Cd类核壳型纳米粒子的制备及表征

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成CdSe和CdTe及CdSexTe1-x核纳米粒子,用ZnS纳米粒子包覆核纳米粒子,制备出水溶性CdSe/ZnS和CdTe/ZnS及CdSexTe1-x/ZnS核壳型纳米粒子.用荧光光谱、高倍透射电镜等技术对核纳米粒子及核壳纳米粒子进行表征,以荧光光谱研究了时间、稳定剂用量等因素对核壳型纳米粒子光谱特性的影响.     

磁控溅射法制备纳米级ZnS薄膜及其性能研究

用磁控溅射技术在玻璃衬底上获得了取向单一的纳米级ZnS薄膜. 研究了衬底温度对薄膜结构的影响. 得出400 ℃时沉积的薄膜结晶最好,为六方纤锌矿结构,在可见光范围内有较高的透过率,其光能隙为3.81 eV.     

单分散ZnS颗粒制备参数的研究

讨论了反应温度、反应时间、体系 pH值、反应物浓度和配比以及分散剂的种类对制备ZnS粒子的影响 ,总结出制备ZnS微粒的最佳条件。通过透射电镜、紫外光谱考察了ZnS微细粒子的性质。     

长余辉发光材料在陶瓷工艺中的应用

介绍了长余辉发光材料以及这种材料在陶瓷工艺中的应用。     

真空蒸发制备ZnS薄膜及其性能研究

用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了透明ＺｎＳ薄膜．薄膜为立方闪锌矿结构,呈高阻状态,在可见光范围内有较高的的透过率．在不同条件下对薄膜进行了热处理,研究了热处理对薄膜性能的影响     

ZnS微米球的制备和光学性质的研究

用超声的方法在水和正庚烷的微乳液中成功地合成了ZnS的微米球,并用XRD,TEM对微米球进行了表征.合成的产物为纯的多晶ZnS,微米球的直径约为2μm,为规则的球形,粒径分布窄,分散均匀,表面光滑.荧光光谱上ZnS微米球在456 nm处有一个发射主峰,在492 nm处有一个小峰.这两个发光峰报道不多.它对应于ZnS的缺陷发光.     

基于ZnS:Ni/ZnS量子点的电化学传感器用于检测邻苯二酚

利用水相法合成了ZnS:Ni和ZnS:Ni/ZnS量子点(QDs,quantum dots),并通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(IR)对ZnS:Ni和ZnS:Ni/ZnS QDs进行表征.本文以玻碳为基底,研制了ZnS:Ni/ZnS量子点修饰电极,并探讨了邻苯二酚在该传感器上的电化学行为.实验结果表明,该传感器对邻苯二酚的氧化过程具有显著的电催化作用.在最佳条件下,邻苯二酚在1.0×10~(-6)~1.0×10~(-3) mol·L~(-1)浓度范围内与其氧化峰电流呈现良好的线性关系(r=0.999 9),检出限为4.2×10~(-7) mol·L~(-1).该电化学传感器具有良好的重现性、稳定性和一定的抗干扰能力,具有一定的应用前景.     

原位构筑CdSe核-ZnS壳结构复合量子点及其光学性能研究

首次利用油酸-液体石蜡原位构筑CdSe核-ZnS壳结构复合量子点材料.透射电镜显示了CdSe核-ZnS壳结构;紫外可见光谱、荧光光谱及激光共聚焦等结果,表明所制得的CdSe核-ZnS壳结构复合量子点材料具有明显的增强量子点的荧光效率的特点.     

长余辉发光材料在陶瓷工艺中的应用

介绍了长余辉发光材料以及这种材料在陶瓷工艺中的应用.     

石墨烯负载ZnS光催化材料的制备及其性能

采用水热法在不加与添加聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的条件下分别制备了硫化锌／石墨烯（ZnS／RGO）和ZnS／RGO—PVP复合材料。通过X射线衍射、Fourier变换红外光谱、扫描电子显微镜等手段对样品的组成与形貌进行了分析表征。以亚甲基蓝为目标降解物在紫外光下研究了各样品的光催化活性。结果表明：ZnS复合RGO后明显提高了ZnS的光催化性能;加入PVP后提高了ZnS在RGO表面的附着量并抑制了ZnS颗粒的团聚,进一步提高了ZnS／RGO的光催化性能。     

ZnS：Mn~（2＋）电致发光激发过程

本文利用光激发光谱、电致发光波形和分时光谱相结合，并配合数学计算仔细地研究和比较了ＺｎＳ：Ｍｄ（２＋）薄膜和ＺｎＳ：ｐｒ（３＋）薄膜的电致激发发光过程，解释了Ｍｎ作为最有效发光中心的原因．     

