硅PNP型晶体管的沟道漏电

近几年来,硅PNP型晶体管获得越来越广泛的用途,但与NPN型晶体管相比制造工艺比较困难,主要是表面沟道漏电,造成成品率低,可靠性差。本文通过对沟道漏电的理论分析,采取相应措施,基本上消除了沟道漏电,在大批量生产中,中测管芯成品率达80%以上。     

影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素

提高管芯成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少宝贵的经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们自己实践的基础上,本文想就影响电路管芯成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。     

提高500A 2KV风冷硅整流元件质量的若干问题

本文阐述了提高500A、2KV风冷硅整流元件质量的三个问题:提高500A、2KV以上管芯成品率;提高整流元件表面的稳定性;提高整流元件的电流过载能力。应用电子计算机计算分析了元件功率损耗及结构参数对过载瞬时最高结温的影响。根据过载瞬时最高结温和元件的高温特性,初步分析了元件的极限过载能力。     

碘化铵-淀粉试剂显示集成电路元件漏电的研究

近几年来,随着集成电路的集成密度不断提高和管芯面积不断缩小,在集成电路的科研和生产中,为了提高器件的性能和成品率,对工艺过程的检测分析提出了更高的要求.本文介绍一种用碘化铵-淀粉试剂显示集成电路元件漏电的方法.其基本原理与阳极氧化显示结缺陷的方法相似,但在设备简单,检测迅速和具有非破坏性等优点方面,可以与液晶检测介质针孔的方法媲美.     

铁矿石富氧烧结试验研究

在铁矿石烧结过程中进行富氧,观察富氧后烧结固体燃料消耗、成品率、利用系数、冶金性能及矿相显微结构等指标的变化情况.试验表明：富氧时间为2～4 min、富氧量为5～8 m³/t时,烧结矿的各项指标较好.在该条件下,与基准烧结矿相比,成品率提高2.12%、转鼓强度值提高0.92%、固体燃料消耗降低1.56 kg/t;富氧烧结对改善烧结矿成品率的试验结果表明：16组烧结试验中,对烧结过程进行富氧后,成品率提高了0.79%~2.05%,富氧后的成品率平均高于基准成品率1.35%.随着富氧量的增加,成品率呈现出增长趋势;而随着富氧时间的增加,成品率没有明显增长.同时,富氧烧结后,烧结固体燃料消耗下降0.69~1.41 kg/t.     

提高3DA4管成品率的初步试验

一、概况 3DA4型高频大功率管成管率低是我们在第一轮专业实践中遇到的主要问题。管芯测试中发现影响成品率的主要原因有:(1)单结击穿电压BV_(cb)。小(一般约15％—25％合格);(2)c,e穿透电流I_(ceo)大;(3)共发射极电流放大系数h_(FE)不均匀;此外还存在e.b击穿电压BV_(ebo)小等现象。     

BCCP外压承载能力原型试验

为了研究钢筋缠绕钢筒混凝土压力管(BCCP)的外压承载能力,设计了三个不同管径的BCCP外压现场原型试验.在管径为1 800 mm的BCCP上布置应变片和位移计,揭示各部位的受力变化规律,并建立有限元模型与试验进行验证.试验结果发现BCCP从生产时施加预应力到最终破坏可分为4个阶段:管芯受预应力钢筋环向作用力阶段;两侧管腰处保护层开裂前整管承受外压弹性阶段,对应于试验中外压小于800 k N的阶段,此时各组分应变随外压呈线性增长;管芯顶部和底部受拉开裂阶段,试验中当外压达到1 600 k N后,管芯顶部和底部混凝土相继受拉开裂;管芯腰部附近混凝土被压溃阶段.     

新型手性喹啉类催化剂的合成及其在不对称催化反应中的应用

由樟脑和喹啉衍生的手性催化剂在二乙基锌对醛的不对称加成中表现出较好的催化效果,产率最高可达到94.6%,光学产率(e.e.)最高可达到75.9%.在Diels-Alder反应中也表现出了一定的选择性,产率最高可达到90%,e.e.最高达到28.0%.     

大功率高压硅整流元件的研制成果推广取得明显经济效果

高压硅整流元件在经济建设中,有着广泛的应用领域.目前这种元件已用在通讯、导航、反导等军工方面,用在广播电视系统,用在工业系统的高频焊管等装置之中,还可用于其它任何高压整流装置中.去年六月,我院半导体教研组与大连警备区司令部3280晶体管厂达成协议,为该厂培训制作高压功率硅整流元件的技术人员9人.在培训期间,研制生产50安高压硅整流元件298只,其中5000伏以上元件的成品率为74%,元件最高电压达9000伏.通过二十余天的培训,研制出的50安高压硅整流元件各项电参数达到或超过协议预定指标,达到了国内先进水平.     

可燃性气体催化气敏元件工业化实验

采用电解技术制备可燃性气体催化敏感元件 ,讨论了电解工艺与元件性能的关系 .测量了气敏元件的灵敏度、线性误差、零点稳定性、灵敏度稳定性等性能指标 ,与同类元件相比各项技术指标优良 .采用电解技术制备可燃性气体敏感元件成品率达到 90 % ,为工业化生产积累了重要的技术条件 .     

