柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法,研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量,电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势,在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上,给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明,随着量子线半径的增大,基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小,回旋共振频率也随之减小．该结果对以前的研究结果有所改进     

两全同二能级原子同时与真空腔场相互作用任意态的纠缠

应用负值量子条件熵,研究了在大失谐情况下,两全同二能级原子同时与一真空腔场相互作用任意态纠缠的时间演化.考察了统初态对两原子系之间量子纠缠的影响,并将结果与concurrence的时间演化作了比较.结果表明,负值条件熵能够作为该条件下两全同二能级原子同时与单模腔场相互作用任意态的,容易解析计算的纠缠度.图2,参12.     

波函数的时域衍射

在一级微扰近似下研究了弱高斯脉冲线性啁啾光场驱动下二能级系统的粒子跃迂过程,得到了类似于光的菲涅耳直边衍射形式的波函数解析表述．分析了波函数在时域的振荡以及系统极化强度的演化规律．结果表明,波函数在时域的演化是量子衍射的结果．     

五能级M型原子双重通道的量子信息存储和释放

主要构造了两束经典控制场驱动下的五能级M型原子介质与两束量子探测光场相互作用系统的暗态极化子.通过求得的暗态极化子讨论了两束探测光场的信息在2个量子通道上的存储和恢复.这对量子通讯和量子信息处理等领域的研究有积极意义.     

驻波光场中的二能级原子

原子与光场相互作用系统是很难求解的 ,通过对二能级原子与驻波光场相互作用系统进行求解 ,在光场强度较弱的情况下 ,得出了二能级原子与驻波光场相互作用系统的波函数、能量的可能取值、二能级原子质心动量的可能取量。     

圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.     

激光场与三个两能级原子相互作用

本文研究激光场与原子相互作用时，激光场用相干态描述，原子用自旋态描述，得到了场和原子各自的动力学变化规律。本文研究激光场与三个两能级原子的相互作用。在不同的初始条件下，得到了光子数与原子状态各自随时间的变化关系。光子数很大时，量子理论结果与半径典理论结果是一致的。     

矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质．采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能．以GaAs晶体为例进行了数值计算，结果表明：矩形量子线中极化子的相互作用能随量子线尺寸减小而增大。     

驻波光场中的二能级原子

原子与光场相互作用系统是很难求解的，通过对二能级原子与驻波光场相互作用系统进行求解，在光场强度较弱的情况下，得出了二能级原子与驻波光场相互作用系统的波函数、能量的可能取值、二能级原子质心动量的可能取量。     

自洽玻思近似下串联双量子点的量子输运研究

结合自洽玻恩近似,用量子输运主方程理论研究了串联双量子点在任意电压下的输运问题．结果表明,对于无多体相互作用情况,用修正后的主方程理论计算得到的稳态电流一电压特性关系,与用波函数方法获得的结果符合得很好。但单粒子波函数方法不便描述有多体相互作用的量子输运问题,说明白洽玻恩近似下的主方程理论是一个有效的理论方法．给出有库仑阻塞情况下的电流电压关系,得到通常情况下量子主方程不能得到的库仑台阶的量子展宽效应．     

外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射

文章研究了外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射.利用有效质量近似,以GaAs材料为例,计算了微分散射截面,结果表明,谐振子频率和外加电场的强度对拉曼光谱均有影响.拉曼光谱的峰值随着外加电场强度的增大而增大;在恒定的外加电场下,与电场方向相同的谐振子频率只影响峰值的大小,而与电场方向垂直方向的谐振子频率还对峰值的位置有影...     

外电场对碳原子线激发态特性的影响

利用含时密度泛函(Time-Dependent Density Functional Theory,TDDFT)方法在6-311++g**基组水平上研究了外电场对碳原子线前十个激发态特性和能级分布的影响.结果表明不同大小、不同方向的电场对碳原子线激发态和能级分布影响各不相同.其中沿分子轴方向较高的电场对碳原子线能级影响较为明显,影响了电子在分子中的输运,从而对碳原子线伏安特性产生一定的影响.     

