首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 479 毫秒
1.
PbTiO3铁电薄膜的应力与尺寸效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
用推广的Landau Devonshire理论研究了应力与尺寸效应对PbTiO3(PTO)薄膜的铁电/介电性质的影响.研究表明:在外推长度δ>0时,张应力使膜的相变温度降低、自发极化减小,压应力使膜的相变温度升高、自发极化增加.在温度一定时PTO薄膜存在一个临界应力σc,当应力大于σc时,任意膜厚都保持顺电相.当应力小于σc时,存在尺寸驱动的相变,即当膜厚大于临界尺寸Lc时,膜进入铁电相;而当膜厚小于临界尺寸Lc时,膜处于顺电相.  相似文献   

2.
用推广的Landau Devonshire理论研究应力与尺寸效应对PbTiO3 铁电薄膜的相结构和稳定性的影响 .对PbTiO3 铁电薄膜的温度与应力相图、不同压应力作用下的膜厚与自发极化、膜厚与居里温度的关系图等进行计算 .结果表明 :对PbTiO3 铁电薄膜 ,在外推长度δ >0时 ,应力 (压应力或张应力 )作用总是使居里温度升高及有利于铁电相的稳定 ;在薄膜中施加大的压应力时 ,铁电相可存在于更薄的膜厚中 ,但当膜厚达到临界厚度后 ,薄膜始终处于顺电相 ,也即存在尺寸驱动相变 .  相似文献   

3.
建立了三层铁电复合薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,引入表示不同材料过渡层性质的局域分布函数,重点研究了具有不同相变温度的铁电材料复合而成的铁电薄膜的极化性质.通过改变不同铁电材料的复合方式及不同铁电材料之间过渡层的厚度,计算了铁电多层膜内部的极化强度分布.研究表明,不同相变温度的铁电材料间复合方式以及它们之间的过渡层的厚度对铁电薄膜的极化分布都有着重要的影响,并且存在临界过渡层厚度,其它复合铁电薄膜的极化分布曲线都在取两临界过渡层的曲线之间.  相似文献   

4.
建立3种具有不同相变温度的铁电材料垂直于极化方向复合而成的铁电薄膜的理论模型,在ginzburg-landau-devonshire (GLD)唯象理论的框架下展开研究,同时引入局域分布函数来描述不同材料间过渡层的性质,主要研究了复合铁电薄膜的热释电性质.通过改变3种不同铁电材料的复合方式,计算了铁电多层膜内部的极化强...  相似文献   

5.
乙醇汽油体系热力学性质的研究   总被引:3,自引:3,他引:0  
用低温绝热量热计测量了国产93#无铅汽油和乙醇混合体系(10wt%乙醇 90wt汽油)在78~320K温区的热容.用最小二乘法拟合了热容与温度的函数关系.由热容随温度的变化曲线可知,混合体系在93.17K发生玻璃化转变;在150.86K发生固-液相变,分别计算了相变过程中的焓变和熵变.计算了以298.15K为基准的该混合体系的热力学函数。  相似文献   

6.
以生长在不同电极衬底:MgO,c-sapphire,a-sapphire,Si上的钙钛矿PbTiO3(PTO)/Terfenol-D压电/压磁异质结为例,利用唯象热力学理论研究了热应力对压电/压磁异质结磁电耦合效应的影响.计算结果表明,铁电薄膜内的热应力强烈依赖于薄膜沉积温度与衬底、薄膜之间热膨胀系数的差异,而热应力又显著影响磁电耦合性能.对于热膨胀系数大于薄膜材料的衬底,如MgO,铁电薄膜内的热应力为压应力,导致压电/压磁异质结的磁电电压系数增强;对于热膨胀系数小于薄膜材料衬底,如c-sapphire,a-sapphire,Si,铁电薄膜内热应力为拉应力,导致压电/压磁异质结的磁电电压系数减小.研究提出了通过改变沉积温度以及选择合适衬底来调控压电/压磁异质结磁电耦合效应的新思路,为工程上增强压电/压磁异质结磁电耦合性能提供了新的途径.  相似文献   

