纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底

采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。
     

纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底

采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2．1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。     

天津赛法:精湛技艺绽放蓝宝石光辉

天津赛法晶片技术有限公司处在半导体照明产业链的起始环节——衬底材料的生产(晶片加工),是目前国内唯一的蓝宝石晶片生产厂家。说起蓝宝石,我们首先想到的是首饰上熠熠放光的晶体,而蓝宝石材料,是氮化物半导体衬底、集成电路衬底的首选材料。α-Al2O3单晶,即蓝宝石晶体,是目前最常用的GaN的外延衬底材料。众所周知,GaN是直接带隙材料,     

氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响

采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性能以及表面形貌．研究表明，GaN低温缓冲层生长之前的氮化衬底工艺对GaN外延层表面形貌、发光性能、电学性能有显著影响．合适的氮化衬底条件可得到表面形貌、发光性能和电学性能均较好的GaN外延膜．研究表明长时间氮化衬底使GaN外延膜表面粗糙的原因可能是由于氮化衬底影响了后续高温GaN的生长模式，促使GaN三维生长所导致的．     

Si图形衬底的制备及半极性GaN生长

利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18.45°,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1-101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1 556弧秒.     

集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料

探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处。该项目成果已在中科院微电子所、台湾科技大学及平坦化协会和美国硅谷研发中心（SVTC）与目前国际上以Cabot公司为代表的酸性浆料进行了评估验证,获中国及美国发明专利和近10年的应用基础。     

2004年度我市国家农业科技成果转化资金项目得到专家的充分肯定

宜宾林海竹荪开发有限公司是一家集科研、开发、生产、经营为一体的农业高科技民营科技型企业，该公司法人代表王乾友是四川省劳动模范，省人大代表，食用菌高级技师，其发明的玉米套种竹荪立体栽培技术获得国家发明专利。2004年该公司“竹荪系列产品加工工艺优化及产品中试”项目获得国家科技部，财政部70万元农业成果转化资金的支持。     

广东金龙果业成功开发出益微SOD龙眼

广东省高州市金龙果业科技有限公司与中国农业大学开展技术合作，成功开发了益微SOD龙眼。2004年，该公司的益微SOD研究与应用获得国家教育部科技成果二等奖，2006年9月世界华商企业家协会授予该公司系列产品为“中华名优新特产品”称号，2006年10月再次获得中国国际农交会的畅销产品奖。     

单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光

采用化学气相沉积的方法在In_0.1Ga_0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In_0.1Ga_0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p⁺-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰（约380 nm）和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。     

生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响

采用MOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究．用X射线双晶衍射、电化学CV技术对GaN的结晶性能和电学性能进行了表征．研究表明，GaN的生长模式对其电学性能和结晶性能影响很大．在高温GaN生长初期，适当延长GaN的三维生长时间，能明显改善GaN薄膜的结晶性能，降低薄膜的缺陷密度和本底载流子浓度，使GaN质量明显提高．