基于灰色预测模型GM（1，1）的矿井瓦斯涌出量预测及其参数研究

本文解释了GM（1，1）模型中的发展系数（a）与灰作用量（b）的意义，并对其在GM（1，1）的白化方程中的作用和对预测的影响进行了研究，根据这些结果，对GM（1，1）模型在矿井瓦斯涌出量预测方面进行了计算，肯定了GM（1，1）在矿井瓦斯涌出量预测方面的应用前景。     

含RE^3＋,Cu^2＋杂金属配合物合成与表征

以吡啶乙酸内盐，简称ｐｙｂ）为配体，在ｐＨ２．５和３．５下分别合成了２类配合物。经过元素分析和红外光谱等分析，确定了配合物的组成分别为ＲＥＣｕ（Ｐｙｂ）_５（ＣｌＯ_４）_５·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙ）和ＲＥ_６Ｃｕ_（１２）（ＯＨ）_（２４）（Ｐｙｂ）_（１２）（ＣｌＯ_４）_（１８）·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，ｎ＝３２；ＲＥ＝Ｇｄ，Ｄｙ，ＥｒＹ，ｎ＝２８），观察了Ｎｄ~（３＋）的水溶液中，分别加入Ｐｙｂ，Ｐｙｂ和Ｃｕ~（２＋）或Ｍｎ~（２＋），Ｎｉ~（２＋），Ｐｒｂ［三甲基按丙酸内盐，（ＣＨ_３）_３Ｎ~＋，简称Ｐｒｂ］，Ｐｒｂ和Ｃｕ~（２＋）后，ｆ－ｆ超灵敏跃迁吸收光谱的变化。结果表明，在ｐＨ２．５和３．５下，Ｃｕ~（２＋）均使Ｎｄ~（３＋）·ｐｙｂ体系超灵敏跃迁的振子强度增大，且增大值相同，Ｃｕ~（２＋）对Ｎｄ~（３＋）－Ｐｒｂ体系、Ｍｎ~（２＋）（或Ｎｉ~（２＋））对Ｎｄ~（３＋）－Ｐｙｂ体系超灵敏跃迁吸收光谱均无影响，讨论了超灵敏跃迁振子强度变化与杂金属配合物形成的关系。     

氢原子在Cu,Pt（100）,（111）,（110）面上的吸附扩散势能面结…

构成了Ｈ－Ｃｕ，Ｈ－Ｐｔ相互作用的５参数Ｍｏｒｓｅ势、用经典的对势 氢原子在Ｃｕ（１００），Ｃｕ（１１１），Ｃｕ（１１０），Ｐｔ（１００），Ｐｔ（１１１），Ｐｔ（１１０）面上的吸附和扩散，得到了氢原子在６个表面上的吸附位，吸附几何，键能及本征振动等数据和实验结果附和得很好。     

度量矩阵与弯曲矩阵的关系等式的两种证法及其应用

给出了度量矩阵（gij）和弯曲矩阵（bij）的关系等式（4）与（5）（见文章第2节）的代数证法和几何证法，其中几何证法回避了抽象的Weingarten映射，更适合众多微分几何初学者．简明快捷的几何证法不但揭示了等式（4）的几何含义，而且给出等式（4）与（5）在几何上的应用实例．     

热传导方程反问题的存在性

讨论了有源函数的热传导方程ｕｔ—△ｕ＋ｑ（Ｘ）ｕ＝ｆ（Ｘ，ｔ）ｕ（Ｘ，０）＝ｇ（Ｘ）其中ｑ（Ｘ）为未知函数，在附加条件ｕ（ｘ，Ｔ）＝ｈ（ｘ）下反问题（ｕ，ｑ）的存在性。用Ｇａｌｅｒｋｉｎ逼近法和拓扑度理论得出了反问题的存在性定理。     

从Ga（Ⅲ），Zn（Ⅱ），Cu（Ⅱ）和Fe（Ⅲ）的盐酸溶液中分离Ga（Ⅲ）的方法研究

研究了在不同浓度的盐酸溶液中异而醚对Ｇａ（Ⅲ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｃｕ（Ⅱ）和Ｆｅ（Ⅲ）的萃取效率及加入不同浓度的Ｚｎ（Ⅱ）和Ｃｕ（Ⅱ）对异丙醚萃取Ｇａ（Ⅲ）的影响及Ｇａ（Ⅲ）的平均回收率。Ｃａ（Ⅲ）的平均化学产额为９７．４％。在１ｍＬ的枸橼酸镓注射液中杂质元素Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ和Ｔｉ的含量分别为：０．６４μｇ，０．６５μｇ，０．４０μｇ和０．７４μｇ。     

