标准模型下γγ→t(-t)H过程的散射截面的树图级计算

笔者在标准模型下计算了两个光子的碰撞过程中产生top夸克对和一个附带的中性Higgs粒子的最低阶的散射截面.该过程从理论上可以在新一代的线性对撞机上实现.ttH的产生是探索中性Higgs粒子和Top夸克耦合与Higgs粒子质量关系的唯一的直接途径.讨论该过程对于理解higgs-top耦合具有重要的意义.通过理论计算得到的结果是当质心能量的取值在0.5～2 TeV之间,而Higgs粒子的质量在120～200GeV时,其散射截面大致在1～3 fb之间.在实验条件达到相应的条件时,利用理论计算结果能为实验上寻找Higgs粒子提供帮助.     

在2HDM模型下γγ→bH~-过程的散射截面的树图级计算

带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征,寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tb-H-的最低阶(树图级)的散射截面,讨论了散射截面与模型参数tanβ和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明:当模型参数tanβ在5～40时,散射界面的数量级可达10-2pb;而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。     

在2HDM模型下γγ→t-bH-过程的散射截面的树图级计算

带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征，寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tbH^-的最低阶(树图级)的散射截面，讨论了散射截面与模型参数tan β和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明：当模型参数tan β在5～40时，散射界面的数量级可达10^-2pb；而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV。     

在2HDM模型下γγ→tH-过程的散射截面的树图级计算

带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征,寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面.计算了两个光子的碰撞过程γγ→t-bH-的最低阶(树图级)的散射截面,讨论了散射截面与模型参数tanβ和带电Higgs粒子的质量之间的关系.计算结果表明当模型参数tanβ在5～40时,散射界面的数量级可达10-2pb;而带电Higgs粒子的质量大致在100～400GeV.     

标准模型下γγ→μ μ-过程的弱电辐射修正

通过在标准模型下对双光子碰撞产生正负μ子对的弱电辐射修正--包括虚修正和软光子修正的计算,得到了单圈修正下γγ→μ μ-过程的散射截面.并在较大范围内给出了树图和单圈弱电修正下散射截面随质心能量√s的变化关系.此结果对双光子碰撞产生Higgs粒子的测量背景扣除具有重要意义.     

计算H→3r过程的单圈近似

在规范场标准模型理论中，计算了Ｈｉｇｇｓ粒子Ｈ→３ｒ过程的单圈近似，其结果为零。在计算中，利用了振幅交换对称性和规范不变性，简化了计算过程。本文所给出的方法，可供计算其它过程参考．     

双Higgs模型下对B_c~-→τ_τγ衰变过程的研究

B介子纯轻衰变Bc→lv(l=e,μ)过程由于螺旋度压低导致衰变分支比很小,以致于实验上无法观测到.但人们在新物理模型:双Higgs模型下分析纯轻过程发现该过程对新物理很敏感,我们分别在标准模型和双Higgs模型下对Bc介子的辐射衰变Bc-→τ--ντγ进行了研究,发现辐射衰变受新物理影响也比较明显.双Higgs模型是在标准模型的基础上增加一个Higgs二重态,其余部分保持不变,它是标准模型最简单的扩充,模型Ⅰ,Ⅱ[1]和模型Ⅲ的区别就是后者允许树图阶的味改变中性流(FCNC).在模型Ⅱ下只考虑了荷电规范玻色子的耦合,由于MH>MB,MW>MB,那么从中间…     

双Higgs模型下对B-c→τ-vτγ衰变过程的研究

B介子纯轻衰变Bc→lv（l=e,μ）过程由于螺旋度压低导致衰变分支比很小,以致于实验上无法观测到．但人们在新物理模型：双Higgs模型下分析纯轻过程发现该过程对新物理很敏感,我们分别在标准模型和双Higgs模型下对B介子的辐射衰变Bc^-→τ^-^-vτγ进行了研究,发现辐射衰变受新物理影响也比较明显．     

双Higgs模型下B→φK*衰变过程极化反常的研究

B→фK*衰变过程是一个纯企鹅图的过程.在标准模型下,这个过程是以纵向极化为主的. 然而,BaBar和Belle最近的实验结果却给出了反常的大的横向极化分数,这和标准模型的结果是不一致的. 因此我们试图在新物理模型下给以解释.     

