首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计
引用本文:魏榕山,陈锦锋,陈寿昌,何明华.基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计[J].贵州大学学报(自然科学版),2011,28(2):58-61.
作者姓名:魏榕山  陈锦锋  陈寿昌  何明华
作者单位:福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350108
基金项目:福建省自然科学基金,福建省教育厅科研项目,国家大学生创新性实验计划项目
摘    要:基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...

关 键 词:单电子晶体管  SET/MOS混合电路  表决器  HSPICE仿真

Design of A Voting Circuit Based on Hybrid SET/MOS Transistors
WEI Rong-shan,CHEN Jin-feng,CHEN Shou-chang,HE Ming-hua.Design of A Voting Circuit Based on Hybrid SET/MOS Transistors[J].Journal of Guizhou University(Natural Science),2011,28(2):58-61.
Authors:WEI Rong-shan  CHEN Jin-feng  CHEN Shou-chang  HE Ming-hua
Institution:(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350108)
Abstract:Based on the characteristics of Coulomb blockade and Coulomb oscillation of single-electron transistor(SET),a novel voting circuit using hybrid SET/MOS is proposed.The accuracy of the voting circuit is validated by HSPICE simulation.Compared to the pure CMOS voting circuit,the number of transistors is greatly decreased and the power dissipation is reduced in the hybrid SET/MOS circuit.
Keywords:single-electron transistor  hybrid SET/MOS circuit  voting circuit  HSPICE simulation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号