形变双奇核~（186）Au的高自旋态能级结构

利用重离融合蒸发反应和在束γ谱学验方法,研究了双奇核186Au的高旋态能级结构.扩展了186Au核基于πh9/2i13/2和πi13/2i13/22-准粒组态的转动带能级纲图,并重新指认了两条转动带的能级旋值,发现两条转动带在低旋区均出现旋称反转.系统地分析了Au同位素双奇核πh9/2i13/2,πi13/2i1/3和πh-111/2-νi-1312转动带的旋称劈裂特征.本工对186Au核πh-111/-2νi-132/2j（j=p3/2,f5/2）转动带（17＋）态之上能级结构了修改.根据验提取的准粒顺排角动量以及对Au双奇核带结构的系统性比较和分析,别出了一条组态为πh-111/-2νi-1322h-19/2的扁椭球转动带.     

^139Pm高自旋态的实验研究

通过重离子核反应^116Cd（^27Al,4n）与在束γ谱的实验技术,对A=130-140核区的奇A核139Pm的高自旋态进行了研究.根据γ-γ符合关系、γ射线的相对强度和各向异性度的测量结果,扩展并更新了^139Pm的能级纲图.实验观测到基于πh11/2和πg7/2 [πh11/2]^2（或者πd5/2 [πh11/2]^2）组态的转动带,利用已有的理论计算结果对这些转动带进行了解释.同时还观测到三个具有很强M1跃迁、旋称劈裂很小的△I=1的带.通过简单分析和系统学比较,指认了它们的组态,发现它们具备磁转动带的特性,很可能是磁转动带.     

稳定核~（193）Ir的高自旋态

利用非完全熔合反应192Os（7Li,α2n）布居了稳定核193Ir的高自旋态.基于标准在束γ谱学实验测量结果,扩展了193Ir核原有的能级纲图,并首次观测到了建立在πh11/2组态上的转动带能级结构.根据邻近奇A核已有的高自旋态核结构知识,通过系统学比较和分析,建议了193Ir核的3-准粒子组态.实验发现187-193Ir核πh11/2转动带的旋称劈裂随着中子数的增加而逐渐增大.利用Total-Routhian-Surface理论计算,可以定性地解释这种变化规律.     

稳定核^91Zr高自旋态实验研究

利用能量为44MeV的13C束流,通过重离子熔合蒸发反应82Se（13C,4n）91Zr布居了稳定核91Zr的高自旋态.基于γ-γ符合关系扩展了91Zr21/2＋同核异能态上的能级纲图,根据实验提取的γ跃迁的角分布系数对部分能级的自旋进行了指认.前人对21/2＋同核异能态下正负宇称能级已指认为质子在π（p1/2,g9/2）轨道的激发耦合价中子vd5/2;在π（f5/2,p3/2,p1/2,g9/2）和v（d5/2,s1/2,d3/2,g7/2,h11/2）空间内,经过系统性的分析和比较91Zr邻近核高自旋态能级结构,指出同核异能态上正宇称态激发机制依次为质子跨越38子壳π（f5/2,p3/2）→πp1/2激发和中子跨越50闭壳vg9/2→vd5/2激发,同核异能态上负宇称态可能涉及质子跨越38子壳π（f5/2,p3/2）→πg9/2激发与价中子vd5/2→vh11/2激发的竞争.     

