一种用于TD-LTE电调智能天线的宽频移相器

针对TD-LTE系统中对电调智能天线的性能受移相器制约的问题,提出一种用于TD-LTE电调智能天线的宽频移相器。该移相器通过介质滑动来改变相位,通过局部阻抗匹配保证介质滑动过程中各支路阻抗的小幅波动,实现稳定的功率分配。仿真和实测结果表明,该移相器可同时工作在F（1880 MHz-1920 MHz）, A（2010 MHz-2025 MHz）,D（2555 MHz-2635 MHz）3个频段,电压驻波比（voltage standing wave ratio, VSWR）小于1.2,传输系数波动不超过±1dB,在最大相移时,相位离散性小于10%。     

半集总参数定向耦合器及其应用

本文介绍一种27MHz半集总参数定向耦合器的研制结果及其应用情况。在很宽的频率范围内,这种定向耦合器的最大特点是体积小、结构简单、方向性好于30 dB,耦合度可以根据需要进行选择。利用这种定向耦合器做成的电调移相器、相移变化很小的电调衰减器、脉冲调制器、相位调制器和鉴相器等都取得了令人满意的结果。     

宽带放大器的设计

设计并制作了一个宽带放大器,该放大器由高精度,宽频带运放OP37组成,其高频特性好,转换速度为17/us。由于OP37的频带宽度可达63MHz,通过对外电路元件参数选择,可使放大器3dB通频带满足10kHz-6MHz的设计要求,在反馈网络并联适当大小的电容,消除高频脉冲尖峰,可使放大器在20kHz-5MHz频带内增益起伏<=1dB,从而获得平滑的频率特性,通过改变负反馈电阻,使放大器的增益6级可调,步进间隔6dB。     

Zigbee接收机内嵌CMOS程控增益放大器设计

针对低中频结构Zigbee接收机,设计一个CMOS程控增益放大器,在低功耗下实现了宽dB线性动态范围和高线性度。程控增益放大器提供70dB数字控制的线性动态范围,增益步长为2dB,增益误差≤±1dB,工作带宽1MHz～3MHz,最大增益时IIP3为1.86dBm,功耗3.14mW。采用SMIC 0.18 CMOS工艺,供电电压1.8V。     

宽带直流放大器设计

设计了一种由低噪声仪表放大器INA217和可变增益宽带放大器AD603并辅以适当外围电路构成的宽带直流放大器。当输入电压有效值〈10mV时,电压增益可达到60dB左右,并可实现在0～60dB范围内手动连续调节和5dB的步进调节。输出信号无明显失真时,最大输出电压有效值为4V。输入电阻≥50Ω,3dB带宽为0～8MHz,在0—7MHz通频带内增益起伏≤1dB。此外,该放大器的增益可预置并显示,具有较好的实用性。     

10位100MHz采样保持电路设计

设计了一种适用于10位100MHz的流水线模数转换器的采样保持电路.利用SMIC0.13μmCMOS工艺,设计了一个直流增益为87.6dB的全差分自举增益放大器,其功耗仅7.2mW,且达到0.05%精度的响应时间小于4ns.在采样时钟频率为100MHz,输入信号频率为10MHz时,该采样保持电路的无杂散动态范围(SFDR)为80.7dB.     

高频低压Rail-to-Rail CMOS功率输出级

提出了一种结构简单的Rail-to-Rail CMOS输出级,采用0．25μm工艺,用SPECTRE对其进行了仿真：供电为3．3V单电源,在频率为10MHz时,其输出阻抗为0．8n,静态功耗为20mW;当输入正弦信号的频率为10MHz,峰一峰值为2．7V,所接负载为50n时,其输出失真小于-53dB;它可以工作在50MHz以上。     

基于AD603的程控直流宽带放大器设计

设计了一种程控高增益、宽带直流放大器.采用三级直接耦合级联放大方式,扩展了放大器的通频带宽,且具有良好的直流特性;采用数控增益自动稳定技术,提高了有效带宽内增益稳定性,在0~9 MHz频带内,增益起伏小于等于1dB;选用两路数控开关,分别实现40 dB和60 dB放大,提高了控制精度.系统具有键盘输入预置、增益可调、液晶显示等功能,具有较高的实用性.     

