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| 射频集成电路中的基片噪声耦合 | |
| 引用本文： | A．赫尔米,Mohammed,Ismail,胡光华.射频集成电路中的基片噪声耦合[J].国外科技新书评介,2008(10). |
| 作者姓名： | A．赫尔米 Mohammed Ismail 胡光华 |
| 作者单位： | [1]Ohio State University [2]Analog VLSI Lab,The Ohio State University, USA [3]原中国科学院物理学研究所,The Ohio State University, USA |
| 摘 要： | 集成电路（IC）中基片噪声耦合是由干扰信号形成的，这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动，并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。 |
| 关 键 词： | 射频集成电路 硅基片 声耦合 干扰信号 开关噪声 数字时钟 电流 寄生 |
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