关于Hellinger-Toeplitz拓扑的闭图定理

本文讨论的Hellinger-Toeplitz拓扑α对于任何对偶双(X,Y)有定义。一个可容拓扑α称为Hellinger-Toeplitz拓扑若对于任何两个对偶双(X_1,Y_1)、(X_2,Y_2),只要线性映照t:(X_1,σ(X_1,Y_1))→(X_2,σ(X_2,Y_2))为连续,必t:(X_1,α(X_1,Y_1))→(X_2,α(X_2,Y_2))也连续(见[1],11—1)。称Hellinger-Toeplitz拓扑α具有关于完备化的承继性,若对于任何对偶双(X,Y),(X,α(X,Y))的完备化(X,Y)恰为Y。相似地可定义α关于拟完备化和序列式完备化的承继性。     

H在含杂过渡金属表面化学吸附的DV—X_α方法研究

本文把量子化学中的DV—X_α方法运用于掺杂过渡金属表面化学吸附的研究。用此方法计算了H在含杂W(100)面顶位吸附的电子结构、吸附体系的分子轨道能级和电子态密度以及杂质原子Re和Ta对化学吸附的影响。     

锂原子偶极跃迁振子强度的计算

本文用Hartree-Fock-Slater(HFS)近似和X_α近似计算了锂原子频率在2×10~4—4×10~4(10~(10)秒~(-1))范围内偶极跃迁的振子强度,同实验结果比较表明X_α近似是工程上大量计算原子振子强度省时可靠的方法。     

光电子能谱和Raman光散射增强效应的MS—X_α计算

本文用MS—X_α方法计算了乙硼烷的光电于能谱,并讨论了其成键情况。本文用MS—X_α方法和电荷分割近似计算了电荷转移络合物的电荷分布,讨论了电荷转移随键长的变化规律和Raman光散射增强效应。     

Fuzzy乘积空间与其某些子集的连通性

本文目的是研究fuzzy拓扑空间族{(X_α,τ_α)|α∈Ω}的乘积空间(X,τ)的连通性,以及它的子集即X上fuzzy集∩P_α~(-1)(A_α)与∪P_α~(-1)(A_α)在乘积空间(X,τ)中的连通性,其中A_α是X_α上fuzzy集与P_α:X→X_α是投影映射,对于α∈Ω。     

用代数方程求射影向量

设■=L(α_1,α_2,…,α_m)是R~n的一个子空间,α_1,α_2,…,α_m,β∈R~n是列向量,则β_0=X_10α_1+…+X_m0α_m是β在W上的正(内)射影,当且仅当(X_10,…,X_0)′是线性方程组的解,此处A′是A的转置矩阵。     

氢原子嵌入钛原子簇的分子轨道研究

对于氢原子定位于Ti_4,Ti_5,Ti_(17)和Ti_(20)等钛原子簇的问题,应用推广的Huckel 分子轨道(EHMO)理论进行了研究。与前人所作从头算的结果一致,发现氢原子在完全晶体的外部三重配位的位置上优于内部各处。而在钛原子簇内又是四面体环境优于八面体环境.氢原子在内部各处时的结合能.还因为邻近空穴的存在增大.较之表面位置而言,确实只有与空穴相邻的四面体位置是唯一稳定的内部环境。Ti_(17)的态密度图表明,由氢而产生的带位于Fcrmi 能级下约6.5ev 处,光电子发射的结果是定性相符的.     

正则与LR—BCI—代数

在作者已研究的正则BCK—代数结果的基础上,本文继续讨论正则BCI—代数,并进一步引进LR—BCI—代数的概念,得到了一些有意义的结果。定理1 设是BCI—代数簇{:α∈I}的积代数,那么,X正则的充分必要条件是每一个X_α都是正则的。定理2 设X是BCI—代数.如果X是正则的,那么,X的任意商代数也是正则的。定理3 每一个可解优BCI—代数都是正则的。     

SiO2负载Ni,Ru,Rh,Pd催化剂的电子结构及对CO／H2反应的催化性能

运用SCC—DV—X_α方法计算了Ni/SiO_2、Ru/SiO_2,Rh/SiO_2,Pd/SiO_2催化剂模型的电子结构。从催化剂模型的前线轨道的组成的比较中看到,Pd/SiO_2的HOMO 中d 轨道成份陡然下降,说明其反馈到CO 的2π~*上的d 电子密度锐减,所以不能使CO 解离,进而可以说明Pd/SiO_2上CO 加H_2生成CH_3OH 的机理。本文认为LUMO 中的d~((2))成份在—CH_2插入(链增长)中起重要作用,由Ni/SiO_2中几乎无d~((2))成份可以说明Ni/SiO_2中只生成CH_4而无长链烃生成的原因。     

二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

高电荷态离子40Arq+与Au表面作用产生的X射线谱

利用光谱技术研究了高电荷态离子⁴⁰Ar^q+(q= 16, 17, 18)离子入射金属Au表面产生的X射线谱. 分析结果表明, Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的. 当电子组态为1s²的高电荷态Ar¹⁶⁺离子在金属表面中性化过程中, 存在着多电子激发过程使Ar¹⁶⁺的K壳层电子激发产生空穴, 进而级联退激发射 Ar 的 Kα特征 X 射线. 入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关, 靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.     

