非线性带涂层球形复合介质有效的交流电响应

利用摄动方法研究了在外加交流电场E=E1sinωt+E3sin 3ωt+E5sin 5ωt的作用下非线性带涂层球形复合介质的交流电响应。结果表明,这种介质满足的电流密度J和电场强度E之间满足的关系为:Jα=σαE+χα|E|2E。     

非线性复合介质电势边值问题的摄动展开法

本文利用摄动展开方法,研究将圆柱形杂质颗粒随机置入基质所得的非线性复合介质在外部交流电场Eapp=Easinωt的作用下,满足非线性本构关系J=σPE+χP|E|2E+ηP|E| 4E的电势分布。     

非线性球形颗粒复合介质的一阶电势问题

本文利用摄动展开方法,研究将球形杂质颗粒随机置入基质所得的非线性复合介质在外部交流电场Eapp=Ea sinωt的作用下,满足非线性本构关系J=σPE＋XP︱E︱2E＋ηp︱E︱4E的电势分布。     

一个习题的解法

我省高中数学课本第二册(75年版)有如下一个习题: 在一导线中流过的电流分别为I_1=5sinωt,I_2=2sin(ωt-30°),求I_1+I_2的值。由于电工知识不足,题目要求也不太明确,不少数学教师对此题如何解法心中无数。有的就把该题删去了,有的解法如下: I_1+I_2=5sinωt+2sin(ωt-30°)=5sinωt+2sinωtcos30°-2cosωtsin30°=5sinωt+3~(1/2)sinoωt-cosωt=(5+3~(1/2))sinωt-cosωt。我们认为该题做到此为止,这是不恰当的。还应该继续做下去,从数学角度来看,上式还不是最简形式;按电工要求,要反映出两个同频正弦量的和仍是同频正弦量。根握上式,令     

正余弦加权叠加式的研究

AcoS(ωt)+Bsin(ωt)=Csin(ωt+D)中,令A=k1a、B=k2b、C=k3(A2+B2)1/2=k3(a2+b2)1/2、D=k4β,并规定a、b、(A2+B2)1/2和β都取A、B、C、D的绝对值,即a＞0、b＞0、(A2+B2)1/2＞0、β≥0,推导出AcoS(ωt)+Bsin(ωt)=F(B)(A2+B2)1/2sin[ωt+F(AB)β]其中F(B)=B/|B|,F(AB)=AB/|AB|,β=tg-1|A/B|,(A2+B2)1/2＞0.     

移相式卡拉OK机的初步探讨

1　问题提出通常卡拉OK机的组成如图1所示。图1　卡拉OK机组成音调和激励电路均在混响延迟处理之前,目的是对人声进行修饰后再混响输出。假如延迟时间设定为150ms,则直达声为0ms,回声依次为150ms、300ms、…、n×150ms,设人声为正弦波,即U0=A0sinωt,则回声依次为:U1=A1sin(ωt+φ)U2=A2sin(ωt+2φ)Un=Ansin(ωt+nφ)(1)其中φ为150ms产生的相位。最后的输出为直达声与混响延迟声的混合,直达声与混响延迟声之间的时间差可用相位差来表述。移相技术可以扩展声场,所以国外许多公司,例如日本NEC公司生产了Upc1891、uPC1892等移相芯…     

一类二阶具无穷时滞泛函微分方程的周期解

考虑具有无穷时滞泛函微分方程d2xdt2=a(t,x(t))x(t)+p(t,xt)+ddt∫0-∞q(s,x(t+s))ds.利用重合度理论,得到方程存在ω-周期解的一个充分条件为:p有界,β0>0,且(β1ω+q)ω<1,其中q=∫0-∞sup|u|<∞| q(s,u) u|ds,β0=inf(t,x)∈R2|a(t,x)|,β1=sup(t,x)∈R2|a(t,x)|.特别地,当a(t,x)≡a(t),q(s,u)≡0时,得到方程存在唯一ω-周期解的一个充分条件为:p有界,β0>0,β1ω2<1且(p(t,φ1)-p(t,φ2))(φ1(0)-φ2(0))≥0,(t,φ1),(t,φ2)∈R×BCh,其中β0=inft∈Ra(t),β1=supt∈Ra(t).     

ω=AγCSinZ之支点

函数ω=Arc sin z之支点在我们采用的教材里叙述不够详细,使学生与教者都感到一定的困难,因此将这个问题作更详细的分析对于这一段教材的教学或许有一些参考的价值。函数ω=Arc sin z是由方程式z=sin ω所确定,用eiω-e~(-iω)/2i来代替sin ω并令e~(iω)=t就有z=t-t~(-1)/2i(1),由此我们有t~2-2izt-1=0(2),解出t,得到     

正弦电磁场作用下介质吸波特性研究

微波技术广泛用于无线通信、材料处理和材料介电常数测量等领域.微波处理材料的优点是传热快、体积加热、选择性加热、无环境污染和容易自动控制.作者描述了正弦电磁场与介质相互作用时的加热机理.对德拜型和非德拜型弛豫介质,导出了其介质吸波特性的计算模型Pd=21ωε″E2 21E2(cos2ωtεt′ cosωtsinωtεt″更重要的是,此模型甚至可用于解释微波辐照下材料发生的瞬态过程.     

基于相移法的直流測量半导体內非平衡载流子寿命

应用相移法测量半导体内非平衡载流子寿命是近年来采用较多的方法。当一矩形半导体样品受一调幅光j=j_0+j_0’sin(ωtf+Ψ)照射,且同时通以恒定电流时(图1),样品两端产生一交变电压v_~=-v_0’sin(ωt+Ψ-φ),其中落后的相角φ满足以下关系: