - 4/Ti O2 /La3+为催化剂 ,癸二酸和正丁醇为原料合成癸二酸二丁酯 ,并考察了影响反应的因素。结果表明 ,醇酸量的比值为 4.0 ,催化剂用量为 1.0 g,带水剂甲苯为 15 m L (癸二酸为 0 .1mol的情况下 ) ,反应时间为 3 .0 h,反应温度为 110～ 14 0℃是最适宜的反应条件 ,酯化率达 98.0 %。     

稀土固体超强酸SO_4~(2-)/TiO_2/La~(3 )催化合成己酸异戊酯

研究了以固体超强酸SO2 - 4/TiO2 /La3 为催化剂 ,己酸和异戊醇为原料合成己酸异戊酯 ,并考察了影响反应的因素。结果表明 ,醇酸摩尔比为 1 .8∶1 ,催化剂用量为 0 .5g(己酸为0 .2mol的情况下 ) ,带水剂甲苯为 1 5ml,反应时间为 2 .0h是最适宜的反应条件 ,酯化率达98.5%.     

复合型固体超强酸SO_4~(2-)/Al_2(Fe_2O_4)_3催化合成环己烯

应用新型复合型固体催化剂 SO4 2 - /Al2 (Fe2 O4 ) 3作为环己醇的脱水剂 ,成功地制备了环己烯 ,并对催化剂用量 ,反应温度和反应时间的影响进行了探讨 ,实验结果表明 :SO4 2 - /Al2 (Fe2 O4 ) 3是环己醇脱水制备环己烯的良好催化剂 ,且反应时间短 ,后处理容易 ,催化剂用量少 ,可重复使用 ,收率高。脱水反应的最佳工艺条件为 :催化剂用量为环己醇质量的 6% ,反应温度为 1 5 0℃ ,Al/Fe=1 :2 (摩尔比 ) ,反应时间为 0 .9h     

TiSiW_(12)O_(40)/TiO_2催化合成丁酸正丙酯

首次以固载杂多酸盐 Ti Si W12 O4 0 / Ti O2 为多相催化剂 ,通过正丁酸和正丙醇反应合成了丁酸正丙酯 ,并探讨了诸因素对酯化率的影响。实验表明 :Ti Si W12 O4 0 / Ti O2 具有良好的催化活性 ,醇酸物质量之比为 1 .4∶ 1 ,催化剂用量为反应物料总量的 2 .0 % ,反应时间 2 .0 h,反应温度 1 0 6～ 1 1 2℃ ,酯化率可达 98.3 %。     

Co掺杂MoS2/石墨烯的制备及其析氢性能研究

通过丁基锂插层剥离MoS_2,得到少层MoS_2,利用水热反应制备Co掺杂MoS_2/石墨烯复合催化剂.通过改变Co掺量,探究不同掺量Co对MoS_2/石墨烯复合催化剂结构和催化性能的影响.实验结果表明,所制得的Co-0. 1-MoS_2/石墨烯复合催化剂,在0. 5 mol/L的H_2SO_4溶液中,电流密度为10 m A/cm~2下,其过电位为163 m V,Tafel斜率为49. 2 m V/dec.经过1 000次循环伏安(CV)后,其电催化析氢性能没有显著的衰减,表明该催化剂在电催化析氢反应中具有优异的催化活性和稳定性.     

活性碳负载磷钨杂多酸催化合成双(4-羟基苯基)苯基甲烷

对以活性碳负载磷钨杂多酸为催化剂 ,巯基乙酸为助催化剂 ,苯酚和苯甲醛为原料 ,催化合成双 (4-羟基苯基 )苯基甲烷的反应进行了研究 .试验发现 ,磷钨杂多酸的活性碳负载量为 5 0 %时 ,催化活性最好 .通过对缩合反应的正交试验表明 ,活性碳负载磷钨杂多酸的负载量、主催化剂用量、助催化剂用量、酚醛物质的量比、反应的温度及反应的时间对缩合反应的收率有影响 .反应的最佳条件为 :活性碳负载磷钨杂多酸的负载量为 5 0 % ,n(酚 ) /n(醛 ) =4∶ 1 ,反应温度 1 0 0℃ ,主催化剂2 .5 g,助催化剂 0 .1 m L,反应时间 2 h,收率可达 73 .8% .     

表面δ力与1P_(1/2)-1P_(1/2)和2S_(1/2)-2S_(1/2)壳层原子核结合能

本文用表面δ力(SDI)作为有效相互作用,计算了壳层原子核的结合能,计算结果与实验符合的相当好。说明在这两个壳层中包括非单满壳层的原子核用表面δ力来处理仍很成功。     

双媒质(H2O2/O2,VO(acac)2OOH/VO(acac)2)间接电合成环氧丁二酸

用H2O2/O2,VO(acac)2OOH/VO(acac)2作氧化还原媒质电合成环氧丁二酸,研究了pH、电流密度、媒质的初始浓度及温度对电合成环氧丁二酸电流效率的影响,其最佳工艺条件是:电流密度1mA/cm2,pH=7,温度30～50℃,VO(acac)2OOH/VO(acac)2的初始浓度0.5mmol/L.在此条件下平均电流效率为61%.     

