PbTiO_3铁电薄膜的制备及性能研究

本文讨论PbTiO_3铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术、机理及PbTiO_3薄膜的结构和电性能.研究结果表明,在MgO和SrTiO_3单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的高度取向薄膜;在Si单晶基片上制备的PbTiO_3薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜.PbTiO_3薄膜具有良好的铁电性能和热释电性能,这些膜薄适合于制备铁电存储器和热释电红外探测器.     

钛酸铅瓷料的研究

一、前言 PbTiO_3陶瓷是居里点约为490℃的钙钛矿型铁电体,与诸如BaTiO_3和PZT陶瓷相比较,它的介电常数较小,且其时间老化率很小,因此它在高温高频应用中,是一种优良的压     

极性玻璃陶瓷基片上Sol-Gel法制备的PbTiO_3膜的晶化研究

以极性玻璃陶瓷为基片,用Sol-Gel法制备了PbTiO_3膜.利用x射线衍射研究了它的晶化规律,发现膜有明显的c轴择优取向,指出其起因是基片自发极化随温度的变化。     

均质超细掺Ca W Co Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的研制

报道了用化学共沉淀法制备掺Ca,W,Co,Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的技术.制得的粉料粒度小于0.05μm,纯度99.9％,添加元素均已定量掺入.     

Ga3+取代Sc3+对BSPT64高温压电陶瓷的性能影响

基于0.36BiScO_3-0.64PbTiO_3(BSPT64)高温压电陶瓷体系, 引入Ga_2O_3并通过传统固相反应法制备了 0.36[BiSc_(1-x)Ga_xO_3]-0.64PbTiO_3(x=0.001、0.003、0.005、0.008、0.01、0.015、0.02)系列压电陶瓷.X射线衍射分析表明Ga~(3+)取代B位的Sc~(3+)不影响BSPT64体系的钙钛矿结构.通过对材料介电和压电性能的研究,发现在取代量x=0.01附近,BGSPT64x陶瓷的各项性能表现最优.BGSPT64-0.01陶瓷的压电常数d_(33)、机电耦合系数kp分别为510 pC/N和61%,剩余极化强度P_r和矫顽场E_c分别为49 μC/cm~2和21 kV/cm.研究表明,BGSPT64-0.01陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.     

高介电常数低损耗SrTiO_3介质陶瓷

报告了重量比为57.5% SrTiO_3-31.5% PbTiO_3-6.7% Bi_2O_3-3.3% TiO_2-0.1% MnO_2-0.5% MgO-0.3% Nb_2O_5-0.1%SiO_2介质陶瓷的制备工艺和介电性质,给出了介电常数ε和介质损耗tanδ随烧成温度T的变化规律,描述了ε和tanδ的温度特性和频率特性.介电测量表明,此种介质陶瓷是制造大电容量、低介质损耗高压陶瓷电容器的优良材料.     

稀土掺杂对BSPT压电陶瓷的性能影响

在0.36 BiScO3-0.64 PbTiO_3(BSPT64)系压电陶瓷中,掺入适量稀土元素氧化物(Tm_2O_3、Sm_2O_3),采用固相烧结工艺制备出性能得到改善的高居里温度压电陶瓷.XRD图谱表明少量稀土掺杂不影响材料晶体结构,SEM图样表明稀土掺杂对晶粒尺寸有影响,Tm2O3和Sm2O3可促进晶粒生长,提高材料致密度.适量的稀土氧化物掺杂可调节陶瓷性能,当掺入Sm2O3的质量分数达到0.100%时,材料的相对介电常数εT33/ε0=2 199;当掺入Tm2O3的质量分数达到0.075%时,压电应变常数d33=480 p C/N.     

