电流型聚吡咯碘离子化学修饰电极的制备与性能研究

本文在玻碳电极（GCE）表面上修饰了一层导电聚合物──聚吡咯（PPy）薄膜,用循环伏安法制备了新型的基于电流响应的碘离子掺杂的聚吡略修饰电极;研究了电极的电化学特性。此修饰电极对碘离子的响应是基于碘离子在PPy膜与电解质溶液中的掺杂平衡以及PPy膜中的碘离子在修饰电极表面的氧化还原过程;制成的电流型电极对5．0×10-2～1．0×10－5mol／L的碘离子呈良好的线性响应关系,检测下限为6．0×10－6mol／L,具有线性范围广,性能稳定的特点。     

聚吡咯修饰电极应用的研究

制备了经碱的掺铁氰根聚吡咯修饰电极,发现此电极对多巴胺有较强的选择性富集作用,由此建立了多巴胺新的分析方法,实验表明,过量的抗坏血酸（AH2）不干扰多巴胺的测定,该法用于测定多巴胺,获得了满意的结果。     

掺铁氰根聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性质的研究

本文用循环伏安法研究了掺铁氰根、吡咯在Ｈ＿２ＳＯ＿４水溶液中、玻碳电极上研磨、电化学聚合过程及影响因素、伏安性能和应用。     

聚吡咯修饰电极测定抗坏血酸的研究

对掺铁氰根聚吡咯电极的聚合、伏安行为、电催化效应及其在抗坏血酸测定中的应用进行了研究.该膜电极性能稳定,对抗坏血酸催化效果好,抗坏血酸浓度在5×10-6~6×10-3 mol/l范围内有很好的线性关系,用于测定果汁饮料中抗坏血酸获得满意结果.     

聚吡咯膜电极对茜素红的电催化作用

用循环伏安法研究了电化学聚合的聚吡咯（ＰＰｙ）膜电极对茜素红电极反应的电催化活性。在聚吡咯膜电极上，茜素红的阳极氧化电流比在铂电极上增加数倍。相应的阴极过程也较铂电极显出一定的催化活性。茜素红在铂电极上和ＰＰｙ膜电极上都显示了吸附现象。在ＰＰｙ膜电极上用电位扫描法载入一定的铂微粒时，载铂微粒的ＰＰｙ膜电极上茜素红的电催化电流进一步增加．在较高的电位和扫描速率下更为明显；但载入的铂微粒过多时，则使电流峰变平坦。     

亚硝基聚吡咯修饰离子选择电极的制备及电化学性能

用循环伏安法制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择电极。表征电极的电化学性能。在１．０＊１０＾－１－５．０＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内，电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好从而验证了电极响应是基于要机理。     

聚吡咯膜电极的静止电位

作者分别以玻璃炭和铂片为基础电极,在电解质的乙腈溶液中,由吡咯电聚合成不同厚度的聚吡咯膜电极(PPy),并测定了电解质浓度、溶液水含量、pH值的变化、氧化性盐的存在,以及环境气氛对PPy的静止电位的影响。     

亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及电化学性能

用循环伏安法（CV）制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择性电极。表征了电极的电化学性能。在1．0x10－1～5．0x10－5mol／L浓度范围内，电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好的线性关系，Nernst响应科率为51mv／PNO2－。观察了NO2-在PPy膜中掺杂＝去掺杂过程，从而验证了电极响应是基于掺杂机理。     

聚吡咯掺杂溴酚蓝修饰玻碳电极的制备和电化学性质

将玻碳电极在含吡咯、溴酚蓝(BPB)和KCl的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中进行循环电位扫描,可在玻碳电极表面形成掺杂溴酚蓝的聚吡咯薄膜.制备的修饰电极在PBS中进行循环伏安扫描产生一对可逆性很好的氧化还原峰.电极具有良好的稳定性和电化学活性.对烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)的氧化有催化作用.     

掺磷钼杂多酸聚吡咯修饰铂微电极催化氧化测定多巴胺

对掺磷钼杂多酸聚吡咯电极的聚合、伏安行为，及其对多巴胺的电催化效应进行了研究。该膜电极性能稳定，多巴胺浓度在５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ～１０－２ｍｏｌ／Ｌ成线性关系，检测限为８．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ，用于多巴胺针剂中多巴胺（ＤＡ）的含量测定获得满意的结果。     