氯化锌存在时硫化锌热氧化法制备氧化锌绿色荧光粉

在氯化锌存在下,通过硫化锌的热氧化制备具有六方纤维锌矿结构的氧化锌绿色荧光粉;研究煅烧温度对荧光粉的激发光谱和发射光谱的影响并测定了荧光粉中硫、氯元素含量.研究结果表明:氯化锌的存在有利于改善ZnO的结晶性和硫、氯元素的共掺杂,形成更多的缺陷,进而大大提高合成产物的荧光发射强度;合成ZnO的荧光光谱表明氯的掺杂不仅可以提高荧光发射强度,而且具有淬灭激子发射的作用,使荧光发射只有1个峰值为506 nm的绿色宽带发射,在800 ℃时有最强的发射作用,同时还明显强化了电子从价带到带隙缺陷中心跃迁对荧光发射的贡献;该峰的位置随煅烧温度从700 ℃升高到1 000 ℃而在378～386 nm变化,与紫光二极管的光输出波长相匹配,有望应用于白光二极管.     

ZnS/PVP纳米纤维的制备及性质研究

通过静电纺丝的方法成功制备了ZnS/PVP纳米纤维。通过扫描电子显微镜可知,纤维的直径大约在400 nm,纤维中的无机物为立方ZnS晶体,从荧光光谱图中可以知道,发射峰的位置在415nm。     

ZnS纳米球的水热法合成及其光催化性能

采用简单的一步水热法合成了立方闪锌矿结构的ZnS纳米球,直径在50～100nm．表面活性剂十二烷基磺酸钠作为模板,在ZnS纳米球的形成过程中发挥了重要的作用．采用扫描电子显微镜、透射电镜、X射线衍射对ZnS纳米球进行了表征,并测定其UV—vis光谱．通过降解甲基橙考察了ZnS纳米球的催化性能,并对ZnS纳米球可能的合成机理以及光催化机理进行了简单的推断．     

高压下ZnS的电输运行为

通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象.      

粉末ZnS样品的高压原位阻抗谱研究

采用高压力下的原位阻抗谱测量技术,研究了晶界对粉末ZnS电阻的影响.数据分析结果显示:在11 GPa处,ZnS粉末的电阻主要是由于晶界引起的.对于岩盐相的ZnS,其残余电阻也是来自于晶界的影响.在14 GPa处,阻抗谱由双半弧变成一个椭圆型半弧对应于ZnS粉末的高压相转变.     

ZnS纳米陶瓷微球的制备

以ZnCl2和Na2 S2 O3为前驱物在二氯苯/水溶液界面上,在超重力为1000/g的条件下水热合成了高密度的ZnS 纳米陶瓷微球,研究了前驱物浓度、温度和超重力大小对ZnS 纳米陶瓷微球性能的影响。采用FE-SEM,TEM, XRD,FT-IR, UV-Vis和BET对样品的形貌、微结构、物相和性能进行表征。结果发现,ZnS纳米陶瓷微球是由尺寸为2-20 nm的ZnS晶粒组成的直径为300-500 nm的微球,其密度与施加的超重力大小有关。随着超重力的增大,晶粒粒度减小,制得的ZnS纳米陶瓷微球的密度就增大。在120℃,1000/g超重力的条件下,在二氯苯/水溶液界面上反应30 min制备得到的ZnS纳米陶瓷微球具有高分散性和较高的密度。     

单带差超晶格中ZnS薄膜的制备及其性质

近年来，半导体超晶格材料在太阳电池方面的应用，越来越受到人们的广泛重视。本实验利用射频磁控溅射法制备了单带差超晶格中ZnS薄膜。通过XRD和AFM的观察，对其结构进行了研究，并确定了制备均匀致密的多晶ZnS薄膜的最佳条件。此外，对300℃和400℃衬底温度下的ZnS薄膜的光透过谱和吸收谱进行了对比，计算出了溅射法制备的ZnS薄膜的光能隙分别为3.82eV、3.81eV，与理论值一致。这种高透过率、均匀致密的ZnS薄膜可用于研制新型高效率的单带差超晶格ZnS/CdS/P-CdTe太阳电池。     

ZnS纳米复合材料的制备及性质

以硫代乙酰胺、硝酸锌、桑色素为原料用液相沉淀法制备了ZnS纳米晶 /桑色素复合材料 .样品的测试结果表明 :ZnS表面原子能与桑色素形成较牢固的化学键 ,生成稳定的复合材料 .复合后ZnS纳米晶的稳定性和发光性能发生了改变 .这为进一步研究和开发ZnS纳米复合材料提供了实验依据 .