静电放电保护器件性能测试技术研究

为准确测试静电放电(ESD)保护器件的性能、解决ESD产生的辐射场及其高频反射对测试结果的影响,本文研制了基于微带设计和电磁场屏蔽理论的专用测试夹具,评价了该夹具的传输特性,建立了由高频脉冲模拟器、专用测试夹具和示波器等组成的测试系统.利用该系统测试了某型号ESD保护器件的限幅响应时间、箝位电压和峰值电流等性能参数.测试结果表明,该测试系统能够满足ESD保护器件性能测试要求,可广泛应用于ESD保护器件设计和优化研究.     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件在引线链合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式。     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式．     

新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

研制了一种新模式的半导体场效应晶体第－－垂直沟道的偶载场效应晶体管（VDCFET），这种结构可以避免现有光刻技术的制约，使用常规的半导体双极晶体管工艺，既可把有效沟道长度减短，大大提高器件的速度，又可将电源电压降低到小于1V，大幅度降低功耗，改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想，并给出了器件特性的测量结果。     

用OTA宏模型模拟LC梯形滤波器

对比地研究了用ＩＯＴＡ器件模拟接地电感、浮地电感、接地Ｄ元件和浮地Ｄ元件所实现的各种低通、高通及带通滤波器的特性。对大量实例进行了分析发现,接地Ｄ元件的特性较差,浮地Ｄ元件和电压型运放实现一样,在高频时性能有所下降,而采用模拟电感,效果非常好,有着很好的高频特性。     

智能型功率模块参数选择及其在逆变器中的应用

智能型功率模块是近年来国际上新出现的电力电子器件，它是具有高频、高速、高可靠优点的新型器件。本文主要介绍智能型功率模块的技术特点、性能和在设计使用中的问题及其在逆变器中应用的范例。     

发展异质集成电路,提升射频电子技术

 射频电子技术是无线通信、物联网、雷达导航等应用领域的核心技术。以Ⅲ-V族为代表的化合物半导体电路由于优异的材料与器件高频性能，很适合射频应用，但其集成度和复杂功能等性能不足，成本高。硅基工艺电路虽然集成度大、成本低，但噪声、功率、动态范围等性能不足，并且摩尔定律已面临极限。     

频谱分析仪在高频电子线路实验中的应用

高频电子线路课程中,需要分析信号的频谱特性、幅频特性和相频特性,以及非线性器件对信号失真的影响等,传统实验室中的示波器已不能满足需要,引入频谱仪非常有必要。以测量小信号放大电路性能为例,介绍了用带扫频的频谱仪测量放大电路的幅频特性的方法,并测量了小信号放大电路的放大倍数、通频带和矩形系数,绘制出了幅频特性曲线图,并与传统的点频法做了比较。结果表明,用频谱分析仪测量幅频特性实验过程简单,结果直观准确,便于对放大电路性能好坏进行理论分析和高频实验教学。     

柔性电容高频特性的测量与研究

通过制作柔性基体上的电容,测量电容在高频(2~15 GHz)下的散射参数S、品质因子Q和电容值C,并用ADS软件为器件搭建等效电路模型,进行对实验数据的仿真拟合,得到了等效电路模型中各参数的合理值.通过对各参数的调整,得出仿真数据的变化以及和实验数据的偏离,从而得到各参数对器件性能的影响,进而为将来柔性电容甚至柔性器件的集成提供工艺上的指导.     

基于单级AC-AC变换器的无线输电系统

基于磁场耦合原理的无线输电系统中,高频电源作为发射线圈的激励源,其设计与实现对系统的整体性能至关重要。传统无线输电系统的激励源采用的是由整流和高频逆变构成的级联变换器,其结构和控制均较为复杂。提出了一种单级AC-AC谐振变换器,该谐振变换器通过一级功率变换,将低频交流电直接变换成无线输电系统所需的高频激励源,具有功率器件数量少、功率因数高等优点。通过实验,验证了所提出的变换器在串联-串联(SS)型谐振式无线输电系统应用中的可行性。     

高导热性能的氮化铝陶瓷的研究

随着集成电路．微型组件与大功率半导体器件生产的迅速发展，电子工业对高电气绝缘性能和高导热性能的陶瓷基板和封装材料的需求量日益增加。高频、高效IC(集成电路)越来越高度集成化，耗电量也越来越高。因此．解决器件散热的问题尤为急迫。     

低腐蚀隧道密度压电石英晶体

小型化高频器件的发展 ,需要一些低隧道密度压电石英晶体 .本文分析了低隧道密度石英晶体的特点 ,用水热法生长了低隧道密度石英晶体 .报道了生长这种晶体的工艺条件 ,对产品的性能进行了测试 .讨论了工艺和技术条件对产品质量的影响 .     