无导向剂水热合成条件对NaY型分子筛结构及形貌的影响

以硅酸钠和铝酸钠为主要原料,在无导向剂条件下,采用直接晶化法制备了NaY型分子筛。考察了陈化时间、晶化时间、晶化温度、体系的水含量和n(Na2O)/n(SiO2)等因素对分子筛结构和形貌的影响。分别采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了表征。结果表明:延长陈化时间有利于生成更多的晶核,但陈化时间过长会导致分子筛粒径增大;晶化温度的升高和晶化时间的延长使分子筛结晶度升高,但产物易出现转晶现象,生成杂晶;n(Na2O)/n(SiO2)和n(H2O)/n(Al2O3)对产物结晶度影响较大,合成高结晶度的NaY型分子筛所需要的合适的n(Na2O)/n(SiO2)和n(H2O)/n(Al2O3)分别为1.0和160。     

陶瓷晶粒生长仿真的最优化方法

针对陶瓷晶粒生长原子线度仿真数据量大、运行速度慢的问题,提出基于原子坐标信息而建立的最优化数据结构三叉树,将较适用于晶粒生长仿真的空间离散化方法与利于数据编辑的树型方法结合在一起,以适应快速地增加、查找、删除原子数据的需要.针对存储量问题,提出只存储外部原子(边界原子)信息的方法.每个原子含一整型数(integer),整型数的每一位记录其一个相邻原子是否是内部原子1表示内部原子,0表示外部原子.程序实现证明,仿真速度比原无序的数据结构提高了一个数量级,为O(n2/3);对于n3个原子,只需存储6n2个原子信息,节省了大量存储空间.     

特征数p的Cartan型阶化李代数的上同调群

A.S.Dzhumadil'daev给出了Zassenhaus代数W(1,n)的上同调群H~1(W(1,n),U_t)的结构。在本文中我们研究了在特征数p>2或3的代数闭域F上的Cartan型阶化李代数的上同调群的性质。设L=(?)L_[(?)]是一个Cartan型阶化李代数。对于每个不可     

氮化硅陶瓷的烧结致密化研究

研究了几个工艺因素对添加Y_2O_3,Al_2O_3的氮化硅陶瓷的烧结致密化的影响。结果表明:添加有少量硅粉的压块较不添加硅粉的同成分陶瓷易实现其致密化;烧结升温速度;α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相变温度对致密化无明显影响;含有5％BN粉末的烧结填料能使陶瓷获得最高的致密度。制得了接近热压陶瓷密度的烧结陶瓷。     

"酸处理红辉沸石-碱-铝酸钠-水”水热反应体系P型沸石的合成

用X射线衍射等测试方法研究"酸处理红辉沸石-碱-铝酸钠-水”水热反应体系混合物的硅铝的量比(n(SiO2)/n(Al2O3))、钠硅的量比(n(Na2O)/n(SiO2))、水钠的量比(n(H2O)/n(Na2O))以及晶化温度和晶化时间对P型沸石合成的影响;确定以酸处理红辉沸石为原料合成P型沸石的工艺流程和技术参数.工艺流程为酸处理红辉沸石→水热反应→晶化合成→过滤、洗涤→烘干→P型沸石产品;最佳技术参数为n(SiO2)/n(Al2O3)=3～4;n(Na2O)/n(SiO2)=1.0～1.2;n(H2O)/n(Na2O)=28～37;θ=95～100℃;t=6～8h.这为天然红辉沸石资源的开发利用开辟了新的途径.     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

铁电-反铁电相界附近的PSZT系列陶瓷的电致伸缩效应

本工作研究了PbTiO_3-PbZrO_3-PbSnO_3三元系(简称PSZT)陶瓷系列在铁电-反铁电相界附近16种成份的电致伸缩效应.测量了各种成份样品的横向电致伸缩系数Q_(12)和一些样品的流体静压电致伸缩系数Q_h 以及纵向电致伸缩系数Q_(11).实验结果表明,靠近相界的铁电相材料有较大的Q_(12)值且随Sn 的含量增加而增大,而靠近相界的反铁电相材料的Q_(12)则非常小.由本系列材料测出的最大的电致伸缩系数Q_(11)=2.16×10~(-2)m~4/C~2,Q_(12)=-0.58×10~(-2)m~4/C~2.在本实验的各成份中,并没有发现“弥散型”相转变的特征.     