半导体二极管P—n结的激光显微光谱分析

本实验待测样品为经高温寿命试验200小时后报废的稳压二极管管芯。由于该型号管子寿命试验2000小时后报废率达90%以上,因此查明致损原因,就成为一个急待解决的问题。在进行激光显微光谱分析前,曾对同种废品管芯作金相观察和扫描电子显微镜成分分析。得到了管芯与电极材料各过渡层的接触面外貌图象,但成分分析结果不能肯定 p     

提高大功率硅整流管质量的体会

我厂500A硅整流管已投入小批量生产,以投片计,成品率在60％以上,其中大多数管芯的测试电压在1500伏以上,少数可达2500～3000伏。 整个产品的工艺基本上与2CZ200A的一样,因此在本文中不予全面介绍,可参阅我厂1971年9月和1972年4月“关于提高200A硅整流管质量的体会”一文。为了及时交流情况,我们对这次试制工作中的问题及解决问题的一些办法,加以总结,供同志们参考。     

高温加速寿命试验在激光器管芯可靠性分析中的应用

该文研究了高温加速寿命试验在激光器管芯可靠性分析中的应用,给出了加速老化试验的试验方法、基本概念和流程,并结合试验数据研究了高温加速寿命试验对激光器管芯的可靠性影响以及对激光器管芯寿命的预测,为在实际应用中使用高温加速寿命试验节省时间,为提高管芯可靠性提供技术支持。     

窄带滤光片精确波长激光器高频调制特性研究

采用窄带滤光片作为选频元件对精确波长激光器高频调制特性进行了小信号分析.优化设计了外腔长度,兼顾了激光器的阈值特性和工作稳定性;给出了适用于外腔情况的光子寿命表达式;讨论了外腔反射率、管芯与外腔耦合效率以及外腔长度对光子寿命的影响.数值分析结果表明该类型激光器的调制响应特性主要取决于等效光子寿命,受偏置电流影响不大.当外腔反射率为72%,管芯与外腔耦合效率为80%,等效外腔长度为9.7 mm时,光子寿命为100 ps,激光器的调制带宽约为2 GHz,适合于以太网无源光网络中波分多址技术应用的需要.     

测量集成电路管芯温度的简易方法

提出测量集成电路管芯温度的简易方法.     

晶圆切割和随机缺陷驱动的掩模设计方法

针对现有掩模设计方法的不足,提出了同时考虑晶圆切割和随机缺陷的掩模设计方法.在预估边到边晶圆切割引起的成品率丢失的同时,将随机缺陷引起的成品率丢失也纳入了设计参考量.对掩模上芯片进行布局规划的阶段,使那些由于随机缺陷造成成品率丢失较高的芯片在布局规划的目标函数中拥有较大的权重.这些芯片会在模拟退火算法迭代的过程中被自动放置在相应的与其他芯片较少切割冲突的位置,避免了后期晶圆切割对其产量造成的损失.此方法均衡了芯片之间的产量,在满足各个芯片需要产量的前提下,减少了生产所需的晶圆数量.与最小化掩模面积的设计方法和只考虑晶圆切割的设计方法比较,该方法使生产所需要的晶圆数量分别减少了15.22%和7.14%.     

处理含酚废水中优势菌的研究

为了得到降解酚类化合物的优势菌株,以沈阳市铁西煤气厂曝气池和沉淀池中的活性污泥作为菌源,苯酚和间苯二酚作为底物,筛选出12株脱酚能力较强的菌株.单一菌株最高去除率分别达到83.46%和96.66%,混合菌株最高去除率分别达到87.28%和97.06%.其中7种菌株来源于曝气池,5种菌株来源于沉淀池,分别属于假单孢菌属、微球菌属、动胶菌属等5个细菌属.     

高压静电场诱变黑曲霉的实验研究

探讨了直流高压静电场对黑曲霉存活率、酶活、诱变率、菌落形态和菌体生长速度的影响.结果表明:高压直流静电场对黑曲霉A3的作用效果极其显著.在同一场强作用下,随着处理时间的增长,相对存活率单调下降;在同一处理时间作用下,随着场强的增大,相对存活率呈非单调性变化.在场强为4.4 kV/cm,处理时间为2 min的条件下,相对存活率最高达到237.5%,正变率最高达到15%,酶活比对照提高15%;在场强为5.6 kV/cm,处理时间为2 min的条件下,相对存活率达到125%,正变率达到8%,酶活最高,比对照提高24%.经高压静电场处理的菌落形态大而饱满,菌体生长速度明显加快.     

CMOS OTA电路的统计优化设计

考察了CMOS集成电路统计最优化问题的特殊性.用统计方法估计电路成品率,并结合CMOS制造工艺的统计特性对OTA单元电路进行成品率优化设计.     

平菇代料栽培培养基配方比较研究

平菇代料栽培培养基可利用野草、农作物秸秆等代替或部分代替木屑基质,解决木屑缺少这一矛盾.试验表明,木屑38%,芒萁19.5%,芒杆19.5%,麸皮10%,米糠10%较为适合平菇生长,与木屑相比,菌丝生长更快,菌筒成品率更高,产量更稳定.