非化学配比对BaTiO_3缺陷及晶粒大小的影响

对原子分数为０．２５％的Ｌａ掺杂的具有不同Ｂａ和Ｔｉ原子数配比Ｒ的ＢａＴｉＯ３材料，通过正电子寿命测量和电镜观测，研究了Ｒ对材料缺陷及晶粒大小的影响．结果表明：Ｂａ过量明显地使材料中的Ｔｉ空位增多而使晶粒变小，Ｔｉ过量使材料中Ｂａ空位增多，同时使晶粒变大，但影响轻微．     

TiAl合金晶体缺陷的计算机模拟研究

采用多体势,用分子动力学方法对TiAl中空位、反位原子、间隙原子以及小尺寸空位团（N0＝2,3,4）进行计算机模拟研究,分析讨论了空位团最稳定的构形,研究了空位团对单位迁移的影响。计算结果表明,TiAl中钛空位的形成能大于铝空位的形成能;热平衡状态下存在大量的钛反位原子;间隙原子形成能较大,为空位形成能的2,3倍;在稳定存在的空位团中,每个空位都尽可能地与其他空位保持最近邻关系;已有的空位团可作为空位的凝聚中心具有捕获或吸收附近空位的能力,从而形成更大的空位团。     

3 C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究

基于第一性原理计算的方法,研究了3C-SiC中缺陷的磁学性质。结果表明,-1价和-2价的硅空位可分别引入3μB 和2μB 的磁矩,而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺陷波函数的扩展性,-2价的硅空位间在距离0.8616 nm时仍然是长程铁磁耦合的,但-1价的硅空位间是反铁磁耦合,因而该种缺陷对磁性没有贡献。     

电子辐照金红石TiO2晶体的正电子湮没技术研究

以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱测试结果表明,S参数随辐照剂量的增加先变大后变小.S-W曲线和符合多普勒的实验结果验证了Ti3+-VO复合空位的存在.     

Coarsening behavior of γ′ and γ″ phases in GH4169 superalloy by electric field treatment

The coarsening behaviors of γ′ and γ″ phases in GH4169 alloy aged at 1023 and 1073 K with electric field treatment (EFT) were investigated by transmission electron microscopy (TEM) and positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is demonstrated that precipitation coarsening occurs, and the growth activation energies of γ′ and γ″ phases can be decreased to 115.6 and 198.1 kJ·mol?1, respectively, by applying the electric field. The formation of a large number of vacancies in the matrix is induced by EFT. Due to the occurrence of vacancy migration, the diffusion coefficients of Al and Nb atoms are increased to be 1.6–5.0 times larger than those without EFT at 1023 or 1073 K. Furthermore, the formation of vacancy clusters is promoted by EFT, and the increase in strain energy for the coarsening of γ′ and γ″ phases can be counterbalanced by the formation of vacancy clusters.     

过烧功能瓷中气孔形成机理的探讨

瓷件在过高的烧成温度下易形成大量气孔,使瓷件的致密性降低,性能变劣。过烧的原因,一般认为是到了烧结的最高温度时保温时间过长,或烧成温度偏高。作者认为过烧气孔的形成原因,除了晶界的快速运动把气态杂质陷入晶体内部形成气孔外,还由于存在着肖特基缺陷而在晶体内缔聚形成气孔。     

电子辐照金红石TiO2晶体的正电子湮没技术研究

以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱测试结果表明,S参数随辐照剂量的增加先变大后变小.S-W曲线和符合多普勒的实验结果验证了Ti3＋-VO复合空位的存在.     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

基于分子动力学模拟的含缺陷石墨烯力学性能的研究

基于分子动力学模拟的方法,研究了空位缺陷的位置、形状以及原子缺失率对石墨烯杨氏模量的影响。研究结果表明,单空位缺陷的位置对石墨烯杨氏模量有一定的影响,当施加应力方向与边缘缺陷的截面方向相同时,边缘缺陷比中间缺陷使得石墨烯的杨氏模量下降更少。研究结果还发现,映射横向长条状缺陷、映射纵向长条状缺陷、映射圆孔状缺陷和随机缺陷都使得石墨烯杨氏模量随着原子缺失率的增大而减小。对于映射圆孔状缺陷和随机缺陷,锯齿型石墨烯杨氏模量减小的幅度与扶手型的减小幅度相差不大。对于映射横向长条状缺陷和映射纵向长条状缺陷,锯齿型和扶手型石墨烯杨氏模量的减小幅度相差较大,这与石墨烯的手性矢量方向和条状缺陷方向是否一致有关。     

TiO2-Fe3+/Ti复合电极的制备及电化学特性研究

用F e3 掺杂的二氧化钛溶胶制得钛基纳米T iO2-F e3 /T i复合催化电极,用紫外分光光度法和XRD表征了电极材料吸收光谱特性和电极表面的微观结构,用循环伏安法研究了电极的电化学特性.结果表明,由于F e3 的存在,在-0.78 V(vs.SCE)处出现了一个还原峰,表明电极表面膜中存在F e3 还原成F e2 并进一步与电极中T iO2发生化学反应,是EC过程.     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.     

