初道屏蔽效应对低能电子碰撞H(e,2e)反应的影响

考虑初道屏蔽效应,研究了低能电子碰撞H(e,2e)的反应过程.计算了共面非对称几何条件下能量为27.2 eV的入射电子碰撞H(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),将其计算结果与3C、DS3C和CDS3C模型所得结果及实验数据进行了比较,结果表明CDS3C模型能对上述碰撞过程成功描述,改善了与实验结果的符合程度.     

氢原子(e,2e)反应中基态三重微分散射截面的计算

利用(e,2e)反应中跃迁矩阵的后滞形式,忽略了质心运动和相对运动的情况下,计算基态氢原子单离化的三重微分散射截面,与相关的实验结果符合的较好.笔者的近似计算能较好的反映基态的散射过程,计算量较小,该方法可以进一步推广到激发态散射截面的计算中.     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

基于PCI总线的高分辨（e，2e）谱仪的数据获取系统

针对高分辨(e,2e)谱仪的能、动量同时测量的特点,成功研制了一套基于PCI总线的数据获取系统.此系统可以同时进行8路信号采集和符合测量,最大采集速率约为30 k/s.     

（e,2e）反应中初通道相互作用强度的理论研究

在前期工作的基础上，用修正后的BBK理论研究了共面等能几何条件下，电子入射离化氢原子三重微分截面的结构，讨论了低能（e,2e)反应中的Rutherford散射效应，揭示了(e,2e)反应中初通道相互作用强度是怎样随入射能的增加而改变的。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

He(e,3e)末态波函数动量相关效应

考虑末态波函数动量相关效应，计算了入射能量为5599eV时，敲出电子等能分享几何安排下的He（e，3e）反应的五重微分截面，并比较采用各种末态波函数动量相关下的计算结果．表明理论计算结果在误差范围内与实验数据基本吻合，末态波函数动量相关效应对He（e，3e）反应的五重微分截面具有一定影响．     

各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑各种碰撞过程对氦原子单电离三重微分截面的影响,计算了共面不对称和共面等能几何条件下,电子碰撞He(e,2e)反应的三重微分截面,同时给出了直接碰撞过程、交换碰撞过程以及干涉效应对三重微分截面的贡献.结果表明,三种碰撞过程对He(e,2e)反应三重微分截面影响是不可忽视的.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

(e,M)-内射模

本文引入了(e,M)-内射模的概念.设M是任意一个固定的右R-模.称右R-模X是(e,M)-内射模,如果对任意的基本单同态f:K→M,从K到X的任意同态都能扩张到M.本文给出了(e,M)-内射模的一些性质和刻画.     

中能级下(e,2e)三重微分散射截面的计算

入射能量为150eV时，电子入射离化氢原子，出射的2个电子共面但速度不同，引入一个实参数将总的动能算符分成两部分：结构因子和相关因子，讨论相关因子和入射角对recoil峰的影响。     

共面不对称几何条件下Xe 4d(e,2e)反应的理论研究

采用标准的扭曲波玻恩近似理论和修正后的扭曲波玻恩近似理论,计算了共面不对称几何条件下Xe 4d轨道(e,2e)反应的三重微分截面.散射电子能量为1 000 eV,敲出电子能量为100 eV,散射电子角度分别固定在2°和8°.理论计算与Avaldi等人的实验结果和理论计算进行了比较,发现两出射电子之间的后碰撞相互作用很弱,考虑极化效应会造成理论计算与实验结果产生很大差别,同时,散射电子和束缚电子之间的交换作用在反应过程中起着重要作用.     

高能e+e-碰撞喷注的判定及其性质的研究

用蒙特卡罗方法模拟e+e-碰撞,研究了在91.2Gev质心能量产生的双喷注事件的动力学起伏随截断参量ycutt的变化情况.结论是:(1)喷注内部的动力学起伏的各向异性随着截断参数ycut的变化而显著地改变;(2)存在一个转变点,在该点处动力学起伏在纵一横平面是各向同性的,而在横平面是各向异性的.     

初道屏蔽效应对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑初道屏蔽效应，计算了不对称几何条件下电子碰撞He（e，2e）反应的三重微分截面，并与BBK模型计算结果、DS3C模型计算结果、已有的CCC理论结果和实验数据做了比较.表明，考虑初道的屏蔽效应成功地修正了BBK模型和DS3C模型，改善了与实验结果的符合程度.     

一种基于IEEE802.16e的退避算法

IEEE 802.16e使用二进制指数退避算法进行随机竞争接入,但该算法的冲突概率较高;二进制负指数退避算法有较小的冲突概率,但是接入时延却偏大.对退避算法进行了改进,并将两种算法结合起来应用于IEEE 802.16e系统中,仿真结果表明,使用改进的退避算法,系统在接入概率和接入时延方面的性能都较好,适用于IEEE 802.16e周期测距.