低功耗33MHz采样频率,10比特流水线结构的模数转换器

介绍了一个 33MHz,10bit,3 3V流水线结构的模数转换器 (ADC) .该ADC采用了一种带预放大级的运算放大器和一种动态比较器来降低功耗 ;采用了电荷泵电路来提升时钟信号的电压 ;采用了一个恒跨导偏置电路 .本芯片在 0 35 μmCMOS工艺上实现 ,芯片面积为 1 2× 0 .4mm2 .芯片工作在 33MHz时功耗为 6 9 4mW ,采样 16MHz正弦信号时的信噪比 (SNDR)为 5 8 4dB .     

一种微型化低噪微波AGC接收模组的设计

针对超微型化、低成本的微波低波段混合集成电路的要求,设计一种微型化2 GHz低噪声、高选择性、自动增益控制(AGC)接收模组.该放大模组通过对微型化的低噪声放大、高选择性滤波、平衡混频、电调衰减等电路的设计,采用超微细微带薄膜工艺,在68 mm×18 mm×0.5 mm陶瓷基片上制作,具有集成度高、体积小的特点,适合作为无线通信接收电路.在1.8～2.2 GHz范围内,其增益≥50 dB,噪声系数≤0.9 dB,带外抑制≥40 dB,AGC≥30 dB.     

UHF power amplifier design in 0.35μm SiGe BiCMOS

A two-stage power amplifier operated at 925 MHz was designed and fabricated in Jazz' s 0.35μm SiGe BiCMOS process.It was fully integrated excluding the inductors and the output matching network. Under a single 3.3V supply voltage,the off-chip bonding test results indicated that the circuit has a small signal gain of more than 24dB,the input and output reflectance are less than- 24dB and-10dB,re- spectively,and the maximal output power is 23.5 dBm.At output power of 23.1 dBm,the PAE(power added efficiency)is...     

Dual-Mode Low Power Pipelined ADC with Pre-charged Switched Operational Amplifier

This paper describes a 12-bit 40-MS/s and 8-bit 80-MS/s dual-mode low power pipelined analog-to-digital converter (ADC). An improved multiplying digital-to-analog converter is used to provide the dual-mode operation. A pre-charged fast power-on switched operational amplifier is used to reduce the power consumption of the pipelined ADC to 28.98 mW/32.74 mW at 40 MHz/80 MHz sampling rates. The ADC was designed in a 1.8-V 1P6M 0.18-μm CMOS process. Simulations indicate that the ADC exhibits a spurious free dynamic range of 90.24 dB/58.33 dB and signal-to-noise-and-distortion ratio of 73.81 dB/47.85 dB at 40 MHz/80 MHz sampling frequencies for a 19-MHz input sinusoidal signal.     

Development of X-band high temperature superconducting filters

A synthesized design method is proposed to design microstrip band-pass filters. The impact of the box structure to the filter performance is considered besides the structure of microstrip. An X-band high temperature superconducting (HTS) microstrip filter for deep space network is designed using this method. The six-pole microstrip band-pass filter at frequency of 9500 ± 500 MHz is realized using TBCCO HTS thin film grown on 0.5 mm thick LaAlO3 substrate. The filter shows very high rejection of 90 dB in the...     

5.28～6.0 GHz高谐波抑制度的十二倍频器

研制５．２８－６．０ＧＨｚ十二倍频器,采用三次和四次倍频级连方法,使本倍频器在－６ｄＢｍ信号输入情况下整个频段内输出功率大于１０ｄＢｍ,功率起伏小于２ｄＢ,谐波抑制度大于４０ｄＢ,介绍了倍频器的设计思路,调试方法和测试结果等。     

一种用于UWB接收端的带通滤波器分析与设计

采用0.18 μm工艺设计1个用于UWB接收端的4阶切比雪夫有源RC带通滤波器.给出1种有损积分器直流增益补偿策略,从而减小滤波器对运算放大器直流增益的要求.同时,采用1种数控电阻的方式实现通带增益的调节.仿真结果表明:所设计的滤波器在通带增益为0dB时,通带纹波增益为0.112 dB,下-3 dB频率为156 kHz,上-3 dB频率为259 MHz,带宽为258.844 MHz;频率为500 MHz处的信号衰减为28.25 dB,频率为792MHz处的信号衰减为45.16dB,完全符合UWB接收端对带通滤波器的性能指标要求.     

