感绿染料增感AgCl乳剂的光电子特性——增感时间对光电子衰减的影响

利用微波吸收介电谱检测技术测量了感绿染料增感AgCl乳剂的自由和浅束缚光电子时间分辨谱.对比发现增感乳剂与未增感乳剂光电子衰减规律相似,均具有2个一级衰减区;增感样品的自由和浅束缚光电子的衰减时间和寿命由于填隙银离子的增加而变短,通过分析光电子衰减时间和寿命与增感时阃的对应关系,确定了最佳的增感时间.     

纳米硫化镍增感的卤化银感光特性

利用微波吸收介电谱检测技术,在超短脉冲激光作用下,检测了纳米硫化镍增感的AgBr立方体乳剂中光电子的时间分辨谱,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同化学增感条件下的时间行为.还对乳剂的感光性能进行了研究,得出了感光度与反差系数随增感条件的变化曲线,结合乳剂的光电性能和感光性能,对增感条件与乳剂性能的关系,以及微观和宏观两种不同角度下结论的一致性进行了探讨.     

掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性

电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30％Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明：[IrCl6]^4。原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出：掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。     

染料吸附条件对氯化银微晶光电子特性的影响

利用微波吸收介电谱检测技术,测量了不同染料吸附条件下立方体氯化银乳剂的自由光电子衰减曲线,发现增感乳剂比未增感乳剂的自由光电子衰减变快,这是由于染料吸附增加了氯化银中的Agi+.对于增感乳剂,自由光电子衰减越快,说明染料吸附效果越好,相应的增感效果也就越佳.通过分析自由光电子衰减时间和寿命随染料吸附浓度和时间的变化关系,确定出了感绿染料增感立方体氯化银乳剂的最佳吸附质量比和时间的组合为8/40 000和10 min.     

AgBrI微晶上硫增感中心Ag2S分子团簇的陷阱效应分析

利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为, 获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号. 分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系. 确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势, 其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.     

染料增感的碘溴化银照相材料的光电子特性

利用微波介电检测技术检测了在420～680 nm范围内曝光的由2种不同染料光谱增感的AgBrI样品的光电子行为.结果表明光电子强度与染料的反射吸收光谱符合得很好,微波介电检测技术可快速检测光谱增感过程中的光电子,从而可用于研究光谱增感中染料的特性.     

吸附染料J-聚集体的氯化银微晶光电子特性

应用微波吸收相相敏介电谱技术测量吸附染料J-聚集体的立方体氯化银微晶中光电子的衰减特性,从而研究染料对氯化银微中光电子的影响.研究表明:在紫外光照射吸附机染料J-聚集体的氯化银时,染料能够加快光电子的衰减;光电子的变化规律与吸附染料浓度有关;说明染料增加了氯化银微晶中的隙间银离子浓度.可见光照射吸附有机染料的氯化银时,染料能够将染料激发态的光电子转移到氯化银中;显著地增加了氯化银微晶中的光电子强度;染料起到了敏化氯化银的作用.     

Ru:LiNb03晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

对Ru:LiNbO3晶体基态的几何结构、电子结构和光学特性等进行了系统的研究.基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面渡超软赝势方法,时Ru:LiNbO3基态平衡时的几何参量、内部坐标进行了优化计算,且计算出能带结构和态密度分布,并分析了不同原子对能带结构的影响.对光学性质进行计算,得出Ru:LiNbOa的介电函数以及吸收谱,理论结果与实验符合得很好.本研究为向LiNb03晶体中掺Ru和进行含Ru的双掺杂提供了理论依据.     

菁染料吸附对卤化银晶体中光电子特性的影响

利用微波吸收非接触测量技术检测了尺寸为微米量级卤化银晶体的光电子衰减特性,通过分析自由光电子衰减谱的变化,发现掺入有机染料可实现AgBrI-T颗粒和AgCl立方体微晶中所积累的自由光电子加速衰减;染料在不同晶体界面的吸附聚集程度是影响光电子衰减的重要原因.     

Sb掺SnO_2的光电性质研究

基于密度泛函理论,我们研究了掺杂浓度为12.5%时Sb掺杂SnO2的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电函数和光学吸收谱.掺杂后的SnO2材料的导电性得到了明显的增强,具有了半金属的性质;费米能级处能带细化,介电常数和光学吸收谱具有对应关系,光学吸收谱峰值发生了蓝移.     

还原增感浓度对AgCl光电子衰减的影响

还原增感是三大化学增感类型之一.近10年来,还原增感的机理以及过程的控制,越来越受到感光科学工作者的关切和注意.主要利用微波介电检测技术,测得自由光电子与浅束缚光电子衰减行为随还原增感浓度的变化.实验发现:还原增感浓度低时,增感中心起空穴陷阱作用;还原增感浓度高时,增感中心起深电子陷阱作用.根据光电子衰减行为随增感浓度的变化得到了最佳增感浓度.     

Ce，Sm联合掺杂TiO2薄膜制备及其电致变色特性

以钛酸四丁酯、硝酸铈和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法在ITO导电玻璃基片表面制备Ce,Sm联合掺杂TiO2电致变色薄膜,Ce,Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%和10%.采用电化学工作站和紫外可见分光光度计,研究了薄膜的循环伏安特性和光谱特性.结果表明,Ce,Sm的摩尔分数为2%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为1512mC·cm-2,循环可逆性K值为07.Ce,Sm的摩尔分数为5%和10%时,随着掺杂量的增加,薄膜的峰值电流减小,电荷存储能力变弱.Ce,Sm掺杂TiO2薄膜在可见光范围内具有更好的光学透明度,着色时颜色很浅,着色态和褪色态的光谱透过率几乎一致,均在90%以上,可以在电致变色玻璃中作为离子存储材料.     

