含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

二氧化硅簿膜驻极体的电荷动态特性

系统地研究了二氧化硅薄膜驻极体的负表面电荷和正表面与体电荷受激脱阱后在体内的输运规律。并考察了这种驻极体的放电特性，化学表面处理对该驻极体的电荷稳定性及电荷层在体内的迁移规律的影响。充电后的适当老化程序，可使电荷重心从样品的自由面附近向体内迁移，由此导致的二氧化硅的体内负电荷具有极好的稳定性。这一结果对正在研制中的二氧化硅微型传感器的质量改善是十分重要的。     

不锈钢上草绿色钼酸盐转化膜组成的研究

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了草绿色的不锈钢转化膜。该膜具有良好的热稳定性。ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为１７３ｎｍ，膜的表面钼以Ｍｏ存在，而在膜内则以Ｍｏ和Ｍｏ共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：Ｏ５２．８％，Ｍｏ３０．４％，Ｐ１２．５％和Ｆｅ４．３％。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Ｍｏ。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

光交联聚乙烯醇水凝胶及青霉素敏生物传感器研究

合成了一种光交联聚乙烯醇（ＰＶＡ－ＱＱ）水凝胶，着重讨论了该水凝胶固定化β－内酰胺青霉素酶膜及其与离子敏感场效应管（ｐＨ－ＦＥＴ）结合构成的青霉素敏生物传感器的性能。结果表明，ＰＶＡ－ＱＱ水凝胶固定化酶膜具有较高的活性及优良的温度、酸碱度、时间及力学稳定性，由该酶膜制备的青霉素敏ＦＥＴ的响应时间小于６０ｓ，灵敏度大于３ｍＶ／ｍＭ，线性响应范围为０￣１６ｍＭ。     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

白桦树皮提取物的抗腹水型肿瘤作用及对腹腔巨噬细胞功？…

利用体内荷腹水瘤模型，彩和中性红蚕噬法、染料释放法、Ｇｒｉｅｓｓ法和放射性释放法研究白桦树皮提取物（Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｂｅｔｕｌａ Ｐｌａｔｙｐｈｙｌｌａ，ＥＢＰ）在体内抗腹水型Ｓ１８０和艾氏腹水癌以及对腹腔巨噬细胞功能的影响。结果表明，ＥＢＰ可明显延长荷腹水型Ｓ１８０和艾氏腹水癌小 生存期；巨噬细胞吞噬功能及分泌肿瘤坏死因子（ＴＮＦ）和一氧化氮的功能明显增强，其细胞毒活性亦明显增加（＿     

铕离子（Ⅲ）在HPMBP为载体的大块液膜中的传输

研究了在ＨＰＭＢＰ－ＣＨＣｌ３大块液膜体系中，载体浓度，反萃液酸度，料液ｐＨ值及温度对Ｅｕ＾３＋迁移的影响，筛选出了能顺利测出膜电位的支持电解质。结果表明，ＨＰＭＢＰ浓度和反萃液盐酸浓度增加，料液ｐＨ值增大，温度升高均有利于Ｅｕ＾３＋的迁移，实验发现Ｅｕ＾３＋在膜迁移中有滞留现象，并首次用膜电位作了分析。     

模拟空间原子氧对Teflon FEP/Al薄膜性能的影响

采用同轴原子氧模拟装置进行了空间原子氧效应对温控材料Teflon FEP/Al薄膜的影响研究.在束流密度为1.07×1016atoms/cm2·s的条件下,对材料进行不同剂量辐照,研究了Teflon FEP/Al薄膜的质量损失、表面形貌、表面粗糙度和光学性能的演化规律和表面元素的组成变化.试验结果表明,材料的质量损失与原子氧辐照剂量成正比例关系.随着原子氧辐照剂量的增加,材料的表面形貌由平整变为"地毯状"形貌,表面粗糙度、太阳吸收率和太阳吸收率与热发射率的比值发生明显变化,从而导致材料光学性能发生变化.辐照前后材料表面成份组成变化不大.     

聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运

通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术^[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)^[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.     

