双层三角晶格反铁磁体c-轴电荷动力学研究

由t-J模型出发,在Feimion-spin理论框架下研究了有Cu-O链的双层三角晶格反铁磁体的c-轴电荷动力学.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关,也就是说,它依赖于CuO2平面间的化学组成成分.材料中CuO2平面之间是否有Cu-O链,对于材料的物理性质有很大的影响.对于层间存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学主要是由CuO2平面内holon的散射决定的.双层三角晶格反铁磁体正常态电荷动力学与单层材料一样,也存在着很强的各向异性行为.由三角晶格得到的结果与四方晶格相类似,但是由于三角晶格自身存在的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.     

空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学研究

从t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学.结果表明,与四方晶格材料不同,空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁体积分自旋动力学不具有普适行为.结果还表明对于三角晶格反铁磁体,2个CuO2平面之间的耦合对自旋动力学的影响不是很大,双层三角晶格反铁磁体的自旋动力学与单层三角晶格大体相同.     

空穴型掺杂三角晶格反铁磁体反常的c-轴电荷动力学

从t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂三角晶格反铁磁体的c-轴电荷动力学.结果表明,与四方晶格材料类似,空穴型掺杂三角晶格反铁磁体正常态的电荷动力学同样具有很强的各向异性,但是由于三角晶格固有的几何阻挫效应,使得二者的结果又稍有差异.     

W原子薄片磁性的第一原理计算

应用基于密度泛函理论的第一原理方法,对单原子层的W原子薄片的磁性进行了计算.结果表明:稳定的W原子单层没有磁性,但是在晶格被拉伸的情况下会出现磁性.晶格被拉伸时,反铁磁结构比铁磁结构更早出现磁性,正方结构比斜方结构更快出现磁性.不管是铁磁,反铁磁的平面结构,平面近六角结构最为稳定;反铁磁结构比铁磁结构更加稳定.     

交换各向异性与单轴各向异性非共线时铁磁／反铁磁体系的交换偏置

采用能量极小原理及S-W模型研究了交换各向异性与单轴各向异性非共线时,铁磁／反铁磁双层薄膜体系的交换偏置．不施加外磁场时,根据能量与铁磁层磁化强度方向之间的关系,我们发现体系可以处于单稳态与双稳态两种不同的状态,是由交换各向异性与单轴各向异性之间的竞争决定的．体系处于单稳态还是双稳态直接决定着交换偏置的角度依赖关系．分析磁化过程发现,外磁场沿内禀易轴、内禀难轴方向施加时,磁滞回线的一支转换场发生突变,另一支转换场则保持连续,最终导致交换偏置出现阶跃行为．数值计算表明,交换各向异性的大小及方向对角度依赖关系均有很大影响;交换偏置场与矫顽场在阶跃点均具有较大的数值．交换偏置的阶跃行为决定于铁磁．反铁磁界面耦合系数、耦合方向、铁磁层材料的单轴各向异性以及厚度,是体系自身的一种性质．     

铁磁—反铁磁双层系统的零温磁矩

在线性近似下导出二维各向异性四套子格子简立方 Heisenberg 铁磁—反铁磁双层系统模型的哈密顿量,采用矩阵格林函数运动方程技术,得到自旋波的色散关系.数值计算结果表明,层间和层内耦合强度对铁磁—反铁磁双层系统的磁性质有重要影响.     

涡流对反铁磁性超晶格推迟模式的影响

在等效介质理论近似下,涡流对层间有反铁磁交换相互作用存在的侧向磁性超晶格的推迟模式的问题。与以往有关推迟模式的研究有所区别的是,由于涡流的存在,必须考察传导电流对色散关系的影响。应用等效介质理论进行求解,色散曲线揭示了阻尼对推迟模式的影响。所得结果考虑了非磁性层厚度相等、外磁场沿z轴方向、波在y-z平面内传播的情况。     

应变作用下EuTiO_3薄膜铁电性的第一性原理研究

基于第一性原理计算,研究了应变作用下EuTiO_3(ETO)薄膜的微观结构、轨道电子态密度,分析其磁性变化以及可能的极化起源.研究发现,对ETO薄膜施加一定程度的应变,无论是压应变还是张应变,体系由顺电相相变到铁电相.极化来源于应变作用下Ti 3d与周围O 2p离子的杂化平衡被打破,Ti原子位置发生偏移.张应变作用下极化沿着原胞平面内y轴方向,而压应变作用下极化则沿着z轴方向.此外,铁磁的势阱大于反铁磁的势阱,说明施加一定程度的应变,晶体的磁性会由反铁磁态相变到铁磁态.     

层内铁磁-层间反铁磁双层系统零温性质

采用线性自旋波方法研究层内铁磁-层间反铁磁双层系统的零温磁性质,考察了不同的层内藕合强度,层间藕合强度及自旋值对系统的磁矩和基态能的影响.     

