硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法.它包括两个非破坏性的测量首先,通过补偿法测量驻极体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容电压(C V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位.电荷重心和电荷密度可通过计算得出.同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重心,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4和SiO2界面附近.     

远场法测量单模光纤参数

Gambling等^[1]提出通过测量单模光纤远场辐射图,可以确定单模光纤的归一化频率V,纤芯直径2a,相对折射率差 △三个主要参数.远场法是通过一个实验能同时解决三个参数测量的好方法.     

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.     

α剂量热释光断代技术-一种鉴别特殊赝品的方法

热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.     

聚四氟乙烯驻极体的电荷贮存与输运

通过在常温和高温下对聚四氟乙烯(PTFE)薄膜的恒压电晕充电,讨论了热处理对PTFE驻极体电荷贮存性能的影响和该材料在高温下突出的电荷贮存能力.利用热脉冲技术^[1]和激光感应压力脉冲法(Laser Induced Pressure Pulse Method,LIPP)^[2]组合TSD(Thermally Stimulated Discharge)实验研究了PTFE脱阱电荷在电荷层自身场作用下的输运模型.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

含Teflon—AF层的NLO聚合物驻极体双层膜系统的电荷衰减动态特性

采用开路热刺激放电法研究了恒压电晕充电极化的含Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层的非线性光学聚合物驻极体双层膜系统的电荷动态特性,结合电光效应和表面电位衰减测量结果分析表明：双层膜系统中偶极分子有序取向稳定性明显优于单层非线性光学聚合驻极体,其原因在于Ｔｅｆｌｏｎ－ＡＦ层中高储存稳定性的空间电荷有效地抑制了分子偶极驻极体层中偶极分子有序向的松驰。     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

氧化工艺中影响SiO2薄膜驻极体性能的因素

该文通过控制氧化工艺条件，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减测量，热刺激放电电流谱及电容－电压分析技术等，研究了ＳｉＯ２驻极体薄膜的内部结构作能阱分布，以及在其体内沉积的空间电荷的储存稳定性，分析了驻极电荷稳定性同氧化工艺条件之间的内在联系。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

测光纤预制棒折率射分布的光束偏折法的改进

本文报道了一种改进的光束偏折法(非破坏性测量光纤预制棒折射率分布的方法).从准确匹配浸油改为近似匹配浸油,同时减小了入射光束的直径.实验表明此法结果可靠,节省时间,分辨率亦有所提高.     

脉冲电晕等离子体脱硫、脱氮研究

本文综述了国内外脉冲电晕等离子体烟气脱硫、脱氮的技术发展状况,着重总结了有关反应器、反应机理及添加剂等方面研究所得的重要结论,并指出了今后应努力的方向。这对脉冲电晕等离子体烟气脱硫、脱氮理论和应用的进一步研究提供了参考依据。     

动态测量误差灰色预测建模辨识参数修正方法

基于现代误差修正技术,研究灰色系统理论建立的动态测量误差短期预测模型,以进行误差修正,提高动态测量精度.文章重点分析了所给模型的参数辨识与修正问题,并以长光栅测量系统为对象,对其得到的动态测量误差进行实践,提出在预测过程中对影响测量结果的模型辨识参数修正的方法,从而提高测量模型的精度.     

超长测杆设计方法的探讨

提出了用预变形方法来补偿测杆因其材料弹性造成的弯曲变形,从而使测杆成为平直状态,确保非接触传感器在管道孔内的采样过程准确、稳定.并分析了测杆在两种负载情况下的谐振(固有)频率,提出了消除外界振动源影响测量工作的思路.研究结果对各类超长测杆的设计具有普遍意义.