WR28低温标准噪声源

2008年中国计量科学研究院研制了一台WR28低温标准热噪声源。一个全频带WR28匹配负载浸入液氮中作为该标准的噪声辐射源。为了避免波导内部冷凝结霜在波导壁上设计了氮气导孔和氮气收集筒。详细分析了该标准噪声源输出温度的定标方法和输出噪声温度的不确定度评定。在所有的定标点该标准的输出噪声温度比液氮温度稍高几度,其输出口电压驻波比小于1.04,扩展不确定度小于1.00 K(k=2)。利用新的标准噪声源校准了商用R347B噪声源,校准结果与被测噪声的标称值一致性很好,测量的相对不确定度小于1.2%。     

L波段低噪声放大器的设计与仿真

选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,设计了一种基于负反馈技术的L波段低噪声放大器。其匹配网络是由集总元件与微带共同组成,使用Micrcowave2002对整个电路进行优化设计。在1～1.5GHZ的频率范围内,低噪声放大器噪声系数小于0.6dB,输入/输出驻波比小于1.5,增益大于20dB。     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

基于噪声消除的低噪声放大器架构

提出了一种基于噪声消除与衬底交叉耦合技术的宽带低噪声放大器(LNA)架构,在共栅(CG)与并联反馈组合的噪声消除结构基础上,采用了衬底偏置和衬底交叉耦合技术使输入级的等效跨导增大,提高了噪声消除路径中的消除率,降低了电路的噪声指数.基于噪声消除原理,通过在输入级金属氧化物晶体管(MOS)的衬底上采用无源增益增强的方式,增加了输入级跨导的自由度,改善了原结构输入匹配与噪声指数之间相互制约的问题.根据LNA架构中节点的基尔霍夫电流公式,分析了新架构的增益、输入匹配和噪声指数.与现有噪声消除结构相比,采用衬底交叉耦合技术使这个LNA架构的噪声指数降低了13.3%.     

2．4GHzCMOS低噪声放大器的设计

基于0．18μmCMOS工艺,采用共源共栅源极电感负反馈结构,设计了一个针对蓝牙接收机应用的2．4GHz低噪声放大器（LNA）电路．分析了电路的主要性能,包括阻抗匹配、噪声、增益与线性度等,并提出了相应的优化设计方法．仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,在5．4mw功耗下功率增益为18．4dB,噪声系数为1．935dB,1dB压缩点为-14dBm．     

双向泵浦分布光纤Raman放大器的噪声特性分析

在小信号假设下推导出了双向泵浦分布光纤Ram an放大器 (Bi DFRA)中包括放大的自发辐射噪声和二次 Rayleigh散射噪声在内的等效噪声系数公式 ,并对光纤非线性进行了归一化。研究了不同偏振因子和 Rayleigh散射系数情况下等效噪声系数与 Raman总增益及其中正向增益比例的关系。结果与数值模拟很好符合 ,并给出了明确的物理解释。该文据此提出了 Bi DFRA设计的一些参考准则     

基于ATF-33143设计的低噪声放大器

采用单电源供电模式,设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器。在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行了匹配并进行了优化,最后通过S参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数,在1.805~1.880 GHz频率范围内噪声系数小于0.45 dB,带内增益大于30 dB,输入驻波比小于2.0 dB,输出驻波比小于1.5 dB。仿真结果表明,该设计满足性能指标要求。     

低噪声前置放大器集成电路的设计与研制

论述了用于传感器的低噪声前置放大器的线路设计、器件版图设计和利用标准p-n结隔离工艺研制的结果.通过输入级最佳电流的设计及在线路设计和版图设计上采取一系列措施,使该放大器具有低噪声、宽频带等特点。该放大器的平均等效输入噪声电压为2.9nV/Hz~(1/2),单位增益带宽为12MHz。     