Eu-Ru共掺NiO-SnO2复合纳米粒子薄膜的阻变特性

通过低温水浴法制备了Eu-Ru共掺杂NiO-SnO2复合纳米粒子，透射电镜图像显示纳米粒子粒径均匀，选区电子衍射表明结晶性差，所测晶面间距与SnO2和NiO相应卡片数据一致，水热机理分析表明纳米粒子由NiO-SnO2微观p-n结组成.原子力显微镜测试薄膜表面平均粗糙度约025nm，由于薄膜太薄及样品结晶性差，XRD分析未见明显衍射峰.电学测试表明纳米粒子薄膜具有可重复双极阻变特性，阈值电压约1V，开关比约500.薄膜高阻态电学输运符合缺陷俘获载流子所致空间电荷限制导电机制，低阻态呈欧姆特性，故阻变机理应为电荷俘获及再释.     

赝二元系KBe_2F_5-KAlF_4 和 KBe_2F_5-K_3AlF_6的相图研究

采用溶液反应法制备试样,用DTA和XRD方法研究了KBe2F5-KAlF4和KBe2F5-K3AlF6两个赝二元体系。结果表明:KBe2F5-KAlF4是一简单低共熔体系,共晶点组成含KBe2F580mol%,温度335℃。KBe2F5-K3AlF6体系中生成了两个中间化合物2K3AlF6·KBe2F5和K3AlF6·KBe2F5。相图中有一共晶点,组成为85mol%KBe2F5,温度336℃。2K3AlF6·KBe2F5和K3AlF6·KBe2F5都是固液异组成化合物,分别在448℃和378℃时发生分解。X-射线衍射分析证明它们均属正交晶系,晶胞参数分别为a=10.70±0.01,b=10.36±0.01,c=5.85±0.02( )和a=10.499±0.003,b=9.685±0.005,c=7.554±0.005( )。     

La_(1.6-x)Nd_(0.4)Sr_xCuO_4超导体的正电子实验研究

用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4(x=0.12,0.15,0.20)和La1.88Sr0.12CuO4,结果表明随着Sr掺杂量的增加,空穴载流子增加,而正电子寿命却减小,分析认为可能是正电子密度分布权重由CuO2面向Nd替代后的La(Nd,Sr)-O层转移的结果.并分析了体系的电子密度ne随Sr掺杂量的变化关系,表明随着Sr掺杂量的增加ne逐渐增大.但对同样Sr含量的La1.88Sr0.12CuO4和La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4其ne基本相同,体现出Nd替代La对样品的载流子数目没有明显影响.     

具有介孔结构的锐钛矿型C,Co-MTiO2抗菌性能研究

为了开发不需要人造光源激发,只需要微弱室内光线且改性离子不易泄漏的新型无机抗菌材料,以钛酸异丙酯为钛源,表面活性剂十二胺为模板剂,通过水热合成和超声波联用技术,合成了非金属元素C和金属元素Co共掺杂的具有介孔结构的锐钛矿型二氧化钛(C,Co-MTiO2).用N2等温吸附-解吸附、X-射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和X-射线光电子能谱(XPS)对材料进行了表征,结果表明,该材料为热稳定性好,比表面积高,具有较大介孔孔径的锐钛矿型TiO2.在无人造光源激发的室内环境中,进行了材料的抗菌性能以及细菌吸附研究,结果表明这种材料在该环境中对大肠杆菌(E.colli)有很好的抑制作用和吸附作用,比Co-MTiO2的抑菌活性提高了20%,具有很好的应用前景.     

Defects in NTD InP probed by positron annihilation spectroscopy

Two samples of high purity InP extracted from the same wafer were examined by positron annihilation spectrum analysis after having been, processed by means of thermal Neutron Transmutation Doping (NTD). Compared with the as grown sample with an average positron lifetime of 246 ps at 300 K, the high dose doped one has an average lifetime of 251 ps and the lower dose doped one 248 ps measured under the same condition, indicating that some defects have been introduced in the NTD process. Annealing experimental results show a steady decrease in the average lifetime with increasing annealing temperature up to 550°C. And a peak in lifetime curve around 500°C was observed which may be attributed to defects related structure conversion. Temperature experiments conducted on the low dose doped sample from 150K to 290 K suggest the existence of vacancy-impurity complex which have given rise to an abnormal reduction of average lifetime with increasing temperature. Also a n-type InP sample (A61) was irradiated with thermal neutrons in another reactor and the lifetime results display an increase of 15 ps. Furthermore, to study epithermal neutron irradiation effects on InP, measurements were performed on an n-type InP sample (N119) along with one p-type sample (P118) after having been irradiated with high fluence of epithermal neutrons. The former has an average lifetime of 262 ps and the latter 247 ps after irradiation. The results prove that on some occassion epithermal neutrons can produce sizable defects in InP. Foundation item: Supported by the Science Foundation of Hubei Province (203980532) Biography: WEN Xiang-e (1976-), male, Master candidate, Research direction; majar research interest is defects in semiconductor materials using positron annihilation spectroscopy.