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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
利用X射线衍射及扫描电镜等方法,研究了Ar气处理温度对空气中熔化生长的NdBa2Cu3O7-δ+20%Nd4Ba2Cu2O10样品超导性能和组织结构的影响。结果表明,在大气环境中放置20个月的情况下,经900℃Ar气处理的样品易碎裂,且超导性能明显降低,显示出超导相的不稳定性;在500℃下经较长时间Ar气处理的样品,起始转变温度可达93K,且结构和性能均较稳定。  相似文献   

2.
介绍用化学喷雾淀积法(CSD法),制备Bi(Pb)SrCaCuO超导膜的研究情况。并对所制样品进行了超导性能的测量和电镜,x射线衍射的测试。测量结果表明:所制膜厚约为50μm,零电阻温度为74K,超导转变温度为98K。样品呈正交结构。  相似文献   

3.
通过两步法成功合成了一种新的FeSe基超导体Li_x(C_3H_(10)N_2)_yFe_2Se_2(C_3H_(10)N_2指的是1,3-丙二胺).这种新材料属于四方晶系,其超导转变温度为35 K.在125℃退火12h后,该样品的晶体结构保持不变,但超导转变温度突然移至39 K,这些均被粉末X射线衍射和磁化率测量证实.样品在退火前后,晶格常数a和b在0.3%内变化,但是晶格常数c的变化约为1%.因此,可以推断,样品的超导转变温度的明显变化应该归因于插层样品内部结构的重排和电子更均匀的分布.  相似文献   

4.
介绍了用混合硝酸盐直接热解法制备Bi系超导体的研究结果。并且通过对样品进行超导性能测量,得到所制样品的超导转变温度为98k,零电阻温度为78K。通过扫描电镜和X光衍射实验分析,看到样品呈多相结构。主相85K相含比例较大,样品为正交结构。  相似文献   

5.
用混合物理化学气相沉积(Hybrid physical-chemical vapor deposition 简称为 HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(Scanning Electron Microscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm~1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。  相似文献   

6.
利用X射线衍射仪(XRD)和超导量子磁强计(SQUID),研究了Nd_(0.5)Sr_(0.5)MnO_3多晶样品的结构和磁性.结果表明,样品为单一正交畸变钙钛矿结构,空间群为Pbnm,具有很好的单相性.在整个温度区,样品出现了一个磁转变温度点(T_C=275K),当温度高于T_C时,样品处于顺磁态,而在低温区,样品呈现软铁磁性.  相似文献   

7.
采用脉冲激光沉积的方法在 Al2O3(0001)基片上先生成 Mg-B 混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成 MgB2 超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对 MgB2 超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响。在沉积温度为 200 ℃,退火时间 5min 时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线。在退火温度为 670℃、720℃ 时,得到了最高的临界转变温度 Tc=33K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有 c 轴取向。同时比较了在 200℃ 下沉积,在 670℃ 下分别退火不同时间的薄膜的超导性质。还比较了分别在不同温度下沉积,然后在 670℃ 下退火 5min 的薄膜的超导性质。结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质。  相似文献   

8.
首次合成了在YBaCuO体系中同时存在两个液氮温区超导相的高温超导体,用电阻法和磁化率法分别测定了超导转变温度,进行了X射线衍射分析。  相似文献   

9.
用化学气相沉积法(CVD)制备了Fe0.05Sn0.95O2纳米线,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和光致发光(PL)等技术研究了样品的微结构和磁性.由XRD测试结果知Fe0.05Sn0.95O2纳米线为四方金红石结构,并且没有观察到Fe和Fe的氧化物的衍射峰.电性测量获得单根纳米线...  相似文献   

10.
采用传统的高温固相反应法,制备了钙钛矿锰氧化物(La0.975Gd0.025)4/3Sr5/3Mn2O7多晶样品,利用X射线衍射(XRD)仪、物性测量系统(PPMS)和超导量子磁强计(SQUID)研究了样品的结构、磁性和电性,结果表明:该多晶样品为Sr3Ti2O7型四方结构,空间群为I4/mmm;样品的三维铁磁有序转变温度T3 DC和二维铁磁有序转变温度T2 DC分别为110K和240K,在居里温度(T3 DC)附近出现明显的磁熵变,当外磁场为2.5T时,其磁熵变值为3.1J/kg·K;电性测量结果显示,T3 DC也是样品经历金属性到绝缘性转变的温度,当T3 DCT300K时,样品遵循三维变程跳跃的导电方式,说明样品中载流子的输运过程是由磁不均匀性决定的.  相似文献   

11.
镁离子掺杂对LiFePO4/C复合正极材料性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高正极材料LiFePO4的电化学性能,采用两步固相法合成LiFe1-xMgxPO4/C(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04)复合正极材料,并对所得样品进行XRD、SEM、以及充放电循环性能测试.测试结果表明:掺杂少量的Mg2+并没有影响材料的结构,所得样品都为单一的橄榄石型;充放电结果表明掺杂Mg2+为0.02的样品即LiFe0.98Mg<,002>PO4/C电化学性能最佳,在0.2C倍率下首次放电比容量为149.32 mAh/g,经过50个循环,仍然有138.37 mAh/g,衰减仅率为7.33%.  相似文献   

12.
利用X射线衍射和磁性测量研究Nd2(Co1-x Fex)17-yCry化合物的结构和磁性. 实验结果表明, 这些化合物都具有Th2Zn17型结构, Cr和Fe替代Nd2Co 17化合物中Co并未改变晶体结构, 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高, 在x=0.5和y=3.3时达到最大值, 而后逐渐减小.  相似文献   