偏离卢瑟福散射截面的光学模型计算

采用光学模型系统地计算了高能α粒子的非卢瑟福散射截面,给出了与卢瑟福散射偏离度为４％和６％时的起始偏离能量随靶核电荷数Ｚ的变化规律。计算结果与实验值有很好的符合。     

rr→t过程对不同TC模型的检验

在ＴＣ（Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ）理论的发展过程中遇到了一些问题，比如产生足够重的顶夸克质量；产生合适的ＺＺ→ｂｂ分支比Ｒｂ值；给出与实验结果吻合较好的弱电参数值等等．为了解决这些问题，人们提出了一些不同ＴＣ模型，其中典型的ＴＣ模型有现实的一代ＴＣ模型...     

Xe原子与H2分子碰撞的散射截面计算

本文使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似方法计算了惰性气体Xe与H2碰撞的散射截面, 并对计算结果进行了讨论, 总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.     

双Higgs模型Ⅲ下的稀有衰变B→X_s

在模型III下计算了对B介子稀有衰变过程的新物理贡献.在所考虑的参数空间里,发现:对稀有衰变的新物理贡献能够使其分支比提高一到两个数量级,接近目前的实验测量限制;根据ALEPH等实验组的实验测量数据,可以给出对Yukawa耦合tλt的限制.     

双Higgs模型Ⅲ下的稀有衰变B→Xsvv^-

在模型Ⅲ下计算了对B介子稀有衰变过程的新物理贡献.在所考虑的参数空间里,发现：对稀有衰变的新物理贡献能够使其分支比提高一到两个数量级,接近目前的实验测量限制;根据ALEPH等实验组的实验测量数据,可以给出对Yukawa耦合λu的限制.     

He-HCl势能模型对散射截面影响的比较研究

针对He-HCl碰撞体系的3种不同势能模型,采用公认的精确度较高的密耦(close-coupling)近似方法,分别计算了He-HCl体系的微分散射截面、分波散射截面和总截面;并对计算结果进行了比较及分析.研究表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面特别是激发截面有较大的影响.从而为根据散射截面准确地确定He-HCl碰撞体系的相互作用势提供了一种新方法.     

e-H碰撞微分散射截面的场论计算方法研究

本采用量子场论的方法，构想了一种简化的电子与氢原子碰撞的模型，结合光学势模型中的可加性规则的思想，计算了电子被氢原子散射的微分散射截面，并与单纯用光学势方法计算的结果进行了比较．创新性的将场论方法应用于电子与原子的碰撞截面计算．     

光子链图传播下Bhabha散射截面的严格计算

采用光子与电子（正电子）的最小电磁耦合模型，获得了光子链图传播子重整化的有限量。对其辐射修正作了相关的计算和讨论，从而得到了电子-正电子碰撞在链近似下的散射截面，并与最低阶的散射截面作了比较．     

小Higgs模型下暗物质直接产生过程研究

暗物质是天文学研究的热点之一,但粒子物理标准模型却不能提供合适的候选者。带有T宇称的小Higgs模型中的重光子满足暗物质的要求,计算了重光子的直接探测过程,其结果可以用来作为区别其他新物理模型的理论依据。     

光子链图传播下Bhabh散射截面的严格计算

采用光子与电子(正电子)的最小电磁耦合模型,获得了光子链图传播子重整化的有限量.对其辐射修正作了相关的计算和讨论,从而得到了电子-正电子碰撞在链近似下的散射截面,并与最低阶的散射截面作了比较.     

计算正电子与钾原子碰撞的总散射截面

应用耦合通道光学势方法计算低能正电子同钾原子碰撞的总散射截面． 在 Ｐ 空间的耦合积分方程中包括 ８ 个能量最低的散射通道, 用 Ｑ 空间的复光学势描述的正负电子偶素所形成的通道和电离通道, 被附加到 Ｐ 空间的通道耦合中． 计算结果表明, 电离和正负电子偶素的形成在正电子和钾原子碰撞散射体系中起着重要的作用．