Evidence of Positron Trapping into Defects in Zn-Doped GaAs

0　IntroductionPositronlifetimespectroscopy ,whichisdirectlysensitivetovacancy typedefects,isanestablishedmethodforstudyingthedefectinsemiconductor[1 ] .Uptonow ,manyworkshavebeenreportedonn typeGaAsandsemi insulating (SI) typeGaAsusingthistechnique.Ithasbeenprovedthatpositronanni hilationspectroscopyisaefficientmethodtodetectdefectsinsemiconductor[2 ,3] .However,muchlessstudiesconcernedwithp typematerialshasbeendone .Thereisadiscrepancyonpositrontrappingintodefectsin p \|typeGaAs.Somestu…     

NiAl晶体中点缺陷浓度的模拟计算

利用嵌入原子法（ＥＡＭ）势函数,采用分子静态弛豫方法得到了ＮｉＡｌ合金中Ａｌ空位、Ｎｉ空位、Ａｌ反位置缺陷和Ｎｉ反位置缺陷的形成能．通过平衡方程的建立及求解得到了各种点缺陷浓度随温度与组分的变化规律．研究结果表明,在ＮｉＡｌ合金中,当偏离化学计量比时,均存在“组分缺陷”．“组分缺陷”浓度基本不随温度变化,约在１０－２～１０－１数量级,而由原子热振动引入的“热缺陷”浓度随温度变化明显．ＮｉＡｌ合金的屈服强度和扩散系数随化学成分的变化,主要与不同化学成分合金的“组分缺陷”种类及浓度有关．     

Mssbauer谱技术对古陶瓷烧制气氛的研究

Mssbauer效应是由西德科学家R.L.Mssbauer在1958年所发现的一种γ射线的共振荧光现象,也称之为γ射线无反冲发射及共振吸收效应。由于它对γ射线能量的细微变化十分敏感,可利用这种效应来探测由于共振原子核附近的物理和化学环境变化而引起的共振γ射线能量的细微改变.用~(57)FeMssbauer谱技术可以在取样少量(几十到几百mg)的情况下,对古代陶瓷的表层和内层进行分析研究.根据其Mssbauer谱中得到的特征超精细相互     

Optimum sintering conditions for optical properties of translucent aluminum nitride ceramics

High translucency is one of the excellent properties of AlN ceramics because of its wide optical band gap energy of 6.2 eV. We have achieved success in producing AlN ceramic tube of 98% total visible light transmittance at 0.6 mm thick tube wall by applying an improved sintering technique. This AlN ceramic was produced by sintering at 1880℃ using Ca3Al2O6 as a sintering additive and in reduction atmosphere to remove the sintering additive from the final sintered material. After the sintering, the annealing ...     

溶胶-凝胶自燃合成掺杂纳米二氧化钛的相变

以TiCl4为前驱体,采用溶胶-凝胶自燃合成的方法制备了同时掺杂Ce3 ,Fe3 ,Zn2 的纳米TiO2粉体.用X光衍射法对粉体的相组成进行了表征.用正交试验研究方法考察了Fe/Ce、(Fe Ce)/Ti、柠檬酸/Ti(物质的量的比)、煅烧温度、煅烧时间等对产物相组成的影响.结果表明,柠檬酸/Ti,煅烧温度,(Fe Ce)/Ti对产物相组成具有显著影响.     

镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

不同化学配比钨酸铅晶体缺陷的研究

利用正电子湮没寿命谱（PAT）和X光电子能谱（XPS）的测试手段，对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究，结果表明丰W样品增加晶体中铅空位（VPb）浓度（物质的量比）、而丰Pb样品则少晶体中VPb浓度。这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用。并结合发射谱的测试，提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由VPb引起的WO3＋O^-。     

氧化铈和氧化钪掺杂对氧化锆材料中点缺陷的影响

介绍了两种稀土元素掺杂的氧化锆(ZrO_2)材料:氧化铈(CeO_2)掺杂ZrO_2和氧化钪(Sc_2O_3)掺杂ZrO_2.CeO_2掺杂ZrO_2材料的研究重点是温度和氧分压对其氧空位形成的影响,以及由此带来的其热力学参数的变化.Sc_2O_3掺杂ZrO_2材料的研究重点在ZrO_2的掺杂含量对其氧空位数量的影响,以及氧空位作为离子导通的载体在晶体和晶界上的变化对材料导电性能的作用.     

Ho掺杂BaTiO_3陶瓷的制备及其正电子湮没研究

采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,0.2%,0.3%,0.4%,0.5%,0.6%,0.7%);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线;借助XRD物相分析手段对所制备样品进行了研究,表明其结构均为钙钛矿结构;采用正电子寿命谱学的方法研究了不同掺杂量Ho2O3所引起的结构缺陷.