全反射现象物理机制的微观分析

以光的电磁理论为出发点，定量计算了透射场在光疏介质中的稼射深度、位相变化和平均能流密度，进而对光全反射现象的物理机制进行了策观分析     

金属板材腐蚀坑最大深度的简易X射线斜透射测量技术

基于X射线透射造影术的基本原理,提出了一种简易的X射线斜透射测量技术,用以测量金属(铝/钢)板材上腐蚀坑的最大深度.经三维光学显微镜技术的比对,本技术对典型的汽车用铝/钢板材上腐蚀坑深度的绝对灵敏度和测量误差分别为100μm和±10μm.     

钨离子注入多晶不锈钢引发亚结构变化的研究

利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了钨离子注入经１１５０℃固溶处理的奥氏体不锈钢（１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ）的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子体身的注入深度，钨离子注入多晶奥氏体不锈钢中位错密度沿位入深度有一个峰值。位错密度峰值处的亚结构，在多个晶体学倒易矢量显现。其他区域位错显像有方向性；在最密排面上易于显像，其他的矢量方向大多隐像。     

桩基低应变完整性测试的多次波分析

为了准确识别桩基低应变完整性测试中桩基缺陷的程度和深度．必须进一步研究速度信号中多次波的影响．利用反射波法成功地模拟出桩基动测中包含透射和多次反射波影响的速度曲线，可处理任意个不等距反射界面的情况．使得应力波在桩基中的传播规律有了进一步的认识；同时提出了相应的多次波反演新方法．可以反演包含透射和多次反射影响的速度波信号．该方法只需准确识别每次的第1个速度波．就可以准确识别桩基缺陷所对应界面的波阻抗变化规律及其对应深度．数值算例说明该方法是确实可行的．     

铁离子注入单晶铜引发亚结构组态变化的研究

用加速电压５０ｋＶ、剂量为４×１０１７／ｃｍ２的铁离子注入单晶铜中，利用透射电子显微镜弱束成像技术研究了被注入材料的横截面样品，发现离子辐照引发被注入材料亚结构变化的深度远大于离子本身注入的深度，铁离子注入单晶铜中位错密度随注入深度的变化有两个峰值出现．其亚结构为多种位错组成的复杂位错组态，这种亚结构会使被注入材料具有相当于加工硬化的效果．探讨了离子注入材料中由辐照引发的加工硬化现象，即所谓的“长程效应”     

高层建筑基础桩的工程地球物理检测试验研究

对昆明某高层建筑直径1 m的混凝土灌注桩试桩进行了桩基缺陷检测试验研究,得到了3个超声波透射探测剖面的波速-深度曲线图和透射波波列曲线图,其中每个超声波探测剖面的波列图由73条透射波曲线组成.对每个剖面的透射波波列曲线和波速-深度曲线的对比分析和研究表明,所测基桩的桩身存在3处缺陷,其位置分别为距桩顶12.10~12.85 m处、14.10~15.85 m处和17.35~18.10 m处.通过钻孔取样,不但验证了上述缺陷位置的检测结果完全符合实际情况,而且确定了所测基桩上述3处缺陷的性质:缺陷(1)为局部混凝土离析,程度较轻微.缺陷(2)为严重夹沙离析和夹泥,属于层状缺陷或断桩,程度最严重.缺陷(3)为较严重的离析夹砂,属于中等程度缺陷.     

微立体光刻中光敏树脂特性的实验研究

微立体光刻技术是基于快速原型制造技术思想的新型微细加工技术。在微立体光刻制造中,光敏树脂在一定波长的光照下发生固化反应,光敏树脂的曝光量阈值和透射深度是光敏树脂的两个重要的特性参数。对掺入质量比20%氧化硅纳米颗粒自行制备的光敏树脂的两种特性值进行测试研究,测量得到光敏树脂在氮气环境中比与在空气中的曝光量阈值小,分别为5.6 mJ/cm2以及86.5 mJ/cm2;加入光吸收剂后的透射深度比不加入光吸收剂的透射深度小,分别为14以及60。根据测量的树脂的特性值,使用实验室开发的微反射镜动态掩膜微立体光刻系统,成功制作微齿轮。     

高维射影空间中透射变换的确定和性质

研究了ｎ维射影空间Ｐ＾ｎ中的透射变换的确定和性质。得到了如下结果：给定Ｐ＾ｂ中的一个超平面π和三个不在π上且互异的共线点，Ｐ，Ｚ，Ｚ’，则恰有一个以Ｐ为透射心，π为透射面，且以Ｚ和Ｚ’为一对对应点的透射变换。并由此证明ｎ维射变换可表成有限个透射变换的乘积。     

空间高能电子对航天材料损伤分析

针对高能粒子在空间环境中的辐射研究,本文简单地介绍了空间高能电子在空间环境中分布情况及在物质中的传输问题,并在此基础上重点分析和研究了高能电子对航空材料的辐射损伤和高能电子的非电离能损失.从空间高能电子对材料的辐射损伤的角度,分析讨论了材料厚度与屏蔽效果的关系并提出了一些相关性的结论和展望.从L.W.Hobbs等人的研究中,得出了电子的透射深度的计算表达式,并且用此表达式计算了SiO2和Al的透射深度,结果发现计算的数据与卫星探测到的数据吻合的很好.     