13.
采用固态反应法制备了名义组分为Bi1.8Pb0.2Sr2Ca2Cu3Ox和Bi0.9Pb0.1Ba0.1Mg0.1Sr0.8CaCu2Ox超导样品,并研究了Ba、Mg掺杂对Bi系超导性能的影响。用x射线衍射及电阻-温度关系的测量获得的实验结果表明,添加Ba和Mg元素可以有效地抑制Bi系2212相的生成,促进2223相的形成,并能提高超导材料的Tc.  相似文献   

14.
采用固相反应技术合成了Cu掺杂的Ba2YRu1-xCuxO6(x=0,0.1,0.15)体系.多晶X射线衍射表明3种样品均具有双倍周期的钙钛矿结构,属于立方晶系;计算得出Ba2YRuO6的晶格常数a为0.834 nm,而Cu的掺杂对晶格常数影响很小.基于双倍周期晶胞的多晶衍射理论计算表明,Y离子和Ru离子分别有序占据原子等效位置,且发现(111)衍射峰为有序分布时的特征峰.利用振动样品磁强计(VSM)技术测量了样品的室温磁化曲线,表明样品在室温下呈现典型的顺磁行为.  相似文献   

15.
系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc和绝缘体-金属转变温度TMI都向低温区移动.在较低温度下电阻率表现出了极小值现象,而这一现象随外加磁场的增大逐渐受到抑制,对此现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.在Tc和TMI转变温.度区域,样品表现出较大的磁电阻效应.样品在高温下的电输运行为可根据可变程跃迁机制得到很好的解释.  相似文献   

16.
采用固态化学反应法制备了掺杂钾钨青铜(K1-xMx)0.22WO3(M=Na,Ca,Sr,Ba,Y和La;0x0.20).X射线衍射结果表明,在掺杂范围内,样品的晶体结构主相均为六方相,其中除Na以外,Ca,Sr,Ba,Y和La都能够部分替代K进入六方晶格中.通过对实验结果的分析,提出了由参数H(n,x,t)决定钨青铜类化合物掺杂机制的新观点.容忍因子t、化合价n和掺杂量x共同决定了此类材料的掺杂机制.对于不同的掺杂元素M,掺杂后样品(K1-xMx)0.22WO3的H在相同范围内时,其晶胞体积V随x的变化规律也相似.  相似文献   

17.
Mg-Al二元系的机械合金化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用X射线衍射和DSC对成分为Mg1-xAlx(x=0.1,0.4,0.6,0.8)的纯元素混合粉末的机械合金化过程进行了研究。结果表明成分为Mgo.9Al0.1和Mg0.6Al0.4的混合粉末经球磨后都有Mg17Al12相生成;而球磨成分为Mg0.4Al0.6的混合粉末,没有得到预想的Mg2Al3相,但经热处理后得到Mg2Al3相;对于成分为Mg0.2Al0.8的混合粉末经球磨后只得到固溶体结构。  相似文献   

18.
La_(0.67)Sr_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系的正电子湮没研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻率ρ急剧变大,绝缘体-金属转变峰随着掺杂浓度x的增加,峰值对应温度向低温区移动,这是由于样品内部晶体结构的变化所导致的.掺杂样品中缺陷及电子结构的变化与掺杂浓度密切相关,这主要是由于样品中的Mn3+被Fe3+所替代,部分Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响所导致的.  相似文献   

19.
采用标准固相反应法制备了Sr14(Cu1-xZnx)24O41(x=0, 0. 01, 0. 02, 0. 03)系列多晶样品. X射线衍射谱表明所有样品均呈单相,且样品晶格常数大小随Zn掺杂量x的变化存在微弱波动. X射线光电子能谱表明Sr14Cu24O41中Cu离子以+2价形式存在,Zn掺杂对体系中Cu离子化合价不造成影响. 磁化率测量结果表明在10~300 K温度范围内Zn掺杂使体系磁化率降低,拟合结果表明随着Zn掺杂量x的增大,居里-外斯项对体系磁化率贡献逐渐减弱,二聚体耦合能JD 逐渐降低,每个分子中CuO2 自旋链内二聚体个数ND 与自由Cu2+离子自旋数NF 均逐渐减少,进一步分析显示替换二聚体内Cu2+离子的Zn2+离子数少于替换自由Cu2+离子的Zn2+离子数. 电阻率测量结果表明Sr14Cu24O41体系具有半导体特性,并且Zn掺杂会使体系电阻率降低,降低程度随掺杂量x增大而增大,但并未使体系发生金属- 绝缘体转变. 认为电阻率降低可能是由于Zn2+离子掺杂使体系内CuO2 自旋链中二聚体发生退耦,破坏了电荷有序超结构,从而使更多的空穴释放出来并转移到导电性好的Cu2O3自旋梯子中所致.  相似文献   

20.
研究了MgO含量变化对CaO-Al2O3-MgO-FexO-SiO2-K2O系熔体黏度和熔化特性的影响,结合X射线衍射和扫描电镜分析熔渣冷却过程中的物相析出,并通过FactSage软件计算了该体系的黏度、熔点和冷却过程中析出相的含量与温度的关系,并与实验结果进行了对比和分析.结果表明,MgO含量的增多会造成熔渣熔化温度的升高,黏度随温度变化时会出现黏度骤增的转折点,高于转折点温度时,熔渣黏度随MgO含量变化不大,同时该转折点温度随MgO含量的增加而升高.在熔渣冷却过程中析出相主要为固溶的橄榄石相和Fe3O4尖晶石相,MgO含量的增大可以促进橄榄石相的析出,熔体黏度骤增主要由于橄榄石相的析出造成的.  相似文献   

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