多段式半导体激光器的端面输出谱

在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器（LD）有源层中的各点等物理事实的基础上，我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式，并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。     

注入锁定半导体激光器的调制特性

本文讨论了注入锁定半导体激光器的调制特性,给出了功罕响应和动态频率飘移的表达式。     

用毕-萨定律计算椭圆形电流环垂直轴上的磁场

用毕－萨定律导出了椭圆形电流环垂直轴上的磁感应强度表达式，式中含有第二类完全椭圆积分     

SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

约当块、杨辉三角与幂和

讨论约当块、杨辉三角与幂和之间的几个等式，并由此导出了幂和关于初始值的一种表达式。     

阵列激光微透镜准直器透镜F数的研究

提出用微透镜阵列把半导体激光器的列光束进行准直的方案，采用正透视对圆高斯光束的变换理论研究了微透镜的Ｆ数，得出了Ｆ数以及最小远场发散角半角值的表达式，对微透镜准直器的设计与制造具有指导意义。     

半导体禁带宽度、迁移率和热导率的计算

本文导出了可以统一计算元素半导体以及二元和多元半导体的禁带宽度E_g、迁移率μ和热导率r的经验表达式。特别是对近200种晶体的E_g实测值同计算值作了比较,并以同样的准确性,预计了218种材料的E_g值。     

双相组织应变分配及强化行为

导出了反映双相组织变形特征的应变分配表达式，对影响各相之间变形差异诸因素进行了讨论，在此基础上导出了双相组织的强度表达式，并对一系列双相组织的强度进行了计算。结果表明，理论计算值与试验值吻合较好。     

关于滴定过程的讨论：酸碱滴定

本文阐述了各种类型酸碱滴定过程中，滴定百分数与氢离子浓度之间的关系式，导出了滴定过程中计算ＰＨ值的数学表达式，并应用于实例计算滴定突跃ＰＨ值。     

边界积分方程在连续梁问题上的应用

利用边界积分方程，对一维问题的简支梁，给出了在集中荷载作用下的挠曲线表达式，进而导出连续梁内力影响线的解析式，并将计算结果与工程上的有限元法作了比较．     

外腔半导体激光器

本文利用传输线描述法,推导了复合外腔半导体激光器的振荡条件,详细分析了外腔半导体激光器的阈值特性、光谱特性、选模特性及线宽加强因子对光谱的影响,实验结果与理论分析一致。     

半导体激光器在医疗上的应用及其前景展望

通过对半导体激光器在眼、外、牙、美容、口腔、耳鼻喉、肿瘤以及针灸理疗科等方面的应用进行综述,满足国内对该领域信息量的需求。我国激光医疗市场巨大,半导体激光器由于体积小巧、结构简单、价格便宜、转换效率高、工作寿命长,随着其波长范围的不断扩展、输出功率的逐渐提高,在医疗上的应用日益引人瞩目,并有取代其他类型激光器的趋势,势必成为医用激光器的主流。     

半导体激光（红光）相干性的研究

通过实验研究分析了一种波长为６７０ｎｍ的半导体激光的相干性，证明这种激光器也可以作为一种相干光源加以利用。     

外腔法压窄半导体激光器线宽的二阶理论

对耦合于长无源外腔的半导体激光器的线宽行为进行了二阶理论分析，首次得到了 外腔半导体激光器的线宽压窄率随外腔长的增加而出现饱和的结论。并给出了饱和因子 的表述式。     

GaN基激光器的研究进展

GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进展。目前最新的蓝光GaN基激光器在3 A电流连续工作时的电压和输出功率为4.03 V和5.25 W;最新的绿光激光器波长为532 nm,在电流1.6 A时,输出功率为1.19 W。进一步阐述了GaN基激光器退化的主要表现,即随着工作时间的延长,激光器发光效率降低、光转化效率降低以及电压升高。总结了四种主要的退化模式,分别为封装退化、静电损伤、腔面退化和芯片失效。     

半导体高功率量子阱激光器退火后的电噪声

在环境温度和工作电流下, 对808 nm高功率量子阱激光器进行老化实验, 发现在老化过程中一些劣质器件电噪声谱密度呈下降趋势, 产生退火效应. 本文应用初始性缺陷（高温高能条件下所形成的缺陷）和非初始性缺陷理论, 探讨了器件发生退火及早期失效的原因.     

激光溅射方法合成半导体纳米线

介绍了激光溅射方法合成半导体纳米线的原理、生长机理(包括金属辅助生长机理和氧化物辅助生长机理)以及影响纳米线直径和长度的因素。     

应用于MOPA的可编程半导体脉冲种子源激光器的设计与实现

设计出一种高速可编程的半导体脉冲种子源激光器,用于主震荡功率放大器脉冲光纤激光器。具有较大的峰值电流、1 Hz～1 MHz的可调重复频率、20 ns～0.5μs的连续可调整脉冲宽度。测试结果显示此可编程半导体脉冲种子源激光器工作性能稳定可靠。     

利用半导体激光管制作亚硝酸盐测定仪的可行性研究

结合激光吸收光谱和紫外–可见光分光光度计原理, 利用亚硝酸根和对氨基苯磺酸以及N-1-萘基-乙二胺盐酸盐反应后生成紫红色染料, 对绿色半导体激光管发出的532 nm 波长的光束有特异性吸收特性, 尝试制作一种激光亚硝酸盐测定仪。结果表明, 亚硝酸钠浓度在0~1.4 ng/μL 范围内, 上述紫红色染料对波长532 nm 的激光的吸收与亚硝酸钠含量呈良好线性关系。通过与经典格氏法平行对比, 结果表明该测定仪测定的自然水样中亚硝酸盐含量与经典格氏法测定的结果有很好的吻合度, 能够获得较高精度的测定结果。     

基于DII的半导体激光加工领域专利分析

利用DII数据库的专利信息资源,采用专利分析的研究方法,对1963—2014年收录的有关半导体激光加工领域的专利进行了分析,以了解全球半导体激光加工制造领域的研发趋势、国家布局、技术热点和主要竞争机构. 分析表明,半导体激光加工技术领域专利申请量近年始终保持增长的趋势;中国申请专利数量处在全球排名第三的位置,主要的竞争对手为日本和美国;主要的竞争机构几乎被日本所垄断;主要的技术领域集中在半导体器件、焊接和利用受激发的器件等方面.