多元合金异质InxGa1—xAs／InxAl1—xAs的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ值。     

原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随合金组份的变化规律．结果表明，由于应变的引入，该系统的面△Ｅｖ～Ｘ表现出大的非线性，且这一关系受到应变状态的显著影响．通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属．部分结果与有关的实验值和理论结果相符合．     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

原子集团展开和平均键能方法有InxGa1—xAs／GaAs系统中…

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随合金组份的变化规律。     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As异质界面极化子的温度效应

ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ异质界面极化子的温度效应李春圃，班士良（内蒙古大学物理学系，０１００２１，呼和浩特）ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＥｆｆｅｃｔｏｆＰｏｌａｒｏｎｓｏｎａＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）ＡｓＨｅｔｅｒｏｉｎｔｅｒｆａｃｅ￥Ｌ...     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

Al_xGa_（1－x）As虚晶近似LMTO能带的自洽计算

对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近似的合金能带计算方法（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ－ＶＣＡ），文中着重研究该方法的能带自洽迭代计算方案，在Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近似的能带结构。     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．     

C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．     

K[x_1,x_2;x_1~(-1),x_2~(-1)]上的分次扩张

设V是域K上的一个全赋值环,B1=i∈ZAi,0Xi1,B2=j∈ZA0,jXj2分别是K[x1,x-11],K[x2,x-12]上V的分次扩张,令A=i,j∈ZAi,jXi1Xj2是K[x1,x2;x-11,x-12]的一个子集,本文对K[x1,x2;x-11,x-12]中V的分次扩张进行了刻画。对B1、B2的所有可能的情形,本文证明了A的存在性,并讨论了B1、B2在若干条件下,A的唯一性。     

多项式环R[x,x-1]里的因子分解

设R是一个整环 ,F是R[x]的商域 ,则R[x ,x- 1 ]是F的子环 .本文证明 :若R是域 ,则R[x,x- 1 ]是欧氏环 .若R是一个唯一分解环 ,则R[x ,x- 1 ]是唯一分解环 .     

自旋三重态对半磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe和Cd_（1－x）Fe_xSe的基态精细结构分裂的影响

本文在强场图象下推导了３ｄ４／３ｄ６离子在三角晶场中包括自旋－轨道相互作用的哈密顿矩阵公式．采用双ＳＯ轨道模型计算了Ｆｅ２＋离子在Ⅱ－Ⅵ半磁半导体ＣｄＴｅ和ＣｄＳｅ中的基态精细结构分裂（ＦＳＳ）．理论计算的ＦＳＳ和实验结果符合很好．并且发现自旋三重态对基态的ＦＳＳ起着重要的影响     

SrxBa1—xTiO3陶瓷的频域介电谱

用固相反应法制备ＳｒｘＢａ１－ｘＴｉＯ３系列陶瓷．当ｘ＝０．３０时呈现显著的驰豫相变特征．在５Ｈｚ至１ＭＨｚ范围,相对介电常数的实部ε′随频率ｆ的降低而增大．１／ε′与ｌｇｆ的关系曲线呈现折曲的２段直线．高频相对介电常数的实部ε′ｈ随ｘ的增加而增大是与顺电相的增加而对应．测量点（ε′,ε″）随频率ｆ的变化分布在复平面的一条直线上．     

固体氧化物燃料电池阴极材料 La_(1-x)Sr_xMnO_3 研究

固体氧化物燃料电池以其高效、低污染等优越性被认为是未来很有希望的发电方式,越来越受到广泛关注,Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３材料是目前最受重视的阴极材料。该文采用固相反应法合成了该材料粉末,对合成反应工艺参数进行了优化。采用四电极法在空气中测定了材料的电导性能,测试温度为室温到１０００℃,测试结果表明：电导率随Ｓｒ掺杂比例增加和温度升高而增大,随孔隙率的增加而变小。还对材料Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３晶体结构和烧结性能进行了研究。     

关于方程组x2-Dy2=1-D和x2=2z2-1的正整数解

设D是可使D-1是奇素数方幂的正整数，给出了确定方程组x^2 Dy^2=1-D和x^2=2z^2-1的全部正整数解(x，y，z)的一般方法．     

Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的貌相分析

用扫描电子显微镜、能量散射Ｘ－射线分析及金相显微镜等方法，研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的表面形貌与衬底沾污等的关系，以及外延层夹杂和晶界存在的影响。结果表明，衬底沾污及晶界的存在会使外延薄膜的貌相变差；生长前衬底表面覆盖可以减轻其表面沾污，用适当的回熔ＬＰＥ工艺，可以改进外延层表面形貌及质量     

初轧过程中打滑时的自激振动

本文对初轧过程中打滑时的自激振动进行了理论分析,利用非线性振动理论中的渐近法导出了自激振动能否建立起来的判据。编制了自激振动程序,并对工程实例进行丁计算。     

Y_2(Fe_(1-x)Ga_x)17化合物的Mssbauer效应研究

用穆斯堡尔效应研究了Ｙ２Ｆｅ１７化合物中，用Ｇａ取代部分Ｆｅ之后，材料的性质变化规律．实验结果表明，在Ｙ２（Ｆｅ１－ｘＧａｘ）１７中，其结构随ｘ的增加发生从Ｔｈ２Ｎｉ１７相到Ｔｈ２Ｚｎ１７相的转变；晶格常数随ｘ的增加而增加；居里温度，超精细场都在Ｔｈ２Ｎｉ１７，Ｔｈ２Ｚｎ１７混和相附近有极大值；Ｇａ原子优先取代１２ｋ（１８ｈ）晶位Ｆｅ原子．     

简谐势阱中的理想玻色气体

应用统计物理方法对谐振势作用下的理想玻色气体进行理论计算，导出系统发生玻色－爱因斯坦凝聚（ＢＥＣ）时的一些物理量，发现产生凝聚的情况与外势场的形式紧密相关．由理论计算求得的临界温度ＴＣ和基态的粒子占据率Ｎ０／Ｎ与实验结果符合较好．这些研究有助于对这种新物态性质的了解．