驻极体辐射剂量计的制备和剂量测量研究

介绍了电晕法制备的驻极体在电离辐射γ射线剂量测试中的应用,重点介绍了驻极体的电晕法制备装置和驻极体剂量测试装置的设计制作,描述了剂量测量装置的感应电流法工作原理、结构和特点,说明了这些特点对准确测量辐射剂量的重要性,给出了电晕法制备驻极体的电荷稳定性及辐射剂量测试的实验结果.结果表明电晕法制备的驻极体及其所建实验装置能够用于γ辐射剂量的测量.     

电老化聚乙烯强场电导的研究

运用电声脉冲法测定了不同直流电场下聚乙烯试样中空间电荷分布,研究了不同温度及不同电老化阶段的纯聚乙烯和含有电压稳定剂的聚乙烯薄膜试样的强场电导特性,并运用空间电荷限制电流理论计算了材料中陷阱的能级分布形式,结果表明电压稳定剂能效地减少老化过程中深阱的产生,从而延长了聚乙烯的绝缘寿命,从一个侧面验证了聚合物老电化陷阱理论的合理性。     

半导体伏安行为的计算机模拟

推导了适用性广泛的有关半导体在氧化还原对溶液中的伏安行为的数学表达式,利用计算机FORTRAN语言计算了表达式中出现的表征浓差极化的定积分的数值解.然后,用最小二乘法对用M351-1腐蚀综合测试仪测得的不锈钢彩色膜的伏安曲线进行了曲线拟合,求得了表观传递系数.并由此表观传递系数利用文中推得的表达式求得了过电位在彩色膜和Helmholtz层之间的分配系数.     

脉冲电晕等离子体脱硫、脱氮研究

本文综述了国内外脉冲电晕等离子体烟气脱硫、脱氮的技术发展状况,着重总结了有关反应器、反应机理及添加剂等方面研究所得的重要结论,并指出了今后应努力的方向。这对脉冲电晕等离子体烟气脱硫、脱氮理论和应用的进一步研究提供了参考依据。     

树与路的冠图的临界群(英文)

图的临界群是图生成树数目的一个加细.它是图的一个精细不变量,与图的Laplacian矩阵密切相关.将冠图分为点冠图和边冠图,通过在整数环Z上实施一系列的行列变换来计算整数矩阵的Smith标准型,从而确定了点冠图Tm○Pn和边冠图Tm◇Pn的临界群的代数结构.进一步,证明了点冠图Tm○Pn和边冠图Tm◇Pn的临界群的Smith标准型分别为m和2(m-1)个循环群的直和,同时给出了图Tm○Pn和Tm◇Pn的生成树数目.     

超平坦化Gd3Ga5O12(111)基片用于石榴石结构材料薄膜的生长

通过高温退火处理获得了具有在原子尺度范围内平坦化表面的Gd3Ga5O12(111)基片。在此基片上生长的Y3Fe5O12薄膜的表面光滑度有明显提高。与商品的Gd3Ga5O12(111)基片相比,超平坦化的Gd3Ga5O12(111)基片在生长石榴石结构材料薄膜方面具有明显的优越性。     

喷涂法制备透明导电膜(SnO2:F膜)

SnO₂:F膜是一种在可见光区具有高透过率,在红外区具有高反射率的大禁带半导体材料,在电子工业和太阳能工业中具有广泛的应用.     

氧化锌薄膜的紫外光致发光的低能带尾发射

利用直流射频磁控溅射制备了氧化锌薄膜,测量了不同温度下的氧化锌薄膜的光致发光,氧化锌薄膜的室温紫外发射谱是由两个发射峰构成,峰的中心位置分别是在3．31和3．22eV,它们分别为自由激子发射和自由激子的一阶声子伴线(1-LO)．而在82K下,紫外发射谱是由光子能量分别在3．371eV,3．358eV,3．316eV,3．235ev和3．166eV峰组成．它们分别是自由激子,束缚激子和自由激子的一阶(1-LO)、二阶(2-LO)和三阶(3-LO)的声子伴线．根据变温光谱结果,我们提出室温下的紫外发射的低能带尾是来自自由激子的一阶声子(1-LO)伴线。