截断和的极限定理

设{X_n,n≥1}i、i、d,X_(n,1)≤X_(n,2)≤…≤X_(n,n)是X_1,X_2,…,X_n的次序统计量。r是固定的非负整数。令是正实数列。本文证明了在一定的条件下 p(Sα(r)>α_(n),i,0)=p(X_(n,n-r)>α_n,i,0)     

研究稀土化合物电子结构的理论方法

本文介绍了近年来在国外兴起的多重散射X_α方法、电荷自洽离散交分X_α方法和多极电荷密度自洽离散变分X_α方法。讨论和比较了自六十年代以来适用于该领域的理论方法。     

铁基超导体中动能参数对费米面的影响

压力效应或在基底上的单层铁基超导体中配体环境的改变可以导致Fe—As(Se,Te)键的变化,从而影响铁平面上的电子态.根据1个铁基超导体中的二轨道四带紧束缚模型,研究了与Fe—As(Se,Te)键相联系的动能参数对费米面的影响.通过调节动能参数,获得了围绕Γ点的空穴型α和β费米面和围绕M点的电子型γ和δ费米面的变化趋势.动能参数t1、t2和t3可以改变空穴型费米面和电子型费米面的形状和大小,动能参数t4决定了2个空穴型费米面之间和2个电子型费米面之间的距离.通过比较存在压力情况下或单层铁基超导体的实验所得的费米面和我们的结果,便能确定相应系统的紧束缚模型.     

CO吸附在钯表面的电子能谱SCC-DV-X_a量化计算

用SCC-DV-X_α(Selt-Consistent-Charge-Decrete Variational-X_α)方法计算CO 吸附在Pd(100)表面的电子能级、态密度、前沿轨道等.结果表明,钯原子簇的桥位对CO有较好的催化活性;CO与Pd原子的配位键含有Pd原子的d、p轨道成份;吸附后的CO 5σ与1π能级间隔大大缩小,在态密度图上出现的对应于CO的5σ+1π与4σ二个吸附峰的位置和计算值,与UPS所观察到的二个CO吸附峰的位置和测量值相吻合。     

对称性与分子轨道

在非正交基空间中，引入“逆基矢量”，建立了正交性与完全性定理，因而提供了对称性分析的基本方法，并对分子轨道方法进行了讨论。 通过对称性分析，直接导出了立方对称分子的分子轨道，振动的本征矢量及对称元素不可约表示矩阵，它可以研究分子变形或振动对分子轨道的影响，与推广的Ｈüｃｋｅｌ法（ＫＨ）或自洽场Ｘα散射波（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）方法结合可以更好地研究大分子、固体的缺陷杂质和表面等问题。     

DV—Xα计算MgO V^2＋晶体场谱

用延伸的DV—X_α方法计算了MgO:V~(2 )晶体的全部晶场光谱项能,得到了与实验值较一致的结果。     

表面结构可调控的α-Fe_2O_3薄膜的制备及光电化学活性研究

空穴界面传递阻力过大是影响α-Fe2O3薄膜光电催化活性的主要原因之一,本文旨在探讨通过调控薄膜表面纳米结构从而优化空穴界面传递动力学的可能性.基于简单的电化学沉积路线,制备了表面纳米结构可调控的α-Fe2O3薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射(XRD),紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)分别研究薄膜样品的形貌、结构和光吸收性能;采用斩光计时电流(I-t)、循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱(EIS),开路光电压演变(Voc)等光电化学测试技术对影响样品光活性的因素进行研究.结果表明,有尖锐突起纳米结构的表面相比于平坦表面更加利于空穴的界面传递,从而减弱了由于空穴积累而导致的复合加剧问题.     

α中的交换势和交换参数

突破Fermi空穴的限制,本文提出,交换空穴是比Fermi空穴更大的区城,纯交换电荷可分布在交换空穴内,求得的α的理论值与α_(HF)符合得极好。     

碱金属离子在汞金属界面吸附作用的量子化学研究

应用量子化学方法对碱金属离子在汞金属界面的吸附作用进行了研究.选取汞金属界面的3个典型的位置(空穴、桥位和顶点),采用MP2方法计算得到Li+、Na+、K+3种离子在汞表面不同位置的吸附能.结果 表明:3种金属离子都是在空穴位置有较大的吸附能,然后是桥位和顶点位置;对于平衡结构,从Li+到Na+和K+,随着离子半径的增...