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在2HDM模型下γγ→bH~-过程的散射截面的树图级计算
引用本文:
陈刚.在2HDM模型下γγ→bH~-过程的散射截面的树图级计算[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2005(3).
作者姓名:
陈刚
作者单位:
重庆工商大学理学院 重庆400067
摘 要:
带电Higgs粒子在2HDM模型中具有不同于标准模型的显著特征,寻找带电Higgs粒子是验证2HDM模型的一个非常重要方面。计算了两个光子的碰撞过程γγ→tb-H-的最低阶(树图级)的散射截面,讨论了散射截面与模型参数tanβ和带电Higgs粒子的质量之间的关系。计算结果表明:当模型参数tanβ在5~40时,散射界面的数量级可达10-2pb;而带电Higgs粒子的质量大致在100~400GeV。
关 键 词:
标准模型(SM)
Two-Higgs-Doublet模型
散射截面
Feynman规则
树图
Yukawa耦合
本文献已被
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