稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应

用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。     

高压成型（PrNd）_xAl_（0.7）Nb_（0.6）Cu_（0.1）B_（1.05）Fe_（97.55-x）合金的超精细结构分析

采用高压和常压方式制备出（PrNd）xAl0.7Nb0.6Cu0.1B1.05Fe97.55-x（质量百分比）合金,由扫描电子显微镜、振动样品磁强计、穆斯堡尔谱仪和电子自旋共振谱仪对比研究了两种压制方式对样品微观结构、磁性能和超精细结构的影响.结果发现：与常规压制方式制备的样品相比,采用1.8GPa成型得到的样品Hcj（内禀矫顽力）和（BH）max（最大磁能积）分别提高了133kAm-1和0.6kJm-3;而采用3.6GPa成型样品的Hcj和（BH）max分别提高了120.3kAm-1和3.2kJm-3.高压成型样品的R-rich相、富B相和α-Fe相较少,围绕铁原子的其他原子固有的对称性被改变,g因子增大.0.2,1.8和3.6GPa成型得到样品的内磁场Hin分别为2.206×104,2.205×104和2.194×104kA/m.     

（Sm_（0．08）Dy_（0．12））Fe_2超磁致伸缩材料研究

用真空电弧炉熔炼了（Ｓｍ０．０８Ｄｙ０．１２）Ｆｅ２母合金，在不同温度下进行真空退火，退火温度分别为８６０℃和７００℃，退火时间为７２ｈ，发现当经过８６０℃７２ｈ退火后，得到较理想的磁致伸缩系数｜λ１１－λ⊥｜＝１４２０×１０－６，对此样品进行了物相、结构以及机理的分析讨论．     

(PrGdYb)_(3-x)(FeAl)_5O_(12)石榴石外延膜及其磁光特性

文中详细讨论了新型磁光材料(PrGdYb)_(3-x)Bi_x(FeAl)_5O_(12)单晶薄膜的外延生长法及所得样品的测试数据。样品比法拉第旋转θ_F～1.6×10~4deg/cm,并有较宽的光谱透过区.     

光盘存储技术,产品和市场的发展（下）

本文介绍了在与磁存储技术对比和竞争中各种光盘存储技术的发展，从家用小型光盘系列到专业用数字光存储系统，分析了今后光盘存储技术的发展方向，主要为提高光盘存储密度和数据传输速率，以及需要解决的关键技术问题，并列出了可能发展途径，介绍了光盘技术市场的发展状况，指出它是多媒体技术系统中的主要介质，将成为光电子技术领域中最主要的产业之一。     

光盘存储技术,产品和市场的发展（上）

本文介绍了在与磁存储技术对比和竞争中各光盘存储技术的发展，从家用小型光盘系列到专业用数字光存储系统。     

（Sm0.88Dy0.12）Fe2超磁致伸缩材料研究

用真空电弧炉熔炼了（Ｓｍ０．８８Ｄｙ０．１２）Ｆｅ２母合金，在不同温度下进行真空退火，退火温度分别为８６０℃和７００℃，退火时间为７２ｈ，艰现当经过８６０℃７２ｈ退火后，得到较理想的磁致伸缩系数。对此样品进行了物相，结构以及机理的分析讨论。     

（La1—xSmx）2／3Sr1／3MnO3材料的巨磁致伸缩及磁电阻效应

采用溶胶凝胶法制备了一系列的多晶 (La1 -xSmx) 2 / 3Sr1 / 3MnO3样品 X射线衍射研究表明 ,随Sm含量的增加 ,样品出现从菱面相向正交相结构的转变 在低温下观察到一定Sm含量的样品具有约 -180× 10 - 6大小的磁致伸缩和 32 0 %的磁电阻效应 在室温下 ,样品的磁致伸缩和磁电阻随Sm含量的变化有类似的关系     

锰铋稀土（MnBiRE）磁光薄膜的结构与性能研究

对作为磁光材料的锰铋稀土薄膜的制备、测量进行了阐述，从各项测量结果出发，说明了该材料的磁学性能和磁光性能．在此基础上对其晶体结构进行了分析．提出了对该材料具有相当大的磁光克尔转角的解释．     

Mn_（50）Ni_（39）Sn_（11-x）Al_x合金的磁相变及磁卡效应

Ni-Mn基铁磁Heusler合金的巨大磁卡效应使其在磁制冷方面具有良好的应用前景.磁熵变是磁卡效应的重要量度,根据麦克斯韦关系,磁熵变不仅与马氏体相变前后磁矩的变化大小△Msf有关,而且与马氏体相变温度跨度（Martensitic Transition Temperature Range,MTTR）有关.本文中,我们制备了Mn50Ni39Sn11△xAlx（x=0,1,2）系列合金样品,发现随着Al含量的升高,虽然△Msf减小,但MTTR随Al含量增加的减少更快,使得（△Msf/MTTR）值增大,从而获得较大的磁熵变△SM.以上结果表明除增大△Msf外,降低MTTR值也是提高材料磁卡效应的有效方法.     

