首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10篇
  免费   1篇
  国内免费   3篇
教育与普及   1篇
综合类   13篇
  2020年   3篇
  2012年   1篇
  2008年   3篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   1篇
排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
当不同动能(350-600keV)高电荷态离子129Xe30+入射Au表面过程中,发出了1.65keV的X射线和靶原子的Mα特征X射线.分析表明:高电荷态离子与Au表面相互作用过程中,Xe离子3d壳层的电子被激发,形成空穴,4f电子偶极跃迁辐射1.65keVM-X射线.同时,靶原子Au的3s电子被激发,退激辐射M-X射线.利用经典过垒模型解释了Xe的M-X射的产额随入射离子的动能增加而减小,靶原子的特征X射线产额随入射离子的动能增加而增加的原因.  相似文献   
2.
实验利用束流衰减法测量了43.7AMeV丰中子核^17B与C靶反应的总截面σR=(1724±93)mb.用零程Glauber计算,假定^17B具有核芯^15B和两个价中子结构,输入GG和GO密度分布,计算的激发函数曲线与该实验数据很好符合,输入描述稳定核双参数Fermi密度分布,不能得到与实验数据符合的结果,表明^17B是核芯^15B+2n的假定是合理的.并且中子密度分布表现较大空间扩展.晕结构特征.  相似文献   
3.
用相对论平均场(RMF)理论系统地计算了A<40的原子核的基态性质,讨论了轻核的均方根半径,给出了原子核均方根半径对原子核平均结合能及同位旋的依赖关系.在理论计算与实验数据的基础上,提出了一组唯象公式,用于描述A<40的所有原子核的质子与中子均方根半径.该公式考虑了原子核的平均结合能,分离能及同位旋效应,不仅可以很好地符合稳定核的均方根半径,也能符合远离(稳定线的原子核的半径,包括有晕结构的核.  相似文献   
4.
高电荷态离子40Arq+与Au表面作用产生的X射线谱   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用光谱技术研究了高电荷态离子40Arq+(q= 16, 17, 18)离子入射金属Au表面产生的X射线谱. 分析结果表明, Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中在固体表面之下形成的空心原子发射的. 当电子组态为1s2的高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中, 存在着多电子激发过程使Ar16+的K壳层电子激发产生空穴, 进而级联退激发射 Ar 的 Kα特征 X 射线. 入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关, 靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关.  相似文献   
5.
6.
速度小于Bohr速度(vBhor=2.9×10^6m/s)的高电荷态离子^40Ar^16+(动能EK=150keV,速度v=8.5×10^5m/s)入射金属(Ni,Mo,Au和Al)表面,同时测量产生的Ar原子近红外光谱线和X射线谱.实验结果表明,低速高电荷态离子在金属表面俘获电子中性化,形成多激发态的Ar空心原子,空心原子退激辐射从近红外光谱线到X射线波段谱线,近红外光谱线辐射强度说明,低速高电荷态离子在金属表面中性化过程中,金属的功函数起着重要作用,进而验证了经典过垒模型.  相似文献   
7.
测量了Xe^25+和Xe^29+入射Mo金属表面发出的L壳层的x射线谱,观测入射离子动能范围在350~600keV之间的x射线强度.研究了x射线强度与入射离子动能及电荷态的关系,并给出了初步解释.  相似文献   
8.
用高电荷态离子129Xeq+ (q=25, 26, 27)轰击金属Au表面, 产生Au原子的特征X射线谱. 实验结果表明, 足够高的电荷态低速离子激发靶表面原子, 无需很强的束流强度(nA量级), 便可有效地产生重原子的特征X谱线(Au, Ma), 单离子X射线产额可达10-8量级, 特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加. 通过Au原子Ma的特征X射线谱, 利用Heisenberg 不确定关系对Au原子的第N能级寿命进行了估算.  相似文献   
9.
40Ar10+轰击Al和Si固体表面形成的200 ~ 1000 nm光谱   总被引:2,自引:1,他引:2  
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源提供的高电荷态离子40Ar10+入射到Al和p型Si表面所产生的Al, Si, Ar原子的200~1000 nm特征光谱的实验测量结果. 结果表明, 低速高电荷态离子与固体表面原子相互作用可有效地激发靶原子和靶离子的特征谱线, 而且由于发射二次电子的无辐射退激与辐射光子退激过程的竞争, 使得在p型Si表面上Ar原子的光谱强度总体大于在Al表面上的光谱强度.  相似文献   
10.
54 MeV/u8B+Si反应总截面的测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
能量为75 MeV/u的 12C初级束轰击2 mm厚的初级Be靶,兰州放射性束流线从弹核碎片中分离出54 MeV/u的质子滴线核束8B,再注入到Si靶上,用透射法测量了8B与Si的反应总截面σR.对于8B,如果用正常的核物质密度分布代入Glauber模型中,计算得到的反应截面值比实验值小得多,而用扩展的质子密度分布代入该模型中进行计算,则计算值与实验值符合很好.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号