体单轴各向异性对双层铁磁薄膜中自旋波共振谱的影响

重点研究了双层铁磁薄膜系统在层间反铁磁耦合下,体单轴各向异性对自旋波色散关系和共振谱的影响.结果表明:随着体单轴各向异性常数的增加,各类型模之间相互转化;高能禁闭模共振减弱,低能禁闭模和界面模共振增强.     

惰性盐辅助法合成氮化镓纳米棒及其场发射性能研究(英文)

以惰性盐为分散剂,通过直接氮化金属镓与氟化钙的混合物,在较低温度下(650℃)大量合成出角面截面型氮化镓纳米棒,大大低于以往文献报道的氮化温度(900℃以上)。通过X射线衍射和电子显微镜等设备表征,可知所制得的产物为六方相氮化镓纳米棒,且纳米线沿着c轴择优生长;每根氮化镓纳米棒都具有菱形或三角形截面。由于本方法的制备温度低,导致了氮化镓纳米棒与硅基片的良好接触。场发射实验表明,该复合系统具有很低的开启电压(5.4V/μm)和阈场(8.4V/μm)。     

聚乙烯的光电导初探

本文研究了正极性光电流实验中出现的动态光电流反向的现象.实验了聚乙烯薄膜材料在开、闭光时的暂态过程,对影响这一现象的物理参数以及一些相关现象进行了实验讨论.认为这一现象可能与受光电极附近的空间电荷形成附加电场有关,而反向光电流峰值反映了受陷载流子浓度与电荷分布.     

热处理对 PPTA 纤维的序态及机械性能的影响

PPTA 纤维通过张力热处理,纤维的模量得到了显著的提高,纤维的分子结构及超分子结构同时发生了变化。本文测定了热处理前后的 PPTA 纤维晶胞 c 轴的变化,证实 PPTA 纤维在热处理过程中,在超分子结构变化的同时,晶胞也发生了形变。在松弛热处理过程中,纤维的晶胞 c 轴随热处理温度的升高而缩短;而在张力热处理时,晶格 c轴随张力的增犬而伸长。同时,热处理前后纤维热收缩应力的变化与 c 轴变化相对应,纤维的热收缩应力也随着张力的增加而增大,随温度的上升而降低。从热收缩应力和晶胞 c 轴的形变可以计算得到晶格热收缩模量的变化。     

非极性纳米线压电电子和压电光电子学效应的研究进展

压电极化和半导体特性之间的耦合因具有独特的物理性质而引起了人们的关注，并由此兴起了一些新的研究领域(如压电电子学和压电光电子学).文章回顾了压电效应和压电光电子学效应对金属/半导体(M/S)和p-n结的影响，详细介绍了c轴和a轴压电电子和压电光电子学研究的基本进展和应用探索. c轴纳米结构中的压电效应是界面效应，它利用在纳米结构的局部M/S接触处或同质/异质结处产生的压电极化来控制载流子跨界面传输，并通过光感应载流子进行相应的光电过程.在非极性a轴纳米线中，外部应变感应的压电电荷沿整个极性表面分布，方向垂直于纳米线.压电半导体的电荷载流子传输过程在整个纳米结构体内受到压电效应的调节.     

电化学方法估算Au／硫醇／卵磷脂双层膜的表观有效厚度

以Ａｕ／硫醇／卵磷脂双层膜作为生物膜的模型体系，应用交流阻抗及循环伏安技术研究了该双层膜在不同浓度的Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６／Ｋ４Ｆｅ（ＣＮ）６溶液中的电化学行为．结果表明，硫醇／卵磷脂双层膜没有明显的“针孔”缺陷，电子转移通过电子隧道实现．测得硫醇／卵磷脂双层膜电化学表观有效厚度为１６个ＣＨ２，低于硫醇分子及卵磷脂分子的链长总和，说明硫醇及卵磷脂分子有倒伏或塌陷     

Ni掺杂ZnO的结构、光学和磁学性质

利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xNixO(x=0.1 %,0.4 %,0.7 %,1.0 %)粉末,研究了样品的结构、光学和磁学性质.X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现第2相.随着掺杂量的增加c轴晶格常数变小.X射线光电子能谱显示样品中的Ni离子处于+2价态.由紫外可见光吸收谱发现,随着掺杂量的增加能隙逐渐变小,证实了Ni2+对Zn2+的替代.由光致发光谱发现,在390 nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰和以467 nm为中心宽带深能级发光带组成的由缺陷引起的较宽的蓝光.磁化强度测量表明,样品具有室温铁磁性,且随着掺杂浓度的增加,饱和磁化强度增加.当掺杂量为1.0 %时饱和磁化强度最大为0.076 μB/Ni.     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.