透射电子显微镜像差的简化分析

通过对透射电子显微镜像差的简化分析，得到在透射电子显微过程中最佳离焦量的选择原理，并进一步讨论了消除像差影响的方法，给电子透射显微像的数字模拟提供了较简便的处理方法．     

精确测量透明介质膜片折射率的一种方法

激光束经透明介质膜片反射后产生散射条纹分布．通过测量３条相邻条纹散射角可计算出测量膜片的折射率．本文推导出了其计算公式及测量误差公式．给出了实验结果．实验表明该方法的测量精度较高．     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

一种介质加载型表面等离激元透镜的研究

提出一种由金属圆盘和圆锥形介质薄膜组成的表面等离激元透镜结构, 该结构能将正入射的电磁波汇聚成束缚于介质表面的圆弧形聚焦斑。这些聚焦斑的尺寸随着介质薄膜中心厚度的减小而减小, 并在薄膜厚度等于某个值时汇聚成一个焦点。该结构还能实现较好的局域场增强。     

一种多层介质膜光管及其对激光光场的影响研究

带有光管的光学系统中,当采用激光光源时,光管对激光的特性影响应当被考虑到。利用ZEMAX仿真软件,对532nm激光通过一种71层高反射多层介质膜光管结构后特性进行了仿真分析;并搭建测量光路对仿真数据进行验证。实验结果表明,镀有多层介质膜的光管可以有效增加光的反射率,使激光光源的偏振形状和方向多样化,因此,该类光管可被用于调制激光的偏振度。     

基于共面波导传输线的铁电薄膜可调带通滤波器

铁电薄膜的介电常数强烈地依赖于所施加电场强度的大小。基于这一原理,提出一种新颖的基于共面波导传输线结构的铁电薄膜可调带通滤波器。滤波器的输入输出采用抽头线的方式分别与谐振器相接,外加电压通过滤波器的输入输出端口直接施加到谐振器处的铁电薄膜上,用以改变铁电薄膜的介电常数,从而改变谐振器的谐振频率,实现带通滤波器通带频率的移动。这种新型结构的铁电薄膜可调带通滤波器具有结构紧凑、尺寸小及施加外加偏压容易等优点。仿真结果表明:铁电薄膜的介电常数在外加偏压下从250减小到200时,带通滤波器的传输特性曲线的形状基本保持不变,通带的中心频率从9.95GHz增加到10.04GHz,其3dB带宽保持在0.13GHz,反射损耗始终小于-20dB。     

CH3NH3PbI3薄膜的光致发光增强效应

采用光谱测量技术分析了CH₃NH₃PbI₃薄膜的光致发光增强效应及其对载流子复合动力学的影响.实验结果表明,增加光浴功率密度有助于提高薄膜的光致发光增强速率,O₂环境有利于薄膜的光致发光增强.CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴处理引入的光致发光增强效应源于薄膜内缺陷态浓度降低.同时利用微波吸收介电谱技术,表征了CH₃NH₃PbI₃薄膜光浴前后,自由载流子和浅能级束缚载流子的复合动力学.发现光浴后,薄膜的自由载流子和浅能级束缚载流子浓度明显提高.     

无机厚膜电致发光显示器件的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL).整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.测试了器件的阈值电压、亮度与电压、亮度与频率关系,并对器件衰减特性进行了分析.结果显示厚膜电致发光器件比薄膜电致发光器件有更低的阈值电压和较小的介电损耗,有效地防止了串扰现象.     

薄膜实时演变分析系统

建立了一套薄膜实时演变分析系统，激发金属膜的表面等离激光谱，采用Kretschmann模式，通过激光扫描技术、电子检测技术和计算机技术相结合组成的薄膜实时演变分析系统，无须配置复杂的机械运动部分，从而减少误差的来源和手工操作，具有很高的自动化程度，实现了数据采集和处理的实时性。     

woodpile结构中完全带隙的研究

介电常数沿不同方向周期性变化的woodpile结构三维光子晶体存在完全带隙,可以实现立体空间中对光的控制传输。鉴于此,采用时域有限差分方法研究了椭圆截面和长方形截面介质柱形成的光子晶体的完全带隙。结果发现,这两种情况都存在很好的完全带隙,且带隙的宽度受到介质柱不同截面形状的有效调节。     

K掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能

采用Sol～Gel法在Pt／TiO2／SiO2／Si基底上制备了多种不同组分的（Pb0.3Sr0.7）1-xKxTiO3（PST）（x=0,1mol％,2．5mol％,5mol％）多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能．发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小．1MHz时,随K含量的从0增加至5mol％,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0．134减小到0．058,其微波介电综合性能改善．