多段式半导体激光器的端面输出谱

在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器（LD）有源层中的各点等物理事实的基础上，我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式，并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。     

外腔半导体激光器

本文利用传输线描述法,推导了复合外腔半导体激光器的振荡条件,详细分析了外腔半导体激光器的阈值特性、光谱特性、选模特性及线宽加强因子对光谱的影响,实验结果与理论分析一致。     

半导体激光器端面反射率对输出光功率的影响

从理论和实验两个方面,分析了半导体激光器端面反射率变化对其输出功率的影响。研究结果表明：在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率;此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。     

基于光纤光栅的外腔半导体激光器多波长输出的理论模型

提出了一个基于光纤光栅的外腔半导体激光器多波长输出的理论模型．理论分析表明，只要使光纤光栅外腔在多个波长提供反馈且各个波长处的反射率大小满足一定的分布就能实现多波长输出．在此基础上，推导出了要实现多波长输出，不同波长处光纤光栅的反射率大小分布和多波长输出带宽的解析式，并进行了数值分析．     

光纤光栅外腔半导体激光器的输出谱特性

采用射线法,计算增益随波长的变化,推导出光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)输出谱的表达式.结合载流子速率方程,对外腔半导体激光器输出谱的精细结构进行了数值模拟研究.结果表明:光纤光栅外腔的输出谱在反射带宽内呈现出多峰结构,随着前端面反射率减小和耦合效率增加,输出谱相应地变得比较稳定.     

超高速锁模半导体激光器光谱蓝移现象研究

本文对一种新型输出波长1.55μm、超高速10 GHz、多量子阱、锁模半导体激光器的自发辐射光谱的蓝移现象进行实验研究,得到随着对锁模半导体激光器增益区施加增益电流的增加(5 mA→70 mA),多量子阱半导体激光器自发辐射光谱存在明显的蓝移现象(1.550μm→1.500μm),以及输出中心波长向短波长方向移动50 nm的实验结果,这对深刻理解和实现光时分复用技术中高质量超短相干脉冲光源具有重要意义.     

半导体激光器的最新进展

自1960年T·Mainman发现第一个红宝石激光器以来,至今已有30多年的历史.在此期间,激光的理论和技术发展十分迅速,各类激光器应运而生,数量达上千种之多.然而在众多的激光器家族中,半导体二极管激光器则独占鳌头,在当今世界激光工业中占据着统治地位.半导体激光器自1962年问世以来,因其独特的优异性能而被广泛应用于各个领域,不仅成为办公室中常见的元件,而且还进入到寻常百姓家中.据美国Frost＆Sullivan公司调查,1985年半导体激光器的销量将达6千万只,到1999年,年销售量将上升到1亿只.至今,它在世界市场上的年增和率仍保持在10%以上.从数量上     

基于SOA环形腔激光器的理论分析

给出了描述半导体光放大器(SOA)考虑损耗时放大特性的新公式,特点是定义了一个特征函数,使公式变得简洁好记.得到了由SOA经过光纤反馈构成的环形腔激光器的起振条件、不同反馈系数时的振动输出功率、以及在高斯滤波器条件下的输出光谱,其输出光谱比滤波器的带宽要宽得多.     

基于半导体制冷器的激光器温度控制系统

采用NTC作为温度传感器进行温度采集,利用PWM脉宽调制技术及PID补偿算法实现温度调节,半导体制冷器作为控制终端控制激光器温度.经过实验测试,使激光器温度保持在19～21 ℃范围内.     

外腔半导体激光器的实验研究

本文报道了外腔半导体激光器的一些研究成果。利用闪耀光栅作反馈元件，对808nm波长的半导体激光器形成弱耦合外腔，实现了光谱特笥较好的窄线宽单模激光输出，线宽小于0.06nm，边模抑制比大于30dB，最大输出功率为35.4mW，总的光－光转换效率为46％。通过调整光栅转角，可以得到11.66nm的波长调谐范围。设计了光栅－反向镜联动结构，使外腔半导体激光器的输出方向不再随调谐而变化。     

近年来半导体激光的进展

本文综述了近年来半导体激光研究方面的重要进展，着重分析比较了半导体激光的振荡条件，横模特性、输出功率及效率，温度特性，介绍了各种短波段半导体激光。     

半导体激光的非微扰理论

本文引入泵浦函数,研究了半导体激光的粒子数反转条件和输出特性。所得结果是合理和可信的。     

联合Browder本质谱与初等算子的Browder本质谱表示

近来,关于算子组的各类联合谱、联合本质谱的研究已获得了一些出色成果。本文将在这些成果的基础上,讨论一类由 Snow 首先定义的,算子组的联合 Browder 本质谱及有关性质。第一节讨论联合 Browder 本质谱的边界性质。第二节证明了比 Snow 得到的更一般的联合Browder 本质谱的谱映象定理。最后在第三节给出了初等算子的 Browder 本质谱表示。     

激光溅射方法合成半导体纳米线

介绍了激光溅射方法合成半导体纳米线的原理、生长机理(包括金属辅助生长机理和氧化物辅助生长机理)以及影响纳米线直径和长度的因素。     

涡街流量计输出信号谱分析方法比较

涡街流量计是种新型流量测量装置，采用软件方法计算其输出信号的频率更是项新技术．本文采用计算机仿真技术，用高级语言实现不同的谱分析算法，对模拟信号进行计算，通过两类谱分析结果的比较，克服实验中的局限和困难，缩短实际装置的研制周期，并为其提供最佳方案．     

主动锁模半导体激光器腔内光脉冲幅度的变化

用速率方程讨论主动锁模半导体激光器,考虑了光脉冲的传输效应和各光学元件对光脉冲的影响.根据泵浦信号每一周期后系统状态应重现这一条件,得到了短光脉冲幅度在腔内随位置的变化,并进而求出输出功率及系统的其他一些重要参量.     

半导体激光器端面镀膜厚度的有效监控

行波式半导体激光放大器在未来光通讯系统中是极为重要的.研究表明,为实现行波放大,端面剩余反射率需低于1×10~(-3),这就需要在半导体激光器两端面(解理面)镀高效减反射膜,使其转变成激光放大器.而半导体激光器端面积仅10~(12)m~2量级,有源区的有效折射率又是一个不大容易确定的参数,要在这种器件上镀制高性能的