形变双奇核1944Au中的强耦合带

利用重离子融合蒸发反应159Tb（29Si,4nγ）194Au布居了形变双奇核184Au的高自旋态,用GASP探测器阵列进行了在束γ实验测量．通过对实验数据的深入分析,新发现了一条可归属于184Au核的强耦合转动带．基于对转动带有效K值的分析以及从实验数据中提取出的带内B（M1）／B（E2）值与理论计算值的比较,建议了转动带的准粒子组态和能级的自旋宇称值．     

在πh_(11/2)νi_(13/2)扁椭球转动带中观测到旋称反转

利用160Gd(35Cl,5nγ)190Tl反应研究了双奇核190Tl的高自旋态,建立了由πh9/2?νi13/2扁椭球转动带和一个具有单粒子激发特征的级联组成的190Tl能级纲图.确定地指定了190Tl扁椭球转动带的自旋值,首次发现了190Tlπh9/2?νi13/2扁椭球转动带的低自旋旋称反转.基于双奇核Tl能级结构的相似性,重新指定了双奇核192~200Tlπh9/2?νi13/2扁椭球转动带能级自旋值,在这些扁椭形变核中均出现了低自旋旋称反转.考虑了p-n剩余相互作用的2-准粒子-转子模型能够定性地解释πh9/2?νi13/2扁椭球转动带出现的低自旋旋称反转现象.     

在πh11/2( )Vi13/2扁椭球转动带中观测到旋称反转

利用160Gd(35Cl,5nγ)190Tl反应研究了双奇核190Tl的高自旋态,建立了由πh9/2( )vi13/2扁椭球转动带和一个具有单粒子激发特征的级联组成的190Tl能级纲图.确定地指定了190Tl扁椭球转动带的自旋值,首次发现了190Tlπh9/2( )vi13/2扁椭球转动带的低自旋旋称反转.基于双奇核Tl能级结构的相似性,重新指定了双奇核192～200Tlπh9/2( )vi13/2扁椭球转动带能级自旋值,在这些扁椭形变核中均出现了低自旋旋称反转.考虑了p-n剩余相互作用的2-准粒子-转子模型能够定性地解释πh9/2( )vi13/2扁椭球转动带出现的低自旋旋称反转现象.     

^187Pt的高自旋态能级结构

利用在束γ谱学技术和^173Yb（^18O,4n）熔合蒸发反应研究了^187Pt的高自旋态能级结构．实验观测到基于vi13/2,v7／2^-[503],vi^213／2vj,v312^-[512]和v1／2^-[521]组态的转动带,并且利用推转壳模型对这些转动带的性质进行了解释．总Routhian面计算表明：vi13/2转动带具有显著的负γ形变;负宇称带具有近似长椭球的形变．通过比较带内B（M1）／B（E2）比率的实验值和由D6nau和Frauendorf半经典公式得到的理论值,发现v7／2^-[503]转动带在低转动频率下的带交叉是由一对h9／2质子顺排引起的．     

双奇核168Ta高自旋态能级结构

用能量为140MeV的27Al束流轰击145Nd氧化靶,通过145Nd（27Al,4nγ）168Ta熔合蒸发反应对双奇核168Ta的高自旋态进行了实验研究．扩展了基于πh11/2×vi13/2和π5／2^＋[402]×v512^＋[642]准粒子组态下的转动带能级纲图．根据实验测量结果,对两转动带的准粒子顺排特征作了分析．通过B（M1）/B（E2）的理论与实验值比较以及168Ta相邻双奇核能级间隔系统性,进一步确定了两转动带的准粒子组态和能级的自旋字称．     

173W的高自旋态和γ5/2~-[512]转动带的旋称反转

利用150Nd（28Si,5n）熔合蒸发反应居了173W的高旋态.于标准在束核谱学实验测量结果,扩展了于γ7/2＋[633],γ5/2-[512]和γ1/2-[521]准组态的转动带.首次建了173W γ1/2-[521]转动带的能量非优先分支.发现γ5/2-[512]转动带在低旋区出现旋称反转.相似的旋称劈行为表明174Reπ1/2-[541]γ5/2-[512]转动带的旋称反转来位于5/2-[512]轨道的中.旋称反转制有待进一研究.     