感应同步器输出信号的低噪声前放技术研究

感应同步器的输出信号微弱,且包含有原端连续绕组感应噪声,要求设计具有低噪声、高增益特性的前置放大器。针对这种设计要求,通过利用传感器和放大器噪声分析理论,对感应同步器输出级、前放电路输入级进行噪声建模,分析得出对应感应同步器输出信号的噪声系数和最佳源电阻,并以此为依据选择出了合理的低噪声前放输入级器件。计算和仿真分析表明,所选放大器件能与感应同步器进行噪声匹配,该前放电路能够满足感应同步器输出信号的放大要求。     

平衡式Ku波段低噪声放大器ADS仿真

平衡放大技术具有驻波特性好,增益高,易级联等特点。这里把平衡放大技术应用到Ku波段低噪声放大器的设计当中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪放的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果显示,在10～12 GHz频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤0.7 dB,功率增益达到≤10 dB,通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.12∶1,带内波动≤0.5 dB。提高了低噪声放大器的有效工作带宽。     

宽带平衡式低噪声放大器的研究与设计

为解决低噪声放大器设计时带宽和驻波的问题,提出一种结合平衡放大结构和负反馈技术设计宽带低噪声放大器的方法。采用ATF38143晶体管,利用ADS软件对其进行匹配优化,以自偏压的形式提供负压简化电路,通过并联谐振电路调节增益平坦度,设计出一个工作在1.5~2.5 GHz内、端口驻波小于1.4,噪声系数优于0.55、最大增益大于14 dB、带内增益平坦度优于2 dB的宽带低噪声放大器,很好地解决了低噪声放大器的带宽和驻波问题。     

具有抑制窄带干扰带阻特性的3～10GHz超宽带LNA

为在超宽带(Ultra-wideband,UWB)通信中抑制工作频带内的窄带干扰,提高接收机性能,提出了一个用于超宽带接收机的具有带阻特性的低噪声放大器(low noiseamplifier,LNA)。该放大器利用源简并电感得到实数的输入阻抗,利用输入匹配网络扩展工作带宽,利用具有带阻特性的负载网络得到宽带内的带阻特性。通过建立源简并结构超宽带LNA的电路模型,分析了超宽带LNA的放大器晶体管尺寸与功耗、增益、噪声系数之间的关系,提出了放大器晶体管尺寸的设计方法,同时给出了输入匹配网络和负载网络的电路结构和设计方法。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺的仿真表明,通过该方法设计的LNA,其通带和阻带性都能符合设计指标要求。     

2.45GHz单级低噪声放大器的设计

设计了一种基于高电子迁移率晶体管ATF54143的单级低噪声放大器,采用ADS软件进行了设计优化。仿真结果表明在2.45 GHz处噪声系数小于1.5 d B,增益大于16.4 d B,稳定系数大于1.1,输入与输出的电压驻波比都小于1.1。在仿真基础上进行了实物加工,实测结果在2.45 GHz处|S21|为8.3 d B,|S11|和|S22|最小值分别为-13.5 d B,-17.2 d B,1 d B压缩点的输出功率约为10 d Bm。该放大器可应用于S波段的无线局域网,射频识别和北斗导航系统等领域。     

移动通信基站前端LNA的设计与仿真

以FET管ATF36077实现基站接收机前端的低噪声放大器(LNA).首先根据设计指标确定FEIT管的直流工作点及偏置网络;其次通过输出端并联电阻元件以及对器件源端的电感值进行优化,以保证放大器工作的稳定性;最后以最小噪声系数和最大增益要求设计输入和输出匹配网络.结果表明:工作频率为1.92～1.98 GHz时,既可满...     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

低噪声晶体管放大器的设计

以实现声频放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个方面．从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法．还对系统电路的低噪声设计略加探讨．     

级联放大器噪声因子公式的推导及一种新颖的理解方式

对放大器而言,噪声因子是最重要的技术指标之一,尤其是低噪声放大器。加强对噪声因子的理解,有助于优化放大器的噪声因子,提高放大器的性能。文中对级联放大器噪声因子公式作了详细的推导,并提出了一种新颖的理解方式。     

CDMA低噪声放大器的研究与设计

介绍CDMA低噪声放大器的设计．分析设计中需注意的关键问题并给出相应解决措施。给出了实测的该低噪声放大器的各项性能指标。