基于平衡结构的基站驱动级功放设计

为了在工作频段内获得良好的增益平坦度、隔离度及输入输出匹配,采用在基站驱动级功放设计中引入平衡结构的方法。在研究功放平衡电路结构和工作原理基础上,设计实现了两个工作频段在2 110～2 170 MHz,应用于基站系统的驱动级功率放大器.对功放进行仿真和实际测试,测试结果与仿真结果的高度一致性验证了这种方案的有效性,同时在整个工作频段内功放的增益平坦度都小于±0.5 dB,隔离度小于-27 dB,输入输出匹配参数良好。结果表明:设计的平衡放大器可以很好地应用在基站系统中,从而提高基站功放系统性能。     

基于谐波抑制与补偿线技术的非对称Doherty功放设计

为了提高WiMAX信号下doherty功率放大器（doherty power amplifier,DPA）回退点的效率,提出一种基于谐波抑制和补偿线技术的非对称doherty功放（asymmetric doherty power amplifiers,ADPA）结构。该结构在传统ADPA结构的基础上,首先对主功放（carrier）和辅功放（peak）输出匹配电路加入2次、3次谐波电路进行匹配设计,减少晶体管漏极电压电流的重合;然后通过添加补偿线（offset line）的方式,改变carrier和peak的功率分配比,使得整体电路获得更高的效率和输出功率。基于上述谐波抑制和补偿线理论,设计了一款工作在3.4 GHz~3.6 GHz,增益约为13 dB的ADPA。实测结果表明,当饱和输出功率达到48.75 dBm,功率回退9.5 dB时,功率附加效率（power added efficiency,PAE）达到41.8%,5 MHz偏移量的相邻信道功率比（adjacent channel power ratio,ACPR）优于-35 dBc,10 MHz偏移量的ACPR优于-48 dBc。满足WiMAX基站对功放线性度和效率的要求。     

35GHz高线性VCO的研制

讨论了毫米波ＶＣＯ电调特性的开环线性校正原理，采用模拟断点式线性校正器对３５ＧＨｚ ＶＣＯ电调特性进行了开环线性校正。实验结果表明，该３５ＧＨｚ高线性ＶＣＯ在１２０ＭＨｚ电调带宽内电调非线性度小于１％，输出功率大于６０ｍＷ，频谱质量良好，满足系统指标。     

应用于OFDM-UWB接收机的CMOS信号强度指示器

给出一种应用于超宽带零中频接收机的宽带RSSI电路.改进了传统的全波整流器,解决了增大其带宽与减小静态输出电流的矛盾,使其带宽提高到300MHz的同时消除了输出静态电流.采用0.13μm CMOS工艺,芯片面积为1.27mm2.测试结果表明RSSI工作带宽为300MHz,在-64～-4dBm输入范围内,检测误差小于±1.5dB,在1.2V电压下消耗电流10.6mA.     

一种单端输入的CMOS图像传感器设计

设计了一种应用于红外上转换系统的CMOS读出电路,利用单端放大器的CTIA方式进行读出,克服了传统差分输入放大器管子多、需要米勒补偿电容、版图占用面积大的缺点,有效地减小了电路在像元中占的面积。积分电容采用80 fF,使满阱电子数达到40万个,动态范围大于60 dB。利用相关双采样电路有效地降低了读出噪声,输出总噪声小于0.5 mV。在版图设计中采用了奇偶对称方式,有效地提高了光敏区的占空比。经测试,该电路工作正常,成像清晰,性能良好。