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2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3D晶体管架构项目最新成果——3D Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完成大规模投产的准备工作。IT巨头终于开始了在新移动电子领域的绝地反击,但为什么是3D晶体管架构?这项发明与传统晶体管结构有何区别?它对未来的移动电子产业有何影响?又是否能够挽救英特尔的芯片帝国呢? 相似文献
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十五年前,曾经有一些科学家对摩尔定律产生过怀疑,但是,在芯片的发展历程中,他们的怀疑却一丙被事实所否定以致于显得有些自讨没越,现在,摩尔定律早已被世界电子业界奉为金科玉律,人们对摩尔定律今后是否继续灵验缄默不语,倒是摩尔先生自己站出来发言了,1995年,在一交国际性学术会议上,摩尔先生在回顾了芯片发展历史后认为,摩尔定律是否继续灵验值得怀疑。 相似文献
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以TSMC 0.18μm CMOS制程实现10住元(10-bit)、每秒取样2×10<'7>次、操作电压1.8 V的管线式(pipeline)模拟数字转换器(ADC)芯片.本设计主要是使用1.5-bit/stage架构,并且配合运算放大器(op amp)共享(sharing)技术,拔除传统第一级取样保持放大器(SHA,sample and hold amplifier)以节省功耗.此芯片的量测结果为输入信号频率2 MHz时,输出的SNDR与ENOB各为46.2 dB与7.32-bit,包含焊线垫片(pad)的芯片面积为1.54(1.391×1.107)mm<'2>,芯片功耗为29.2 mW. 相似文献
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随着集成电路按照摩尔定律的发展,芯片设计已经进入了系统级芯片(SOC)阶段,在这里介绍了SOC的概念,尤其介绍关键技术IP核的复用。 相似文献
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王羽中 《中国高校科技与产业化》2004,(10):53-53
我们熟悉的英特尔不见了! 多年以来,英特尔勇于推陈出新的作风不仅让摩尔法则一再得到验证,而且也在业界树立了领导者的形象。如今,在多媒体芯片产业蒸蒸日上的时候,英特尔却放缓了领导潮流的脚步。在过去八个月里,英特尔的芯片发布计划出现了少有的波折,芯片瑕疵和推迟 相似文献
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如果执行就是有条不紊地完成任务的话,几乎没有公司比英特尔(Intel)执行得更好。英特尔以竞争对手无可比拟的速度掌握着新技术并制造产品,进而在芯片制造业中占据了霸主地位。 相似文献
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英特尔(R)未来教育给我们带来了很多新的理念和方法,本文从自身的实践出发,对"英特尔(R)未来教育"基础项目实际运用到课堂教学后作了一些分析和探讨. 相似文献
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正近日,中国科学技术大学国家示范性微电子学院教授程林联合香港科技大学教授暨永雄课题组在无线充电芯片设计领域取得新进展。研究者提出了一种用于谐振无线功率传输的新型无线充电芯片架构(图1)。所提出的架构通过在单个功率级中实现整流、稳压和恒流-恒压充电而实现了高效率和低成本,为今后无线充电芯 相似文献
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宋继强 《科技导报(北京)》2019,37(3):66-68
集成电路发明至今60年来,半导体产业依循摩尔定律的发展,带动整个信息产业达到了今天的规模。分析了芯片技术的演进,得出在互补金属氧化物半导体(CMOS)微缩仍然可以继续推进的趋势下,通过有效整合新材料和新封装技术、异构设计和数据处理新功能,摩尔定律的经济效益将继续存在。 相似文献
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利用电镀铜填充微米盲孔与通孔之应用 总被引:1,自引:0,他引:1
窦维平 《复旦学报(自然科学版)》2012,51(2):131-138,259,260
电子产品之高密度内连结制程技术,从上游的半导体制程到中游的封装基板制程,一直到下游的电路板制程,似乎都需要依赖电镀铜填孔技术.近几年来,电镀铜填孔技术日趋受到重视,相关专秘的电镀配方、技术、设备以及周边配套的仪器设施等,如雨后春笋般地发展起来.以往常用但未能深入了解的电镀铜技术有了跃进式的突破,值得探讨.这些技术的发展,似乎有着轮回应用的走势,即下游电路板的电镀铜制程技术似乎渐渐朝半导体制程技术发展,因此衍生出电镀铜填充盲孔的制程技术;而上游的半导体制程工艺中以往没有所谓的镀通孔(PTH),如今却因为3D芯片整合的需要,出现了所谓的穿硅孔(TSV),而所谓的TSV,其实与镀通孔具有类似的制程步骤以及相同的功能与目的,只是介电材料、设备等不同而已.针对目前电镀铜填充微米级盲孔与通孔的相关技术作概略式的介绍与回顾. 相似文献