自作用电子在外场中的非定态状态

论述了在非相对论近似下自组织带电物质的量子理论．得到了关于自作用电子在外场中的Ehrenfest定理和量子力学Newton运动方程,利用它们研究了自作用电子的非定态状态．结果表明：在任意外场中自作用电子的质心作如此的运动,就象没有Coulomb自作用力一样．自作用电子在均匀外场中的波函数不随时间扩散而保待自己的大小和几何形状．     

Single-shot read-out of an individual electron spin in a quantum dot

Spin is a fundamental property of all elementary particles. Classically it can be viewed as a tiny magnetic moment, but a measurement of an electron spin along the direction of an external magnetic field can have only two outcomes: parallel or anti-parallel to the field. This discreteness reflects the quantum mechanical nature of spin. Ensembles of many spins have found diverse applications ranging from magnetic resonance imaging to magneto-electronic devices, while individual spins are considered as carriers for quantum information. Read-out of single spin states has been achieved using optical techniques, and is within reach of magnetic resonance force microscopy. However, electrical read-out of single spins has so far remained elusive. Here we demonstrate electrical single-shot measurement of the state of an individual electron spin in a semiconductor quantum dot. We use spin-to-charge conversion of a single electron confined in the dot, and detect the single-electron charge using a quantum point contact; the spin measurement visibility is approximately 65%. Furthermore, we observe very long single-spin energy relaxation times (up to approximately 0.85 ms at a magnetic field of 8 T), which are encouraging for the use of electron spins as carriers of quantum information.     

光激励下的半导体纳米材料中杂质对超声的吸收研究

研究了在激光场中晶格振动与杂质核相互作用下,具有无限势垒量子阱结构半导体中的超声衰减问题.电子吸收声子不能从受体杂质能"带"跃迁到第一量子能级导带,但在高频激光场中却会发生,激光场补充电子跃迁吸收声子所需能量.对总超声吸收系数进行了推算,并将此结果应用到纳米砷化镓(GaAs/AlGaAs)量子阱样品中,发现其总吸声系数比相应的传统物质的吸收系数大得多.     

量子线中电子有效质量失配对电子-声子散射率的影响

以 Ga As/ Ga Al As量子线为例 ,计算电子的最低子能带内电子 -声学波声子散射率 .结果表明 ,电子有效质量失配对电子 -声学波声子散射率的影响不可忽视 .     

电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响

采用线性组合算符法和变分法研究了电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响，在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下，计算了抛物量子线中强耦合极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中强耦合极化子的基态能量Eo随约束强度ω0的增强而增大，而随电场强度F和量子线长Z的增大而单调减小．     

耦合双量子阱间的隧穿时间

通过研究在外电场驱动下的双量子阱系统中电子的动力学行为，利用微扰理论得到了两个量子阱间的相干隧穿时间及电子局域化条件，并用数值演化方法验证了上述理论结果的正确性．这一方法可以推广到多模电场作用下的系统．     

GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应

在有效质量近似下,利用微扰-变分法研究了GaN球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应.计算了杂质态结合能随量子点半径和外加电场强度的变化关系.数值结果表明,随量子点尺寸和外加电场强度的增加,基态能和结合能均单调降低.此外,随着量子点半径的增大,斯塔克效应变得越来越明显.结果还表明在同一外电场下,球形量子点中杂质态的斯塔克能移较无杂质时导带电子的斯塔克能移小.     

三电子耦合量子点的基态能谱

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中三层单电子垂直耦合量子点系统基态能谱。研究发现外磁场的存在会导致基态角动量出现不连续跃迁,量子点间的距离对耦合量子点的基态能谱有很大的影响,量子点内部的关联会导致一系列基态跃迁的消失。