H^2（T2）上的Toeplitz算子

给出了H^2(T^2)上 Toeplitz算子的特征方程,Tz*TTz=T,Tω*TTω=T,及两个Toeplitz算子ψ,ψ∈L∞（T2),Tψ和Tψ的乘积TψTψ仍为 Toeplitz算子的充要条件是：ψ对z、ω中零个、一个或两个变量共轭解析,ψ对余下变量解析,且乘积为Tψψ。     

TiO2/PbS/Ru(bpy)2(NCS)2纳米多孔膜电极的光电化学研究

用染料Ru(bpy)2(NCS)2对ITO/TiO2/PbS复合半导体纳米多孔膜电极进行敏化,用光电化学方法研究ITO/TiO2/PbS/Ru(bpy)2(NCS)2电极的光电化学行为及组成光电池的能量转换效率.结果表明,该电极作为太阳能电池光阳极的能量转换效率与TiO2/PbS 复合半导体中PbS的含量有关.     

Pb（Cd_（1／2）Te_（1／2））O_3及三元系压电陶瓷Pb（Cd_（1／

研制了一种新的三元系统压电陶瓷材料Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，本系统材料压电性强，时间稳定性极佳，其时间稳定性比改性的ＰＣＭ提高一个数量级，作者认为稳定性的提高原因，不是由于材料的“软化”，而在于Ｔｅ６＋离子在电畴界面的偏聚对畴壁的“钉扎”作用，确定了Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３是顺电相其含量以４～６ｍｏｌ％为宜，部分Ｃｄ２－取代，使本系统材料“硬化”．     

丢番图方程y(y+1)(y+2)=2x(x+1)(x+2)的整数解

证明丢番图方程y(y 1)(y 2)=dx(x 1)(x 2)的所有整数解满足max{︱x︱,︱y︱}相似文献   

Prop铁电薄膜电容器YBCO/Pb(Ta_(0.05)Zr_( 0.48)Ti_(0.47))O_3/YBCO/Pt/TiO_2/SiO_2/Si的性质(英文)

铁电薄膜有望被应用于“不挥发随机存储器 (NvRAM )” ,在这其中 ,Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜由于有较大的剩余极化 ,较小的矫顽场 ,高居里点 ,以及与硅集成的可能性而得到了广泛的研究 .但是 ,由于铁电薄膜与金属电极之间的界面不理想 ,以及铁电薄膜中的晶界角度过高 ,而大大降低了铁电电容器的性能 .最近的研究表明 ,通过用导氧化物作电极 ,可部分的改善电薄膜的疲劳和保持性能 .用脉冲激光沉积法 (PLD) ,以YBa2 Cu3O7(YBCO)为隔离层 ,在Pt/TiO2 /Si(10 0 )衬底上制备Pb(Ta0 .0 5Zr0 .48Ti0 .47)O3(PTZT)铁电薄膜 ;并以YBCO为上下电极做成铁电电容器 .X衍射发现以YBCO为电极的PTZT结晶成完全钙钛矿相 .SEM结果表明PTZT晶粒大约在 180nm左右 ,YBCO/Pt ,Pt/TiO2 界面非常清晰 ,没有发现任何扩散 .在RT6 0 0 0HVS环境下 ,发现在 91kV/cm的外场下反转 1× 10 1 1 次后 ,此电容器的极化P 和P^分别只减少了 2 0 %和 6 % ;在 145kV/cm的读写外场下经过 1× 10 5s后 ,此电容器的极化基本保持不变 ;在过大的外场下 ,此电容器的疲劳特性明显变差 .由于引入YBCO过渡层 ,改善了界面 ,减少了薄膜中氧空位的聚集程度 ,铁电薄膜的疲劳及保持性能得到了极大的改善     

Thermoelectric properties of polycrystalline (SnSe)1-x(AgSnSe2)x/2 alloys

SnSe is considered as a thermoelectric material with great potential and advantages due to the record of high thermoelectric figure of merit (ZT) of 2.6 ?at 923 ?K in single crystals. However, it is difficult to use single crystal SnSe in practice due to its poor mechanical properties and high manufacturing costs. Meanwhile, the polycrystalline SnSe also is also not suitable for applications due to its much lower thermoelectric performance compared with single crystal SnSe. Therefore, improving the thermoelectric properties of polycrystalline SnSe has become a hot research topic. In this paper, AgSnSe₂ doped into SnSe to increase the carrier density of the system and thus improve its thermoelectric properties. It is found that the addition of AgSnSe₂ can effectively improve the thermoelectric performance of polycrystalline SnSe. A peak ZT of 0.81 was obtained at 713 ?K for (SnSe)_0.95(AgSnSe₂)_0.025, which is 305% higher than that of the undoped one. This reveals that AgSnSe₂-doped SnSe alloy may become a thermoelectric material system with great application potential and significance.