纳米硅薄膜制备工艺的研究

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜，根据对薄膜样品结构的测定及其制备工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅薄膜的制备工艺趋于完善。     

发光多孔硅研究进展

发光多孔硅研究进展ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｉｎＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ￥／／秦国刚（北京大学物理系，教授北京１００８７１）硅是最重要的半导体材料，它在微电子领域有十分重要而广泛的应用。室温下硅的禁带宽度为１．...     

硅提纯的热力学基础

随着光伏产业的发展，硅作为生产晶体硅片太阳电池的基础材料，其应用已经超过了90％。从热力学基础对提纯硅的冶金过程进行讨论，其中包括酸浸、真空精炼和定向凝固，并基于热力学相图对这一过程的可行性进行了讨论。除此之外，通过金相分析对过程可行性进行证明。目的在于寻找一种区别于西门子法的低成本的生产太阳能级硅的工艺过程。     

Si（Ⅱ）小分子配合物理论研究

利用INDO法及能量梯度方案,通过对XSi~+及X_2Si(X=H,F)配合CO、N_2形成“超分子”化合物稳定构型及有关信息的计算,给出了衍生物系列的相对稳定性及有关的影响因素,探讨其成键图象及规律性。结果表明:分子间的配位力与稳定化能、键参量、电荷转移成平行关系,揭示出分子间的作用键主要是σ配键及配位力的本质是授受电子的共价作用。     

钝化硅太阳电池减反射模的研究

从多层膜系在某一波长的反射率的计算原理和计算方法入手，采用等效分界面和权重反射率Ｒｗ的概念，给出了多层膜系优化的普适方法。具体计算了钝化太阳电池的单层减反射膜和双层减反射模的优化设计，给出了常用减反射材料的最佳膜厚值，并得出结论：双层膜的减反效果优于单层膜，平面双层减反射膜的权重反射率Ｒｗ小于６％，加微槽结构后降至２％以下。     

硅杂环丁烷热分解为硅烯和丙烯反应机理的理论研究

用MNDO方法研究了硅杂环丁烷热解为硅烯和丙烯的反应机理,反应过程中的驻点(反应物、过渡态、中间体和产物)均用能量梯度方法优化,所有过渡态进一步用振动分析确证.结果证明,该反应最初发生从硅到碳的1,2-氢迁移而产生中间体正丙基硅烯,后者在最终分解为硅烯和丙烯之前,会通过β-氢插入而生成硅代环丙烷.     

纳米晶硅和无定形硅混合物特性研究

利用ＴＦＤ模型和电子的能量分析对纳米硅和无定形硅两种材料的混合物进行了分析计算，给出了提高材料导电性能和增加材料韧性的一些基本准则，指出利用纳米级材料有可能设计出轻质、高韧性的实用材料。     

火花光谱法测定粉末样品中的高含量硅

利用火花光谱法定量检测了硅铋样品中质量分数为３０％的元素硅，分析结果表明，相对误差不大于８．４％，相对标准偏差为５．９％，方法是简便可行的。     

双面钝化高效硅空间太阳电池的设计及研究

从研制空间用高效太阳电池出发,比较了双面钝化硅太阳电池相对于砷化镓太阳电池的优势,提出了一种新型双面钝化高效硅太阳电池的设计思想和研制方法。给出电池样品的测试结果,该电池在ＡＭ０,２５℃下光电转换效率为１８．７％。     

伸缩振动频率,基团电负性和硅烷基中硅的原子势

计算了硅烷基(-SiABC)的基团电负性(x)和硅烷基中硅原子的原子势(n/r),并研究了Si-H和Si-D键的振动频率(v)与硅烷基的基团电负性(x)及硅烷基中硅原子的原子势(n/r)的关系。获得如下关系式γ·μ~(1/2)=235 x_(-SiABC)+1600 γ·μ~(1/2)=80 (n/r)_(-SiABC)+1758 其中,γ、μ、x_(-SiABC)、n和r分别为振动频率(cm~(-1))、约化质量、基团电负性、硅原子的有效电子个数及有效原子半径。     

作物硅素营养和硅肥应用技术研究的回顾与展望

硅素是水稻等禾本科作物的必需营养元素,也是部分非富集硅作物的有益营养元素。硅素不仅能增强作物的体质与抗病能力,而且能提高结实率和促进早熟,从而提高作物的品质与产量。二氧化硅虽然在土壤矿物质中的含量高达50—70％,但在土壤酸碱度范围内,皆为难溶态。其中,能被水稻直接利用的有效态二氧化硅还不足土壤全硅量的0.02％。随着我国农业生产水平与复种指数的不断提高,作物从土壤中摄取有效硅的数量不断增加,而生产实践中则缺乏补充土壤硅素的有效措施,致使土壤缺硅日趋严重,成为提高部分农作物产量的限制因素。因此,加强对作物硅素营养与硅肥应用技术的研究有着重要的现实意义。     

不同硅源中硅还原的研究

不同硅源中的SiO_2 在实验条件下的还原都未达到平衡。焦炭、焦炭灰、硅石中的SiO_2 比炉渣中的容易还原得多。炉渣和焦炭都是生铁的重要硅源。如使用硅石使生铁增硅,改善它与还原剂的接触条件是提高硅还原率的重要因素。实验还证实了高炉内硅还原的途径是:SiO_2→SiO→〔Si〕。     

提高钛硅合金等级的研究

在采用硅铝铁作还原剂冶炼钛硅合金的实验中，研究了冶炼温度、炉料初始碱度、还原剂用量等因素对钛硅合金中钛、硅含量、残渣中ＴｉＯ２含量、钛回收率的影响，获得了升钛降硅的最佳工艺参数。利用实验获得的最佳工艺参数进行了实验室稳定试验和半工业性稳定试验。