含杂质双原子链的局域模

含杂质双原子链的局域模广西大学物理系高英俊离子晶体如ＮａＣｌ晶体，光学振动模能与红外光发生强烈地耦合，这类晶体的晶格振动能够简单地用双原子链模型［１］描述。但实际晶体中总是含有杂质和缺陷。我们这里考虑双原子链中的原子被杂质原子替代而成为含一个杂质的双...     

双势垒中杂质原子对量子隧穿的影响

采用计算穿越任意势之透射系数的数值计算方法,得到了在双势垒阱区中有正电杂质时电子隧穿的共振能级、波函数、透射系数.通过与无杂质原子的双势垒量子隧穿情形对比,详细讨论了杂质原子对量子隧穿的影响.数值结果显示,体系的有效势是双势垒与杂质原子库仑势的叠加,当电子能量处于叠加势中的本征能级时,发生共振隧穿,对纯束缚态,不可能发生共振隧穿.此外,还给出势阱中有、无杂质两种情形的波形图,通过对比,可以进一步看出杂质原子对共振隧穿的影响.     

含有氧杂质Cu单原子链的力学和电子特性

基于第一性原理计算研究了一维Cu线性原子链与氧原子和氧分子的相互作用,给出了包含氧杂质的原子链系统的力学和电子特性.氧原子和氧分子与原子链中的Cu原子间形成稳定的强化学键,所形成的Cu—O键具有离子键特性.在轴向应力拉伸过程中,包含氧杂质原子链的断裂一般发生在远离氧原子或氧分子的Cu—Cu键处,因此,合适的有氧环境会有助于形成稳定的Cu原子链.     

电子波导中单个杂质对电流分布的影响

微小器件内杂质原子的存在是影响电流分布的主要因素之一．本文研究了电子波导中单个杂质原子对电流分布的影响．基于薛定谔方程,得到了电子在准一维电子波导中单个杂质所在界面处的精确的相位相干电子输运图像．描绘了电流密度的分布图．发现杂质势为吸引势和排斥势时对电流密度分布的影响是不同的。在杂质势为吸引势时,在杂质原子周围产生了明显的涡流,并且涡流强度随杂质势的强度而变化,但在杂质势为排斥势时涡流并没有出现．涡流出现是量子相干散射造成的,并与衰减模式的存在有重要关系．本文还研究了波导宽度以及杂质原子的位置对电流分布的影响．     

杂质在晶体表面的振动特性及其对晶体性能的影响

采用三维非对称模型,考虑最近邻和次近邻原子的作用,通过计算机求出晶体表面杂质原子的三维振动模式。用局部模定性地说明了杂质原子在表面和体内对晶体热学性质影响的差异。     

PEW在溶剂中的溶解行为及脱色研究

本文对PEW(PEW)在溶剂中的溶解度和溶解时间进行了测定,研究了PEW分子量、溶解温度对溶解度和溶解时间的影响。采用溶解方法对灰色PEW进行了脱色试验,通过白度、原子吸收分光光度分析证明,PEW中的有色杂质被有效去除,并初步认定有色杂质可能来自于聚合体系中的引发剂。     

火焰原子吸收法测定AgNO3中微量的铜铁

应用火焰原子吸收法，采用塞曼扣背景，对ＡｇＮＯ３中的微量杂质元素铜、铁进行试验分析，选择了仪器的最佳工作参数，进行酸度试验，通过对标准系列的实际测定和准确度的检查，说明火焰原子吸收法测定ＡｇＮＯ３中微量的杂质元素铜、铁是快速、准确、可行的。     

金属半导体复合体系的化学吸附:H-Ni/ZnO体系

本文利用格林函数方法和Anderson-Newns模型讨论了氢在Ni/ZnO复合休系上的化学吸附性质,用紧束溥近似处理品格原子之间的相互作用.讨论杂质的影响,发现杂质的存在可改变化学吸附能和吸附原子的电荷转移数.     