溶剂和酸处理对聚吡咯膜电性能的影响

在大气氛围中,采用电化学沉积的方法在钽电极表面合导电聚吡咯膜,实验发现,机械拓磨促进了电极表面缺陷位置的增加,有利于聚吡咯膜的形成,从对支撑电 液老化机理的探讨出发,讨论了溶剂组分对聚吡咯膜电气性能的影响,由于吡咯单位的质子化作用是导致支撑电解液老化的根本原因,因此采用亲核性强的１,２－丙二醇碳酸酯（ＰＣ）和亲核性稍弱的乙腈（ＡＮ）混合溶剂配制支撑电解液,既可以合成出具有较高电导率的吡咯膜,又可以     

聚吡咯纳米小球的光电探测性能研究

通过微乳液法制备尺寸均一的聚吡咯(PPy)纳米小球,并通过溶液沉积法在氧化铟锡玻璃表面制备聚吡咯纳米小球的光电化学池工作电极,以研究其光电探测响应性能。利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR),紫外-可见吸收光谱仪(UV-Vis),拉曼光谱仪 (Raman)及X-射线粉末衍射仪(XRD),表征及探讨所制备的聚吡咯纳米小球的形貌、尺寸及其物理和化学性能;采用光电化学池的方法对所制备的聚吡咯纳米小球进行光电探测,通过调节测试参数,系统研究聚吡咯纳米小球的光电探测响应行为。结果表明：制备的PPy纳米小球尺寸均一,缺陷少,光电探测能力强(904 nA/cm2),响应速度快(0.6 s)并赋有高的环境稳定性。研究结果可为开拓高性能基于导电聚合物的光电探测器提供理论基础。     

聚丙烯纤维膜为基底的聚吡咯合成及其电容性能研究

通过对吡咯蒸汽的化学氧化,在聚丙烯纤维表面原位生成了聚吡咯及其与氧化镍的复合物.用XRD、SEM对样品进行了结构表征,用四探针法测试了样品的电导率.用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗法研究了复合材料的电化学电容性能.结果表明:复合膜的形貌、电导率和其用作电容的性能受到反应条件、聚吡咯度其复合物含量的影响;掺入氧化物有利于改善电容器的充放电性能.     

绝缘环氧模塑料表面导电聚吡咯薄膜的化学聚合与表征

电磁波干扰越来越多地存在于我们的日常生活中,许多微电子封装材料需要具备屏蔽电磁波的功能.聚吡咯由于具有良好的导电性能和环境稳定性,表现出优异的电磁屏蔽能力.我们利用化学聚合法在绝缘环氧模塑料封装材料表面制备得到了导电聚吡咯薄膜,用X射线光电子能谱、红外光谱、扫描电子显微镜对聚合物薄膜进行了表征.通过SEM分析表明,经对甲基苯磺酸钠掺杂后,制备得到的聚吡咯薄膜均匀连续、致密平整,用四探针测试仪测得掺杂后聚吡咯薄膜的电导率达到了2.3×103S/m以上.     

可溶性聚吡咯的合成及其光致发光性能

以三氯化铁为氧化剂,采用一步法制备了N-乙烯吡咯的聚合物,通过红外光谱和核磁共振表征了聚合物结构,采用紫外光谱、扫描电镜和荧光光谱研究了聚合物的形貌和光致发光性.实验表明,聚合物易溶于常见的有机溶剂,可通过旋转涂膜法制备出表面均匀的棕色薄膜.荧光光谱研究表明:聚合物在四氢呋喃溶液中表现出良好的光致发光性能,以430 nm最佳波长激发时,聚合物的最大发射波长为520 nm,发绿光;当聚合物质量分数在0.007%～0.5%之间时,随溶液浓度增大,最大发射波长逐渐红移,最大荧光强度随溶液浓度提高呈现先增大后减小的变化趋势,当聚合物质量分数为0.03%时,荧光强度达到最大值.     

聚吡咯的合成及其电学性能

为了改善和提高聚吡咯的溶解性和导电性能,利用化学氧化聚合法设计实验,制备聚吡咯。采用木质素磺酸钠、十二烷基磺酸钠和对甲苯磺酸三种掺杂剂,通过改变掺杂剂的种类、掺杂剂的掺杂量、氧化剂的掺杂量、氧化反应时间、氧化温度等反应参数来优化聚吡咯的制备工艺。采用XRD、FTIR、SEM和四探针电导率测试仪等对产物的组成、结构和导电性能进行表征。结果表明:三种掺杂剂均可以成功制备聚吡咯,有效地改善聚吡咯的水溶性能,其中木质素磺酸钠掺杂的聚吡咯性能最佳,当木质素磺酸钠取0.002 mol、n(Py)∶n(Fe Cl3·6H2O)=1∶1.2、反应在0℃下进行16 h时,电导率最高能达到0.818 S/cm。