7.
运用Landau-Ginzburg-Devonshire理论与热力学理论,研究了量子顺电EuTiO_3纳米线的电致熵变特性。研究表明在高温铁电-顺磁区域,当ΔE=100 k V/cm,R=0.8 nm时,可获得较大的绝热温度差ΔT=7.4 K;在低温区0~30 K,在一定的表面径向应力、一定的半径尺寸下,EuTiO_3纳米线可以实现铁电-铁磁性,在磁相变温度附近,绝热温度差可以达到一个较大的峰值,且峰值随着纳米线半径的增大和表面张量系数的减小而略有增大。当μ=10 N/m,R=1.0 nm时,可获得较大的绝热温度差ΔT=2.2 K。  相似文献   

8.
反铁电爆电换能电源研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
为了建立铁电-反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系,采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电-反铁电相变性能,分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特性。实验结果表明:铁电-反铁电相变中的输出功率与材料面电荷量的平方成正比,与实现相变的时间成反比。在此基础上提出了增加输出功率的途径。通过改善材料电滞回线的方直比,可以提高材料面电荷密度和缩短相变时间。  相似文献   

9.
基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制.  相似文献   

10.
对反铁电-铁电相界附近的Nb掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷,采用2GPa等静压装置测试了其在不同等静压力下的介电温度性能,分析了各种介电异常,发现了精细的相变特性,指出随着温度升高,在较低的等静压范围内发生反铁电-铁电-顺电相变,而在较高的等静压范围内发生反铁电-顺电相变,其中,铁电相分为微弱频率弥散的弛豫型铁电相和正常铁电相两个不同的介电性能区域,最后,得到了该组分材料的温度-等静压相图。  相似文献   

11.
SAG法合成钛酸铅纳米晶粒的工艺和结构研究李永祥刘泽吴冲若(东南大学电子工程系,南京210096)PbTiO3是应用广泛的铁电和光电材料之-,研究PbTiO3纳米晶粒的合成技术和电学性能对基础研究和新型复合功能材料研究都有重要意义.作者曾采用Sol...  相似文献   

12.
利用溶胶-凝胶法制备不同粒径的PbTiO3纳米晶.表面光电压谱的研究结果表明,随粒径尺寸的减小,其表面光伏响应发生谱带加宽现象,并出现新的体相跃迁光伏响应结构.这些特性是小尺寸PbTiO3纳米晶内不同于体相PbTiO3的Ti4 的d轨道配位环境的体现.  相似文献   

13.
采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.  相似文献   

14.
采用水热法合成钙钛矿结构钛酸铅(PbTiO3)纳米线.水热温度对产物的形貌有较大的影响,PbTiO3纳米线的直径为10~20 nm.变温Raman光谱研究表明,随着温度的升高,位于600 cm-1以上声子的振动频率变化不大,而位于低频的振动峰发生了红移或消失;PbTiO3纳米线在283℃发生正交→四方的结构转变,而在435℃附近对应于PbTiO3纳米线的四方→立方转变.  相似文献   

15.
利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10~(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁电相变过程中晶体和外界的能量交换主要来自屏蔽电荷的激发.  相似文献   

16.
应用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD) 理论研究了 非理想表面对夹持在两个金属电极间的一级铁电薄膜性质的影响. 结果表明, 非理想表面层的存在降低了一级铁电薄膜的铁电相变转变温度, 当两个表面层不对称时, 铁电薄膜的电滞回线失去了中心对称性.  相似文献   

17.
考虑在O-Ti-O链上的Sahn-Tellen效应和库仑相互作用,我们讨论了PbTiO3的结构相变。从简单的类氢原子和有效电点荷模型出发,计算了PbTiO3铁电相到顺电相相变温度,计算结果和实验数据符合。  相似文献   

18.
在自由边界条件下计算了立方钛酸钡有限尺寸晶体中原子的简谐振动模 ,发现许多简谐子软模。用这些软模花样说明了晶体冷却时发生具有a畴和c畴结构的铁电相变。理论表明铁电相变过程涉及屏蔽电荷的激发及其在界面的缓慢扩散 ,以最后得出各个电畴内部的均匀自发极化。铁电相变过程的这些细节 ,都得到了实验的有力证明  相似文献   

19.
对溶胶-凝胶法制备的PLZT薄膜进行介电温度谱测试,根据不同温度ε′-ε″曲线的Cole-Cole经验公式进行拟合,并对PLZT薄膜的弛豫铁电体特性进行分析.实验结果表明:样品出现弥散相变,属于弛豫铁电体,且内部存在氧缺陷;样品的介电常数、最可几弛豫时间以及由经验公式拟合得到的温度函数在100~110℃温度范围内出现异常,结合材料介电响应理论说明材料晶体结构类型出现变化.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号