高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．     

一、三模纵向耦合谐振滤波器高频边瓣的改进

传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器在频率响应的高端部分有一个固有的隆起,严重地影响了器件的性能,限制了该器件的应用范围.为了改进器件的性能,利用单端对谐振器的反谐振峰将其作为陷波器用以抑制传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣.首先,利用COM理论,在42°Y-XLiTaO3基片上,分析了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器与之串联的频率特性.然后,优化了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器的结构,并在42°Y-X LiTaO3基片上对改进前后的结构进行了实验.理论和实验结果一致表明,通过改进,传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣得到了有效的抑制.进一步在实验上将两个相同器件级联,获得了接近40 dB的高频边瓣抑制,比改进前的器件提高了8～10 dB的高端边瓣抑制量.     

高频设备耐压测试认识误区的探讨

大功率中短波广播发射设备中的真空器件,如:电子管、真空电容等在采购入库和上机使用前都需要进行耐压测试,正确的测试方法和测试结论对广播设备的运行维护具有很重要的参考价值.该文详细介绍了大功率广播发射机上所使用的真空器件进行高压耐压测试的原理和作用,运用静电场理论论述了高频电场的电场分布及试验得出结论数据;针对人们存在的高频设备耐压测试的认识误区进行了研讨分析,对通过试验总结所得的正确的高频设备耐压测试方法进行了阐述.     

肮频二极管掺金,掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金，掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究，实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ－ＴＲＲ折裹曲线，但高温特性却最差掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ－ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化，据化，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案。     

常规器件构成的8位高频数字PWM波形发生电路

为实现全数字高频PWM控制 ,文中提出了一种用常规器件构成的能与 8位单片机直接接口的高频数字PWM波形发生电路 ,该电路简单、实用、可靠、成本低廉     

GaN基高电子迁移率晶体管研究进展

由于氮化镓(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度高等优异的物理特性,GaN基功率电子器件逐渐取代硅基电子器件在高温、高压与高频等领域的应用。目前,由GaN及其合金材料制备的高电子迁移率晶体管(HEMT)是电力电子、无线通信和雷达等领域的核心器件。除此之外,利用GaN基HEMT可制备高灵敏度的检测器件,在生物和光电检测领域的应用也越来越广泛。但是,尽管GaN基HEMT的性能正不断取得突破,该器件的规模化应用仍受到电学可靠性问题的限制,本文重点阐述了GaN基HEMT的研究进展以及存在的电学可靠性问题。     

基于可编程控制器的电力载波高频阻波器性能测试研究

为了能够提高电力载波高频阻波器性能测试的稳定性和可靠性,建立了基于可控制编程器的电力载波高频阻波器性能测试系统。首先,高频阻波器性能测试的基本原理,并且建立了电力载波高频阻波器性能测试的算法。其次,分析了电力载波高频阻波器性能测试的设计思路,同时进行了系统的硬件设计和软件设计。最后,以某电力载波高频阻波器为例进行了实际测试,测试结果表明该测试系统是行之有效的。     

300MC—1000MC同轴可变衰减器

精密衰减器在微波测试装置中是必不可少的器件。随着扫频测试技术的发展,对精密衰减器的性能要求也有所提高,即:1)较宽频带范围内器件与系统的匹配较好,2)较宽的频率变化范围内,在调节系统功率输出方面具有稳定和准确的性能。一般高频元件的损耗随频率的升高而增加,在介质上镀高电阻金属膜可以得到频率响应好的衰减器件,对于可变衰减器,为防止调节衰减量时,因摩擦而影响精度,往往采用步进式装置。因此,设计和制造承受功率较大、衰减量连续可调、精度较高和频率响应好的衰减器是扫频测量技术中需要解决的一个课题。我们的工作是设计和制造出300MC—1000MC频段带线式精密可变衰减