铜中回复再结晶过程中微量杂质与晶体缺陷的相互作用

提出了一个Cu中回复再结晶过程中微量杂质与晶体缺陷的相互作用的理论模型。杂质原子和点缺陷形成稳定的集团,杂质原子富集在位错线上起钉扎作用。据此计算了回复温度、形变合金电阻率、形变层错率、位错密度以及再结晶开始温度。理论结果和实验符合得较好。     

火焰光谱测定用乙炔的净化剂的研制

用火焰光度计、原子吸收光度计、原子萤光光谱仪等仪器进行火焰光谱分析时,常以乙炔作为燃料气体。而乙炔往往是由水作用于电石来制备的。因而,在乙炔中总是混杂着电石含的三磷化钙、硫化钙、硅化钙、一氮化铝等与水起付反应所产生的杂质:磷化氢、硫化氢、硅化氢、氨、氢、甲烷和拌随着气流一道吹出来的固体氧化钙微粒及水蒸汽。在一般情况下,这些杂质中的全部氨、氧化钙微粒和大部分硫化氢都可经水洗而除     

用深能级瞬态谱作半导体器件的失效机理分析

本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还是表面失效,对于由深能级杂质影响电参数的器件,可以有效地进行失效机理分析。     

深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在Ｓｉ材料中掺入金原子后,其电阻随温度Ｔ的变化关系由主要依赖于Ｔ＾－３／２项的浅掺杂材料变成主要依赖于ｅｘｐ（－Ｅ／ＫＴ）项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Ｓｉ材料对温度的敏感性。在理论上深掺杂Ｓｉ材料比浅掺杂Ｓｉ材料对温度的敏感性提高了约１０００倍。用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Ｓｉ材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了其     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

天文用阻挡杂质带红外探测器

低温目标红外辐射的灵敏探测和成像在航天和深空探测中具有重要的应用价值.300 K以下低温目标的辐射强度很弱,辐射特征波长位于中远红外区.阻挡杂质带红外探测器是中远红外探测器中重要的一员,具有覆盖波段宽、灵敏度高、暗电流低、抗辐射性能高等优点,能够胜任空间技术和天文探测在中远红外波段探测的苛刻要求.本文以红外天文探测对红外探测器的应用需求作为出发点,主要就国内外红外天文学、红外天文探测器发展概况,阻挡杂质带红外探测器发展历史及其材料、器件结构等方面做了简要综述,并简明扼要地介绍了阻挡杂质带探测器的器件物理模型.     

Observation of interactions between impurities and hydrodynamics solitons

We have experimentally investigated interactions between impurities and hydrodynamic solitons in a shallow water trough subject to vertical vibration. The impurities are minor convex and concave defects located on the bottom of the trough, slightly varying the water depth. The experiments show that a shallow impurity will attract breathers and kinks while a deep one will repel them. These observations are consistent with the theoretical prediction proposed in the continuous Frankel-Kontorova model with impurities and can also be explained in the view of energy absorption.     

微型流量传感器呼吸监测及信号处理系统

用一种深掺杂硅材料制成的微型流量传感器来测量呼吸气流的流量 ,并用信号处理电路对微型流量传感器的输出进行鉴别 ,就可以监视呼吸系统状态的微小变化 .传感器偏置电压的变化对系统的稳定性有重要的影响 .通常 ,温度和环境的变化会使某些被认为是常量的参量发生意外的变化 .信号处理系统部分论述了使用自动补偿系统来消除上述变化的影响 ,并给出了实用电子设备中 ,消除各种干扰因素的一些方法 .     

半导体外延掺杂的深度分布——"修正的"余误差分布

在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.     

托卡马克等离子体中杂质模的研究

利用数值积分方法求解色散方程,研究托卡马克等离子体中杂质模的不稳定效应,分别模拟了不同杂质离子所激发的杂质模在不同参数下的变化情况.结果表明,杂质模驱动的等离子体不稳定性通常随杂质离子的质量和电荷数增大而增大,但也有反常的情况,质量很大的杂质离子可能导致更小的不稳定性.杂质模的激发必须使杂质离子浓度超过一定的阈值,杂质离子越轻,电荷数越低,阈值越大.更强或更弱的磁剪切效应都有利于抑制杂质模的不稳定性.在k_(θρ_s)谱图中,钨(W~(+8))杂质模有更小的谱宽度.     

氢键链中孤子与杂质的相互作用

研究了带有对称双阱势的氢键链中孤子与杂质的相互作用，排斥型杂质对孤子提供一个势垒，吸引型杂质对孤子提供一个势阱，并且吸引型杂质获取孤子的能量形成局域振荡模，被杂质散射的孤子存在一个临界速度，只有入射速度大于临界速度的孤子才能穿越排斥型杂质，或者不被吸收型杂质捕获。