广义（F，ρ）─凸性与半无限规划

文章先提出了（Ｆ，ρ）ｃ─凸，（Ｆ，ρ）ｃ─伪凸，严格（Ｆ，ρ）ｃ─伪凸和（Ｆ，ρ）ｃ─拟凸函数几个新概念，然后在这些广义（Ｆ，ρ）─凸性情形，得到了非光滑半无限规划的最优性条件和几个对偶性结果。     

Pd(Ⅱ)/BQ催化环己烯氧化合成环己酮的反应机理

在乙腈的酸性水溶液中，考察了Pd（OAc）2、Pd（NO3）2、PdCl2和苯醌（BQ）组成的催化体系在环己烯氧化合成环己酮反应中的催化活性，探索了酸度对Pd（OAC）2／BQ催化活性的影响．结果表明，Pd（OAc）2／BQ和Pd（NO3）2／BQ对环乙烯氧化合成环己酮显示了较高的催化活性，而PdCl2／BQ的活性则较低，无水和无酸存在的溶液中，Pd（OAc）2／BQ对环己烯氧化未显现任何催化活性．并用紫外可见光谱（UV－Vis）、循环伏安法考察了该催化体系的作用机理     

二元函数的微积分基本定理

从二元函数的面导数出发定义原函数和不定积分，研究了它们的性质．证明了：（１）若ｆ（ｘ，ｆｙ）有原函数，则有一族原函数且任意两个原函数相差ｋ（ｘ，ｙ）＝Ｃ（Ｘ）＋Ｄ（ｙ）＋Ｅ，其中Ｃ（ｘ），Ｄ（ｙ）为一元函数，Ｅ为常数；（２）若ｆ（ｘ，ｙ）在闭区间［Ａ，Ｂ］Ｒ２上连续，Ｚ＝（ｘ，ｙ）∈［Ａ，Ｂ］，则Φ（ｘ，ｙ）＝ｆ（ｓ，ｔ）ｄｓｄｔ在（ｘ，ｙ）可导且Φ’ｘｙ＝ｆ（ｘ，ｙ）；（３）若ｆ（ｘ，ｙ）在［Ａ，Ｂ］上连续，Ｆ（ｘ，ｙ）为其一个原函数，则ｆ（ｘ，ｙ）ｄｘｄｙ＝Ｆ（［Ａ，Ｂ］）．     

正规齐型空间上的ε算子族与Litlewood－paley理论

讨论了齐型空间上的ε算子族．去掉定义中含有的零因子ρ（ｘ，ｙ）／μ（Ｂ（ｘ，ｔ＋ρ（ｘ，ｙ））），得到了改进的ε算子族定义，同时也获得了在新的ε算子族定义下正规齐型空间Ｘ上的广义Ｌｉｔｌｅｗｏｏｄ－Ｐａｌｅｙｇ－函数、面积函数Ｓ和ｇλ＊函数在Ｌｐ（Ｘ）（１＜ｐ＜＋∞）空间上的有界性     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

半导体材料特性和参数研究

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格（Gex-Si,InxGa1-xAs/GaAs)光伏效应的机理,测量了不同温度下的光伏谱,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰。计算了导带和价带子带的位置和带宽,根据宇称守恒确定光路迁选择定则,对路迁峰进行指认。研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱,推导了有关计算公式,计算得出电学参数（L、n0 、μ、S、W）、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分;分析了电学参数的温度关系;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级关系,计算了深能级浓度和参数。在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅（SnO2/PS/Si)和二氧化锡/硅（SnO2/Si),测量了它们的光伏谱,分析表明它们存在着异质结。当样品吸附还原性气体（H2、CO、液化石油气）时,光电压有明显变化,因此可做为一种新的敏感元件。分析了它们的吸附机理,计算了有关参数。     

基于Zn_2SnO_4纳米线固态染料敏化太阳能电池光生电荷分离与光电性质研究

采用水热法在不锈钢滤网上制备出Zn2SnO4纳米线.首次通过制备Zn2SnO4纳米线/CBS异质结构来提高复合体系的光生电荷分离效率;逐步改变CBS厚度系统研究了Zn2SnO4纳米线/CBS染料敏化太阳能电池的光电转换效率.结果表明Cu4Bi4S9为1.0μm时,Zn2SnO4纳米线/Cu4Bi4S9异质结具有最强稳态和电场诱导表面光伏效应,对应染料敏化电池最高光电转换效率为4.12%.从光吸收、薄膜厚度、内建电场和能级匹配等几个方面,讨论了异质结和固态染料敏化电池中光生电荷分离的影响因素以及光生电荷传输机制.     