SnO_2-ZnO二元系导电陶瓷的研制

SnO_2—ZnO导电陶瓷是一种强n型半导体陶瓷。室温下,电阻率最低可达0.06欧姆—厘米。它具有耐高温、耐酸碱腐蚀、强度高等优点;且具有一定的透明性。     

Cartan型阶化李代数的中心扩张和H~1(L,L)

A.S.Dzhumadil'daev决定了Cartan型阶化李代数的上同调群H~2(L,F)的结构,其中L=W(1,m)(p≥3),S(3,m)(p≥3),H(n,m)(p>3),K(n+1,m)(n≡-3 mod(p)和p≥3)和F是特征数p的代数闭域,R.Farnsteiner决定了H~2(L,F)的结构,其中L=W(n,m)(p>3),S(n,m)(p>3和n=3),H(n,m)(p>3)和K(n,m)(p>3)。利用H~2(L,F),他们也得到相应的中心扩张     

不同化学配比MgO·nAl2O3透明陶瓷力学性能与断裂机制的研究

作者以不同化学配比的MgO·nAl2O3超细粉体为原料,用真空烧结和热等静压相结合的两步烧结工艺,制备出了不同化学配比的MgO·nAl2O3透明陶瓷,并对其力学性能和弯曲断口形貌进行了测试分析.结果表明非化学配比陶瓷的抗弯强度、抗压强度等力学性能均随化学配比n的增加而呈先上升后下降的趋势,且整体性能高于化学配比陶瓷的结果.非化学配比透明陶瓷力学性质的提高主要源于其微结构的变化,即非化学配比陶瓷的晶界处有Al2O3析出,且析出的数量随配比n的升高而增加,形成沿晶断裂、穿晶断裂机制,此外,Al2O3/MgO·nAl2O3两相弱界面的存在及其数量的变化,还可引起陶瓷能量的耗散和层片断裂等断裂机制.     

柠檬酸溶胶-凝胶法制备钡铁氧体晶相变化的研究

采用柠檬酸溶胶-凝胶法制得钡铁氧体磁性粉末,借助热质量分析(TGA)、红外光谱(FT-IR)、X线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)测试手段研究了不同柠檬酸添加量对煅烧产物晶型的影响。结果表明:当柠檬酸与金属硝酸盐摩尔配比n(CA)/n(MN)≤1.2时,钡铁氧体晶相为W型,当n(CA)/n(MN)=2时,晶相转变为M型;随着柠檬酸量的增加,燃烧产物的晶化温度升高;过量柠檬酸添加改变了中间产物Fe的存在形式,促使γ-Fe_2O_3转化为热稳定性好的α-Fe_2O_3,进而使得W型钡铁氧体的成型温度升高,出现M晶型钡铁氧体。     

Al2O3陶瓷对CO2激光吸收率试验测定

试验验证了PHC-1500型CO2激光器输出激光经传输光路转换后的偏振化方向.利用设计的反射率测定装置,测定了Al2O3陶瓷表面分别对不同入射角下垂直和平行于入射面的线偏振CO2激光的反射率,据此得到Al2O3陶瓷的折射率和布儒斯特角及吸收率,与采用Fresnel公式计算获得的相应的反射率和吸收率值变化趋势一致,吻合较好.试验发现,平行于入射面的线偏振CO2激光使Al2O3陶瓷的吸收率由零度入射角时的约75%提高到布儒斯特入射角时的95%.这一结论为在开展CO2激光辅助切削Al2O3陶瓷时,设计高能量利用率的传输光路和对温度场的准确计算提供了试验和理论依据.     

Cartan型阶化李代数的中心扩张和H~1(L,L)

A.S.Dzhumadil'daev决定了Cartan型阶化李代数的上同调群H~2(L,F)的结构,其中L=W(1,m)(p≥3),S(3,m)(p≥3),H(n,m)(p>3),K(n+1,m)(n??-3 mod(p)和p≥3)和F是特征数p的代数闭域,R.Farnsteiner决定了H~2(L,F)的结构,其中L=W(n,m)(p≥3),S(n,m)(p>3和n=3),H(n,m)(p>3)和K(n,m)(p>3).利用H~2(L,F),他们也得到相应的中心扩张不同于他们的直接计算的方法,本文给出了一个新的统一的研究方法,不仅纠正了他们的某些错误结果而且得到了更广泛的新结果.首先,我们将Cartan型阶化李代数L的伴随模的对偶模L~*表示成混合积或诱导模的形式,然后,将H~1(L,L~*)的计算归结为L_([0])(L的零阶部分)的上同调的计算.由于L_([0])是简约群的李代数,我们可以利用简约代数群的表示理论的一些结果.我们决定了H~1(L,L~*)和