双奇核~(128)Ⅰ的高自旋态

利用重离子熔合蒸发反应124Sn(7Li,3n)布居了双奇核128I的激发态.基于标准在束γ谱学实验测量结果,扩展并更新了128I原有能级纲图.根据已有的高自旋态核结构知识,通过系统学比较和分析,指出了基于π(g7/2/d5/2)vh11/2组态的负宇称能级结构和πh11/2πh11/2组态的正宇称能级结构.     

二氯卡宾消耗臭氧的反应机理研究

采用密度泛函理论对单重态势能面上的二氯卡宾1 CCl2与臭氧1 O3反应的微观机理进行了研究.在B3LYP/6-311G(d,p)水平上全参数优化反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,同时使用内禀反应坐标(IRC)在同一水平上对过渡态与中间体之间的联系进行了确认,并且在QCISD/6-311G(d,p)水平上计算了各驻点的单点能.研究得到1 CCl2与1 O3反应的8种产物通道,即P1(Cl2CO+1 O2)、P2(CO2+ClClO)、P3(CO3+Cl2)、P4(CO+ClOOCl)、P5(CO2+ClOCl)、P6(v-CO2+ClOCl)、P7(ClCClO+1 O2)和P8(COO+ClOCl),其中通道P1(Cl2CO+1 O2)是最主要的产物通道,通道P2(CO2+ClClO)、P3(CO3+Cl2)、P4(CO+ClOOCl)对反应体系的产物贡献依次减小,而通道P5(CO2+ClOCl)、P6(v-CO2+ClOCl)、P7(ClCClO+1 O2)和P8(COO+ClOCl)很难生成.     

HCNO＋OH反应机理的理论研究

为揭示HCNO与OH自由基反应的微观机理,采用密度泛函理论（DFT）在B3LYP／6—311G（d,P）水平上对该体系可能出现的7个反应通道上各反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型进行了搜索、几何全优化和振动分析验证,并在QCISD（T）／6-311G（d,P）水平上进行了能量校正．计算结果表明：各反应通道均为多步过程,反应的主产物为H2NO＋CO和HCO＋HNO,它们分别经历通道3和通道7而最后生成．     

氟代次甲基与氧气的反应机理研究

在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了CF自由基与O2反应的微观机理.对反应势能面上的各反应物、过渡态、中间体和产物的几何结构进行了全参数优化,且在QCISD/6-311G(d,p)水平上计算了它们的能量.研究发现CF+O2反应在高温过程中重要,有3个产物通道,即F+CO2、FCO+O和FO+CO,其中最有竞争力的通道为F+CO2,其次为FCO+O通道,FO+CO通道可能难发生.与CH+O2反应比较发现两者有相似的地方,如第一步都是CX(X=H或F)自由基进攻O2分子中的一个氧原子形成链状过氧化物XCOO.两反应机理也存在很多不同之处,如HCO+O和FCO+O通道的形成过程有很大的不同;两反应速率也相差较大.CH+O2反应快,CF+O2反应慢.     

HfO_x缓冲层对γ-Fe_2O_3纳米微粒膜电阻开关特性的影响

本文利用射频磁控溅射和滴涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了HfOx/γ-Fe2O3/HfOx三明治结构,研究了HfOx缓冲层对γ-Fe2O3纳米微粒薄膜电阻开关特性的影响.微结构观测分析结果显示:γ-Fe2O3纳米微粒平均粒径约为34.3 nm,HfOx缓冲层为氧配比不足的单斜相多晶薄膜.电学性能测试表明:插入HfOx缓冲层后,γ-Fe2O3纳米微粒薄膜的电阻开关特性明显改善:在-0.8 V读取电压下,高/低电阻态阻值平均比值约为18.7,该比值可稳定维持100个循环周期.指数定律拟合实验曲线结果表明:高阻态漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主;而低阻态则以欧姆接触电导为主.Ag上电极与HfOx缓冲层界面处氧离子的定向漂移使得薄膜中氧空位缺陷形成的导电细丝通道周期性地导通与截断,从而使得薄膜呈现电阻开关效应.