基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...     

基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.     

一种基于SET/CMOS电路的二阶低通滤波器

在研究单电子晶体管(single electron transistor，SET)I-V特性的基础上，依据分区处理法，设计了一个SET、积分器电路，并采用级联方法实现了一个SET／CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明，该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。     

一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计

基于单电子晶体管(SET)的I-U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R-S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02 V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性.     

无源射频识别标签整流电路的分析与设计

整流电路的设计是无源射频识别(RFID)标签的关键技术之一.基于两种传统的整流电路,分析影响其输出电压和能量转换效率(PCE)的几个因素,在此基础上提出了一种改进的整流电路.该电路采用栅极交叉连接的结构来消除天线到芯片的阈值电压压降,并通过增加两个MOS管作为开关来抑制芯片到天线的电荷回流.电路的设计仿真结果显示,该整流电路具有较高的输出电压和PCE.     

基于MOS管PDE模型的RF电路瞬态包络仿真算法分析

提出了以谐波平衡技术为平台,基于RF电路中MOS晶体管PDE模型的混合域瞬态包络仿真算法,解决了将MOS晶体管的PDE模型与表征电路系统的ODE耦合在一起进行数值求解的问题,并以一个功放电路为例说明了这种仿真技术的有效性。     

基于神经MOS管的新型反相器设计

通过对神经MOS管特性的研究,提出了一种阈值可控反相器的设计方案。该反相器在结构上与普通CMOS反相器相似,由一个神经MOS管和一个常规MOS管构成。利用神经MOS管阈值可控特性实现反相器的阈值控制功能。最后,采用0.25μm CMOS工艺,利用PSPICE模拟验证了所设计的电路具有正确的逻辑功能,与相同功能的常规反相器比较,该反相器功耗节省46%。     

基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0．8V两级运算放大器和1V 2．4 GHz Gilbert混频器电路,并采用TSMC 0．25 μm 2P5MC MOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。     

多功能汽车电压调节器电路及其芯片设计

提出一种用于汽车发电系统电压调节的新型电路结构．论述了该电路的基本工作原理，着重分析了电路中中心处理单元的工作机理．对电路的集成芯片设计进行了讨论，并给出了由该芯片电路构成的电压调节器装置的主要性能     

新型高频高线性CMOS跨导线性电流模乘/除法器设计

针对传统CMOS电流乘除法器存在线性度不高、工作频率低等缺点,提出一种以平方根电路、平方/除法器电路为核心的基于MOS管跨导线性原理的新型高频高线性CMOS电流模乘/除法器。在TSMC0.35μm CMOS集成工艺下进行HSPICE仿真测试表明:该电路在3V电源电压下,-3dB带宽可达到35.1MHz,电源静态功耗为202.68μW,输出电流为0～25.1μA,非线性误差为0.85%,总谐波失真为0.14%。本文提出的乘除法器电路与Tanno、Lopez等提出的基于跨导线性原理的乘除法器电路相比,优点在于-3dB带宽提高了,功耗降低了,电源电压降低了,线性度提高了,精度提高了,并且采用了相对更先进的0.35μmCMOS工艺,可缩小芯片面积,节约成本。     

车用发电机定子绕组匝间短路故障下转子弯扭耦合振动特性分析

运用数值积分法,在建立发电机转子系统弯扭耦合振动模型基础上,考虑定子绕组匝间短路故障时发电机转子弯曲及扭转电磁刚度的影响,对不同程度匝间短路故障下转子的弯曲及扭转振动特性进行分析。结果表明,发电机定子匝间短路故障不仅会使转子弯曲和扭转振动加强,还会增加转子弯振和扭振中的倍频及高倍频成分;随短路程度加大,弯振的1、3、5等奇数次倍频振动量与扭振的2、4等偶数次倍频振动量逐渐增加,且弯振中1倍频振动量最大,扭振中2倍频振动量变化最为显著。     

低功耗MOS图象传感器自扫描电路的研究

从高位数，低功耗MOS图象传感器发展的需要出发，对MOS图象传感器的自扫描电路进行研究。提出以一种带变容管自举电路的三管动态无比电路作MOS图象传感器的自扫描电路，该电路采用硅栅P-MOS工艺，是一种高速度，低功耗的动态无比电路，也是一种高位数列阵中的实用单元电路，它较好地解决了阵列功耗随位数增加而变大的问题。     

基于等效磁路的并列结构混合励磁发电机磁场仿真分析

分析了切向永磁和爪极电励磁在转子中并列组合的混合励磁发电机的结构特点和工作原理,建立了等效磁路模型．由等效磁路模型推导了气隙磁密与励磁电流、磁钢厚度和极对数等参数的关系式,给出了参数计算的方法,并计算了等效磁路模型不同励磁电流下的气隙磁密大小．采用有限元分析软件对发电机建模,仿真分析了发电机的磁场分布,得到气隙磁密与各参数之间的变化关系曲线．仿真结果与等效磁路模型相符,验证了等效磁路模型的正确性和参数计算的有效性,为并列结构混合励磁发电机的设计和参数分析提供了参考．     

一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路

通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130 nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.      

奇、偶双随机矩阵及其积和式的若干注记

文章主要研究了奇、偶双随机矩阵及其（奇、偶）积和式的有关问题。一方面，通过分析双随机矩阵的奇偶性，说明了刻画奇双随机矩阵和偶双随机矩阵的等价性；另一方面，参照双随机矩阵其积和式的下确界问题（即著名的Van der Waerden－Egorychev－Falikman定理），对奇、偶双随机矩阵其（奇、偶）积和式的确界问题分别进行了探讨。