纳米SnO2和分子筛封装纳米SnO2簇的制备

采用改良的液相法制备出纳米ＳｎＯ２超微粒，以及在分子筛的笼穴之中合成出纳米ＳｎＯ２簇．利用ＸＲＤ，ＴＥＭ和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱（穆谱）对２种纳米粒子的微观结构状态进行了表征．ＸＲＤ和ＴＥＭ测得液相法制备的ＳｎＯ２超微粒晶粒度为１０ｎｍ左右．穆谱研究表明２种纳米ＳｎＯ２微晶的穆谱均由体相原子和界面相原子２套子谱所组成．穆谱研究还证实了分子筛封装纳米ＳｎＯ２簇微粒的分布均匀程度明显高于液相法制得的纳米ＳｎＯ２．     

Mo掺杂SnO2纳米晶的制备及光致发光性质

用四氯化锡和钼酸铵为原料,经水解、分离、焙烧等工序制备出Mo掺杂SnO2纳米晶的光电材料。通过X射线粉末衍射、透射电镜表征,结果显示:尺寸为2.5 nm左右的SnO2纳米粒子形成。荧光测试结果表明,以220 nm波长进行激发,其发射波长为463、490和537 nm,均在可见光范围内。     

一维纳米SnO2/TiO2复合薄膜电极的制备及光电性能

采用静电纺丝的方法,通过调节前驱体液中SnCl₂·2H₂O的质量分数,制备了直径为90~180nm的SnO₂纳米线,经TiCl₄溶液水解处理制备得到了SnO₂/TiO₂薄膜电极。使用SEM和EDS对薄膜电极进行表征,通过线性扫描伏安法和光电催化测试,分析研究了SnO₂/TiO₂ 纳米复合薄膜电极的光电化学性质。结果表明,当SnCl₂·2H₂O质量分数为3%时,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极的光电流密度达到最大;随后将其与TiO₂、SnO₂薄膜电极相比,SnO₂/TiO₂ 复合薄膜电极产生的光电流明显增大;复合薄膜电极对罗丹明B（RhB）的光电催化降解率在90min后可达到95%,而TiO₂仅为56%、SnO₂为58%。     

In、Ga掺杂对SnO2的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了本征SnO2、SnO2:In、SnO2:Ga和SnO2:(In,Ga) 超晶胞模型并进行了几何结构优化，对其能带结构、 态密度、 电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示，相比于SnO2:In和SnO2:Ga，SnO2:(In, Ga)的晶格常数更接近于本征SnO2，可有效降低SnO2材料掺杂体系的晶格畸变. SnO2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值，且能带结构向高能方向移动，材料呈现典型的p型半导体特性. SnO2:(In, Ga)中，In与Ga掺杂原子和O原子的电子云呈现出共价键特性. 光学性能表明，SnO2:(In, Ga)晶体中，光子能量在0~2.45eV和大于6.27eV的范围内表现出良好的介电性能，在微型微电子传感器机械系统器件和高密度信息存储等方面具有良好的应用前景. SnO2:(In, Ga)在可见光范围内具有105cm-1数量级的吸收系数，能够强烈地吸收光能，在光电器件的吸收材料中具有潜在的应用前景.     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

Al_2O_3/SnO_2纳米复合粉体制备及其红外吸收特性研究

利用Sol-gel法制备了Al2O3/SnO2纳米粉体,颗粒大小为20 nm.研究了Al2O3掺杂对SnO2粉体物相结构、晶化行为及晶粒度的影响,并对Al2O3/SnO2复合粉体的红外吸收性能进行了研究.分析认为,所制备的SnO2粉体样品属于四方结构,Al2O3的加入对SnO2结晶温度、晶粒度等方面产生影响,可对SnO2晶粒生长有明显的抑制作用,大大降低其晶粒度.并且,Al2O3/SnO2复合粉体在400~1000cm-1波数范围内有较强的红外吸收.     

甲硫氨酸在Fe3+或In3+掺杂的SnO2:Sb5+电极上的电催化氧化

采用金属离子氯化盐溶胶热分解法制备了Fe3 或In3 掺杂的SnO2:Sb5 电极,并通过线性电位扫描法考察了这种电极材料对甲硫氨酸的电催化氧化性能.根据甲硫氨酸在不同掺杂含量的SnO2:Sb5 (5%)-Fe3 和SnO2:Sb5 (5%)-In3 电极上的电催化氧化情况,确定了Fe3 和In3 离子的最佳掺杂含量分别为0.5%和0.3%.根据扫描速度、甲硫氨酸浓度和转速对甲硫氨酸在Fe3 或In3 掺杂的SnO2:Sb5 电极上的电催化氧化的影响结果可以看出,该电极对甲硫氨酸的电催化氧化性能正比于实验所采用的扫描速度、甲硫氨酸的浓度以及旋转圆盘电极的转速.