Local Structure of Ge/Si(100) Self-Assembled Quantum Dot

Local structure of uncapped and Si-capped Ge quantum dots grownon Si(100) has been probed by X-ray absorption fine structure spectroscopy. It is found that the uncapped Ge dots are partially oxidized and partially alloyed with Si. The amount of Ge present in the Ge phase is found to be about 20-30%. In the Si-capped sample, Ge is found to be dissolved in silicon, the fraction of Ge atoms existing as pure Ge phase being not more than 10%.     

锗量子点超晶格的光学特性

对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究．对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论，通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法；首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模，研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性．     

量子点中的边界效应

首先拓展了标准量子统计热力学方法,获得了带有边界修正的二维和三维费米气体的统计热力学量的低温高密展开式.利用所得到的普遍结果讨论了影响量子点系统边界效应的几个主要因素,并简要计算了实际低温量子点系统的边界效应.结论可作为量子点系统热力学性质研究的理论依据.     

双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器

设计了一种新型的存储器结构单元——锗／硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器．对存储器样品的C—V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能．数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年（约10^8S）．这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路．     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV     

[Ge(TPP)I_2]的EXAFS谱的研究

本文对[Ge(TPP)I_2]的Ge K吸收边做了EXAFS谱.在最小二乘曲线拟合的基础上,提出了使用ΔR与ΔE_0之间的线性关系,对核间距进行精细调整的技术.同时提出,用N=B/Sj,Sj=S_1~2(1-15σ)的经验公式,对配位数做精细调整.得到第一配住层GeN的核间距R=0.202nm,配位数N=3.7; 第二配位层Ge-1的核间距R=0.249nm,配位数N=1.8.该化合物的分子应为四方双锥的构型.     

CdSe量子点/聚酰胺-胺树形分子纳米复合材料的制备与表征

以NaHSe为硒源,以聚酰胺-胺树形分子(PAMAM)为内模板,在水溶液中制备了尺寸均一、分散良好、荧光性强的CdSe量子点.分别用紫外-可见吸收光谱、荧光发射光谱和高分辨透射电镜对树形分子包裹的CdSe量子点进行表征.结果表明:在紫外光的激发下,树形分子与CdSe量子点间发生了强烈的界面电荷转移作用.质子化后整代数树形分子模板作用优于半代数树形分子.高代数树形分子的模板作用优于低代数树形分子.pH在7.5时,纳米簇粒径小而均匀,且溶液稳定性高.改变Cd2+与PAMAM物质的量比,可得到一系列尺寸不同、发光颜色不同的CdSe量子点.0℃低温时制备的量子点光致发光效率最高.     

硅量子点的介电受限特性

在有效质量近似的条件下，研究弱束缚类量子点的介电常数与其半径的关系，通过室温下测得的硅量子点的光荧光光谱，计算硅量子点的介电常数，证实硅量子点介电常数的尺度效应。     

开关型表面活性剂胶束为模板合成CdS量子点

以开关型表面活性剂N’-十二烷基-N,N-二甲基乙基脒碳酸氢盐胶束溶液为软模板合成CdS纳米粒子,反应结束后向体系中通入N2并加热至65℃使体系破乳,该过程避免了传统表面活性剂胶束的繁琐破乳过程。合成的CdS纳米粒子通过TEM、XRD进行表征,结果表明以该表面活性剂胶束为软模板可合成粒径在10 nm以下、具有纳米光学效应的CdS量子点。     

硅锗异质结构中等离子-声子耦合模式

利用自洽场理论考虑半导体硅锗量子阱系统中电子-电子和电子-声子相互作用,得到由这些交互作用引起的介电函数.从而得到硅锗异质结中的等离子与声子的耦合模式.