α－Fe_2O_3超微粒的~（57）Fe穆斯堡尔谱

利用沉淀法制备α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３超微粒，用Ｘ射线衍射仪和扫描电镜对样品的结构和粒度进行了分析，并在室温下测量了不同粒度样品的穆斯堡尔谱。结果表明，α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３超微粒存在明显的超顺磁现象，在室温至８０Ｋ的温度范围内测量了一个样品（１７ｎｍ）的穆斯堡尔谱，未见莫林（Ｍｏｒｉｎ）转变．随着粒度和测量温度的改变，样品的穆斯堡尔谱的超顺磁成分、同质异能移位、四极分裂、内磁场都发生了变化。对上述穆斯堡尔参数的变化进行了讨论。     

掺Bi石榴石单晶薄膜的磁光特性

报导了（ＰｒＤｄＹｂ）３－１Ｂｉｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２石榴石单晶薄膜生长工艺，生产材料以及样品的实验结果；讨论了Ｂｉ＾３＋离子的加入使材料的Ｆａｒａｄａｙ，４πＭｓ，Ｔｃ和光散强度增加的线性关系。     

Co/Pb多层膜的磁垂直各向异性与磁光克尔效应

我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品，转矩仪测量结果表明，当Ｐｂ层厚度小于２纳米时，磁垂直各向异性场Ｈｕ随Ｐｂ层厚度的减小而增加。在磁光极克尔效应的测量中，发现在短波方向有磁光增强现象，并对磁光增强的可能机制进行了研究     

新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xS光谱特性的实验研究

在７３～３００Ｋ温度范围内，首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ（ｘ＝０．００１，０．０１，０．０３，０．０４８，０．０５３，０．０６３）的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰，两者互相对应，其峰位与样品组分ｘ值无关。它们分别对应于Ｃｏ￣（２＋）离子在Ｔ＿ｄ对称的晶体场中不同能级间的跃迁。     

C（膜）／S2（Si02）（纳米微粒）／C（膜）的XPS及Raman谱测试分析

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)／Si(Si02)(纳米微粒)／C(膜)样品发现：把400℃退火后的祥品继续加热到650℃并退火1h后，样品中除原有的Si晶体外，生成了SiC晶体，同时还出现了Si02晶体，这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时，氧气的氧化作用占主导地位，把大部分Si氧化成了Si02．对比分析在650℃和750℃退火后祥品的Raman谱发现：随着加热温度的升高，SiC与Si含量增加而SiO2含量减少．这表明：在750℃时，C原于的还原作用继400℃后再次占主导地位，又把一部分Si02还原成Si．     

温度变化对锰铋稀土薄膜的矫顽力和磁光克尔转角的影响

锰铋稀土 (Mn Bi RE)薄膜具有较大的磁光克尔转角 θk,因而作为良好的磁光信息存储材料 .用真空蒸镀方法制备了 Mn Bi RE (RE=Ce、 Pr、 Nd、 Sm)薄膜 ,考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响 .通过信息的写入 ,分析了这些样品的读写特性并与四层结构 Tb Fe Co样品做了比较     

YBa_（2－x）Pr_xCu_3O_（7－8）的磁取向粉末样品的~（63）Cu

本文报道了ＹＢａ２－ｘＰｒｘＣｕ３Ｏ７－８（ｘ＝０．０２５－０．１）磁取向粉末样品的变温ＮＭＲ研究。作者详细测量了６３Ｃｕ的Ｋｎｉｇｈｔ位移Ｋ和自旋－晶格驰豫率１／Ｔ２的变温规律。随着Ｐｒ的掺进，Ｃｕ（１）Ｃｕ（２）位的Ｋｎｉｇｈｔ位移开始依赖于温度，Ｋｎｉｇｈｔ位移的轨道贡献和各向异性超精细作用基本保持不变。在我们测量温区内（７７－３００Ｋ），１／Ｔ１随掺杂浓度增加而有所增强，这与反铁磁相关自旋涨落图象一致。我们用ＭＭＰ理论进行了详细分析。     

磁光调制技术在光偏振微小旋转角精密测量中的应用

提供了一种实验装置,在光偏振微小旋转角的测量中,应用磁光调制技术,对薄膜样品的克尔效应、药物原料的离光效应和化学试剂的费尔德常数进行了观测、测量。其中在费尔德常数的测量中,精度达到了亚毫度的数量级,详细介绍了该装置的工作原理,以及在实验中获得的数据。     

厚唇光唇鱼（Acrossocheilus labiatus）和侧条光唇鱼（A.parallens）的比较研

通过对其形态、解剖及部分同工酶表型的比较研究，发现厚唇光唇鱼（Acrossocheilus labiatus)和侧条光唇鱼（A.parallens)的差别比较显著，认为二者都有效种，但它们自占领不同的水域，其分布受到南岭的阻隔。